Розроблення та 2006-2007 140 60 80
впровадження
технології
виробництва
потужних високо-
вольтних кремніє-
вих надвисоко-
частотних p- і
n-діодів з про-
бивною напругою
1000-2000 Вольт
для перспектив-
них радіотехніч-
них систем широ-
кого призначення