Очікувані результати
У результаті виконання Програми очікується:
1) розробка мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для потреб охорони здоров'я, моніторингу зовнішнього середовища, запобігання тероризму, зокрема:
інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазонах A та B, потужності дози в діапазоні C (стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту), а також для визначення сонцезахисного фактора (SPF) різних видів тканин і косметичних засобів;
технологій одержання багатоелементних p- і n- фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів у рентгенівських інспекційних сканерах;
технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур з розміром пікселя 200-250 мкм, інтегрованою електронікою і комутатором для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням;
детекторів радіації на фотодіодних структурах різного призначення, а саме: для використання в діапазонах енергій від 30 кеВ до 10 МеВ, контролю багажу, вантажу, легких і важких автомобілів, морських і авіаційних контейнерів; освоєння дослідно-промислового виробництва таких детекторів з параметрами, що перевищують світовий рівень;
енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію та сенсорів ультрафіолетової радіації нового покоління з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень;
технологій одержання p- i n- структури на різних типах кремнієвих кристалів;
організаційних передумов для налагодження промислового виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах та населенням;
2) створення електронної бази для інфрачервоної мікрофотоелектроніки, зокрема:
багатоелементних та матричних гібридних інфрачервоних фотоприймальних пристроїв, які складаються з матриць фоточутливих елементів для детектування інфрачервоного випромінювання та кремнієвих фокальних мікропроцесорів, для зчитування та обробки сигналів у фокальній площині;
технологій виготовлення основних функціональних елементів фотоприймальних пристроїв (охолоджуваних фотодіодних та неохолоджуваних мікроболометричних матриць, кремнієвих фокальних процесорів (пристроїв зчитування інформації), допоміжних приладів і пристроїв);
методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і матричних фотоприймальних пристроїв;
приладів та засобів метрології багатоелементних фотоприймальних пристроїв;
3) налагодження виробництва високоефективних напівпровідникових джерел світла, зокрема:
удосконалення технології вирощування сапфіру для потреб оптоелектроніки;
впровадження технологій виготовлення сапфірових підкладок з необхідною якістю поверхні;
розроблення технологій та організація виробництва ефективних світлодіодів;
створення високоефективних інфрачервоних випромінювачів, повністю сумісних з кремнієвою технологією;
4) забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжин хвиль шляхом:
збільшення довговічності приладів у десятки разів, що дозволить збільшити час активної експлуатації штучних супутників Землі;
поліпшення якості спектра генеруючих коливань;
створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації в електроніці;
оснащення підприємств та науково-дослідних установ необхідним фізико-хімічним аналітичним обладнанням, розвитку їхньої діагностичної бази;
створення центрів фізико-хімічних методів діагностики загального користування;
розвитку діагностичних методів, які будуть забезпечувати вимірювання структурних, оптичних та електрофізичних параметрів вихідних матеріалів електронної техніки;
налагодження виробництва надвисокочастотної елементної бази міліметрового діапазону (дискретні елементи) для новітніх малогабаритних і недорогих систем радіолокації, навігації, зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.