Формування -"- 50 20 15 15 р(в ступ.+)-шарів в
епітаксійних плівках
кадмій-ртуть-телур
шляхом імплантації
іонів B(в ступ. +).
Оптимізація режимів
імплантації та відпалу
Додаток до Програми → II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
Формування -"- 50 20 15 15 р(в ступ.+)-шарів в
епітаксійних плівках
кадмій-ртуть-телур
шляхом імплантації
іонів B(в ступ. +).
Оптимізація режимів
імплантації та відпалу