Додаток, п. 42

Розроблення 2005-2008 200 65 45 60 30

технології

виготовлення

монокристалічних

середовищ на

основі епітаксій-

них структур

гексаферитів для

виготовлення мі-

ніатюрних і

субмініатюрних

керованих, пасив-

них компонентів

надвисокочастот-

них приладів