Створення контактів до Інститут 50 15 20 15 епітаксійних шарів фізики
кадмій-ртуть-телур. напів- провідників
Формування Інститут 250 80 80 90
багатошарових мікроприладів
електричних контактів
до лінійок
фогоприймачів на
основі HgCdTe та
методом вакуумного
напилення