Створення діодних Інститут 250 80 90 80 p- i n- структур фізики
у вузькозонному напів-
напівпровідниковому провідників
матеріалі
ртуть-кадмій-телур Інститут 450 150 150 150
методом іонної мікроприладів
імплантації
Додаток до Програми → II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
Створення діодних Інститут 250 80 90 80 p- i n- структур фізики
у вузькозонному напів-
напівпровідниковому провідників
матеріалі
ртуть-кадмій-телур Інститут 450 150 150 150
методом іонної мікроприладів
імплантації