КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
ПОСТАНОВА від 29 вересня 2010 р. N 887 Київ
Про внесення змін у додаток 1 до Порядку здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання
Кабінет Міністрів України постановляє:
Внести зміни у додаток 1 до Порядку здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів подвійного використання, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 28 січня 2004 р. N 86 ( 86-2004-п ) (Офіційний вісник України, 2004 р., N 4, ст. 167; 2007 р., N 79, ст. 2958; 2009 р., N 28, ст. 929, N 33, ст. 1156), виклавши його у редакції, що додається.
Прем'єр-міністр України М.АЗАРОВ
Інд. 21
Додаток 1 до Порядку (у редакції постанови Кабінету Міністрів України від 29 вересня 2010 р. N 887)
СПИСОК товарів подвійного використання, що можуть бути використані у створенні звичайних видів озброєнь, військової чи спеціальної техніки
------------------------------------------------------------------
| Розділ 1. СПЕЦІАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ ТА ПОВ'ЯЗАНЕ З НИМИ ОБЛАДНАННЯ |
|----------------------------------------------------------------|
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Загальні |1. Термін "товари подвійного використання" у цьому|
|примітки. | Списку вживається у значенні, наведеному у |
| | статті 1 Закону України "Про державний контроль|
| | за міжнародними передачами товарів військового |
| | призначення та подвійного використання" |
| | ( 549-15 ). |
| | Терміни, що використовуються у цьому Списку в |
| | лапках, мають значення, наведені у пункті 1 |
| | розділу "Загальні примітки", розміщеного |
| | наприкінці цього Списку. |
| |2. Коди товарів згідно з УКТЗЕД ( 2371а-14, |
| | 2371б-14, 2371в-14, 2371г-14 ) наводяться у |
| | цьому Списку довідково. Основною ознакою для |
| | прийняття рішення є відповідність заявленого |
| | до митного оформлення товару найменуванню |
| | та опису відповідного товару, наведеного |
| | в цьому Списку. |
| |3. У позиції 1.A.1 та далі за текстом у графі |
| | "номер позиції" у квадратних дужках наводяться |
| | коди товарів згідно із системою їх класифікації|
| | державами - учасницями Європейського Союзу. |
| |4. У деяких випадках для зручності в ідентифікації|
| | хімічних сполук у цьому Списку зазначаються |
| | найменування хімічної сполуки та її |
| | реєстраційний номер Хімічної реферативної |
| | служби (CAS-номери, Chemical Abstracts |
| | Service). Хімічні сполуки, які мають однакову |
| | структурну формулу (включаючи гідрати), |
| | підлягають контролю незалежно від найменування |
| | та CAS-номеру. CAS-номери не можуть |
| | бути використані як однозначні ідентифікатори, |
| | оскільки деякі форми хімічних сполук, наведені |
| | в цьому Списку, мають різні CAS-номери, суміші,|
| | до складу яких входить хімічна сполука, |
| | також можуть мати різні CAS-номери. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особливі |1. "Технологія", що підлягає контролю, визначена в|
|примітки. | кожному розділі. |
| | Експорт "технології", "необхідної" для |
| | "розроблення", "виробництва" або "використання"|
| | виробів, зазначених у цьому Списку, |
| | контролюється відповідно до умов, згаданих |
| | у кожному розділі. Ця "технологія" підлягає |
| | контролю навіть у разі, коли вона |
| | використовується для розроблення будь-якого |
| | виробу, не внесеного до цього Списку. |
| | Дозвіл на експорт виробу, зазначеного в цьому |
| | Списку, також надає дозвіл на експорт тому |
| | самому кінцевому споживачеві мінімуму |
| | "технології", необхідного для установлення, |
| | експлуатації, технічного обслуговування |
| | (перевірки) та ремонту виробу. Кількість та |
| | обсяги такого мінімуму обмежуються інформацією,|
| | наведеною у технічній документації (паспорті, |
| | формулярі тощо), яка спеціально розроблена для |
| | кінцевого споживача та постачається з виробом. |
| | Контроль не застосовується до "технологій", що |
| | є "загальнодоступними", "фундаментальних |
| | наукових досліджень" або мінімальної |
| | інформації, необхідної для подання заявки |
| | на патент. |
| |--------------------------------------------------|
| |2. За цим Списком контролю не підлягає "програмне |
| | забезпечення", загальнодоступне громадськості |
| | шляхом: |
| | a) продажу без обмежень у пунктах роздрібної |
| | торгівлі, призначене для: |
| | 1) торговельних операцій у роздріб; |
| | 2) торговельних операцій за поштовим |
| | замовленням; або |
| | 3) торговельних операцій за замовленням по |
| | телефону; та |
| | b) розроблене для інсталяції користувачем без |
| | подальшої допомоги з боку постачальника або є |
| | "загальнодоступним". |
| |--------------------------------------------------|
| |3. Міжнародні передачі "послуг та робіт", |
| | пов'язаних з "розробкою", "виробництвом", |
| | "використанням", складанням, випробуванням, |
| | "модифікацією" та модернізацією виробів, |
| | обладнання, матеріалів, "програмного |
| | забезпечення" і "технологій", підлягають |
| | експортному контролю у тому самому обсязі, |
| | що і міжнародні передачі виробів, обладнання, |
| | матеріалів, "програмного забезпечення" і |
| | "технологій", зазначених у цьому Списку. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1. |СПЕЦІАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ ТА ПОВ'ЯЗАНЕ З| |
| |НИМИ ОБЛАДНАННЯ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.1. |Компоненти, вироблені із сполук, що| |
|[1A001] |містять фтор: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) ущільнення, прокладки, |3923 30 90 00 |
| | ущільнювальні матеріали або |3925 10 00 00 |
| | еластичні паливні баки, |3926 90 10 00 |
| | спеціально призначені для |3926 90 99 90 |
| | "літальних апаратів" чи для | |
| | використання в аерокосмічній | |
| | техніці та виготовлені більш | |
| | як на 50 вагових відсотків | |
| | з матеріалу, зазначеного | |
| | в позиціях 1.C.9.b або 1.C.9.c; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) п'єзоелектричні полімери |3920 99 51 00 |
| | та сополімери, вироблені |3921 90 60 00 |
| | з матеріалів на основі |3921 90 90 00 |
| | вініліденфториду, | |
| | зазначених у позиції | |
| | 1.C.9.a: | |
| | 1) у формі плівки або листа; та | |
| | 2) завтовшки понад 200 мкм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) ущільнення, прокладки, гнізда |3919 90 90 00 |
| | клапанів, еластичні паливні баки|3923 30 90 00 |
| | або діафрагми, які: |3925 10 00 00 |
| | 1) виготовлені із фтороластомірів,|3926 90 10 00 |
| | які містять щонайменше одну |3926 90 99 90 |
| | вінілефірну групу як складову | |
| | ланку; та | |
| | 2) спеціально призначені для | |
| | "літальних апаратів" чи для | |
| | використання в аерокосмічній | |
| | або ракетній техніці. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.2. |"Композиційні матеріали" або | |
|[1A002] |ламінати (шаруваті матеріали), які | |
| |містять будь-що з наведеного | |
| |нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) органічну "матрицю" і вироблені |з 3921 |
| | з матеріалів, що підлягають |3926 90 10 00 |
| | контролю згідно з позиціями |3926 90 99 90 |
| | 1.C.10.c, 1.C.10.d чи 1.C.10.e; | |
| | або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) металеву або вуглецеву "матрицю"| |
| | і виготовлені з: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) вуглецевих "волокнистих або |з 3801 |
| | ниткоподібних матеріалів" з: |з 6815 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) питомим модулем пружності |з 6815 |
| | 6 | |
| | понад 10,15 х 10 м; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) питомою межею міцності при |з 6815 |
| | 4 | |
| | розтягу понад 17,7 х 10 м; | |
| | або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) матеріалів, що підлягають |8101 92 00 00 |
| | контролю за позицією 1.C.10.c. |8108 90 30 00 |
| | |8108 90 70 00 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають |
| |композиційні структури або шаруваті матеріали, |
| |виготовлені з епоксидної смоли, імпрегнованої |
| |"волокнистими чи ниткоподібними матеріалами" для |
| |ремонту авіаційних конструкцій, або шаруваті |
| |матеріали, у разі, коли їх розмір не перевищує |
| |100 х 100 см. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають |
| |закінчені вироби або напівфабрикати, спеціально |
| |призначені тільки для наведеного нижче цивільного |
| |використання: |
| | a) у спортивних товарах; |
| | b) в автомобільній промисловості; |
| | c) у верстатобудівній промисловості; |
| | d) у медичних цілях. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 3. |Згідно з позицією 1.A.2.b.1 контролю не підлягають|
| |закінчені вироби або напівфабрикати, що містять |
| |сплетення ниток максимум у двох вимірах та |
| |спеціально призначені для використання у: |
| | a) термічних печах для відпуску металів; |
| | b) обладненні для виробництва монокристалів |
| | кремнію. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.3. |Вироби з ароматичних поліамідів, що|з 3919 |
|[1A003] |не належать до "плавких" у формі |з 3920 |
| |плівки, листа, стрічки або смужки, |з 3921 |
| |які мають будь-яку з наведених | |
| |нижче характеристик: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) завтовшки понад 0,254 мм; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) покриті чи ламіновані вуглецем,|з 3921 |
| | графітом, металами або | |
| | магнітними речовинами. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.3 контролю не підлягають |
| |вироби, покриті або ламіновані міддю і призначені |
| |для виробництва електронних друкованих плат. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо "плавких" ароматичних поліамідів в будь-якій |
|примітка. |формі дивись підпозицію 1.C.8.a.3. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.4. |Обладнання для забезпечення захисту| |
|[1A004] |і виявлення та їх частини, наведені| |
| |нижче, спеціально не призначені для| |
| |військового використання: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) протигази, газові маски, коробки|9020 00 90 00 |
| | протигазів з фільтрами та |9033 00 00 00 |
| | обладнання для знезараження, | |
| | призначені або модифіковані для | |
| | захисту від будь-чого з | |
| | наведеного нижче, та спеціально | |
| | призначені компоненти для них: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) біологічних агентів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) радіоактивних матеріалів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) бойових хімічних агентів; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) "хімічних засобів боротьби із | |
| | масовими заворушеннями", | |
| | включаючи: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) альфа-бромбензинацетонітрил, | |
| | (бромбензил ціанід) (CA) | |
| | (CAS 5798-79-8); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) [(2-хлорофенілу) метилену] | |
| | пропанедінітрил, (о- | |
| | хлоробензиліденемалононітрилу)| |
| | (CS) (CAS 2698-41-1); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) 2-хлоро-1-фенілетанон, | |
| | фенілацил хлорид | |
| | (w-хлороацетофенону) (CN) | |
| | (CAS 532-27-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) дібенз-(b,f)-1,4-оксацефін, | |
| | (CR) (CAS 257-07-8); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | e) 10-хлоро-5,10-діхідрофенар- | |
| | сазин, (фенарсацин хлориду), | |
| | (Адамзиту), (DM) | |
| | (CAS 578-94-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | f) N-нонаноілморфолін, (MPA) | |
| | (CAS 5299-64-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) захисні костюми, рукавиці та |6210 20 00 00 |
| | взуття, спеціально призначені |6210 30 00 00 |
| | або модифіковані для захисту від|з 6405 90 |
| | будь-чого з наведено нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) біологічних агентів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) радіоактивних матеріалів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) бойових хімічних агентів; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) Ядерні, біологічні та хімічні |з 9027 |
| | системи виявлення та їх частини,|9030 10 90 00 |
| | спеціально призначені або |9033 00 00 00 |
| | модифіковані для виявлення або |9027 10 10 00 |
| | ідентифікації будь-чого з |9027 10 90 00 |
| | наведеного нижче, а також |9027 90 80 00 |
| | спеціально призначені для них | |
| | компоненти: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) біологічних агентів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) радіоактивних матеріалів, | |
| | "пристосованих для військового | |
| | використання"; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) бойових хімічних агентів; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) електронне обладнання, | |
| | призначене для автоматичного | |
| | виявлення або ідентифікації | |
| | наявності залишків "вибухових | |
| | речовин" з використанням методів| |
| | "виявлення слідів" (наприклад, | |
| | поверхневої акустичної хвилі, | |
| | спектрометрії рухливості іонів, | |
| | спектрометрії на основі | |
| | розподілу рухливості, масова | |
| | спектрометрія). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |"Виявлення слідів" - здатність виявити менш ніж |
|примітка. |одну частину на мільйон пари, або 1 мг твердої або|
| |рідкої речовини. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягає |
| |обладнання, спеціально призначене для |
| |лабораторного використання. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягають |
| |стаціонарні безконтактні пропускні арочні пристрої|
| |безпеки. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 3. |Згідно з позицією 1.A.4 контролю не підлягають: |
| |a) персональні радіаційні моніторингові дозиметри;|
| |b) обладнання, яке за конструкцією або функціями |
| | призначене тільки для захисту від небезпечних |
| | та шкідливих факторів, типових для безпеки |
| | мешканців та житла, а також для цивільних |
| | галузей промисловості, таких як гірнича |
| | промисловість, відкрита розробка родовищ, |
| | сільське господарство, фармацевтика, медицина, |
| | ветеринарія, охорона довкілля, переробка |
| | відходів або харчова промисловість; |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічні |1. Згідно з позицією 1.A.4 контролю підлягає |
|примітки. | обладнання і компоненти, які були |
| | ідентифіковані, успішно протестовані згідно |
| | з національними стандартами або ефективність |
| | яких підтверджена іншим чином, для виявлення |
| | або захисту від радіоактивних матеріалів, |
| | "пристосованих для військового використання", |
| | біологічних агентів, "пристосованих для |
| | військового використання", бойових хімічних |
| | речовин, "імітаційних продуктів" або "хімічних |
| | засобів боротьби із масовими заворушеннями", |
| | навіть якщо таке обладнання або компоненти |
| | використовуються в галузях цивільної |
| | промисловості, зокрема для гірничої справи, |
| | робіт в кар'єрах, сільськогосподарської, |
| | фармацевтичної, медичної, ветеринарної |
| | діяльності, харчової промисловості, а також |
| | для робіт, пов'язаних із захистом навколишнього|
| | природного середовища та переробкою відходів |
| | або для харчової промисловості; |
| |2. "Імітаційний продукт" - речовина або матеріал, |
| | який використовується замість токсичних агентів|
| | (хімічних або біологічних) для навчання, |
| | дослідження, тестування або аналізу. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.5. |Бронежилети і спеціально призначені|6204 29 90 00 |
|[1A005] |для них "компоненти", виготовлені | |
| |не за військовими стандартами або | |
| |специфікаціями і не рівноцінні їм у| |
| |виконанні. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо контролю за "волокнистими або ниткоподібними |
|примітка. |матеріалами", що використовуються у виробництві |
| |бронежилетів, див. позицію 1.C.10. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають |
| | бронежилети або захисний одяг, якщо вони |
| | перебувають у своїх користувачів з метою їх |
| | власного захисту. |
| |2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають |
| | бронежилети, призначені тільки для забезпечення|
| | фронтального захисту як від уламків, так і від |
| | вибуху невійськових вибухових пристроїв. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.6. |Обладнання, спеціально призначене | |
|[1A006] |або модифіковане для знищення | |
| |саморобних вибухових пристроїв, та | |
| |спеціально призначені компоненти і | |
| |пристосування для нього: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) транспортні засоби з | |
| | дистанційним керуванням; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) руйнівники (підривачі). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Руйнівники - пристрої, спеціально призначенні для |
|примітка. |запобігання спрацюванню вибухового пристрою за |
| |допомогою дії рідини, твердої речовини або |
| |крихкого снаряду. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо обладнання, спеціально призначеного для |
|примітка. |військового використання, знищення саморобних |
| |вибухових пристроїв, дивись позицію ML4 Списку |
| |товарів військового призначення, міжнародні |
| |передачі яких підлягають державному контролю, |
| |наведеного у додатку до Порядку здійснення |
| |державного контролю за міжнародними передачами |
| |товарів військового призначення, затвердженого |
| |постановою Кабінету Міністрів України від |
| |20 листопада 2003 р. N 1807 ( 1807-2003-п ). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.6 контролю не підлягає |
| |обладнання, що супроводжується (слідує разом) його|
| |оператором. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.7.*, ** |Обладнання та пристрої, спеціально | |
|[1A007] |призначені для ініціювання зарядів | |
| |і пристроїв, що містять енергетичні| |
| |матеріали, за допомогою електричних| |
| |засобів, наведених нижче: | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за |
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
| ** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт |
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке|
|належить до сфери управління Агентства. |
|----------------------------------------------------------------|
| |a) блоків підриву детонаторів | |
| | вибухових пристроїв, призначених| |
| | для приведення в дію детонаторів| |
| | вибухових пристроїв, що | |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позицією 1.A.7.b; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) електродетонатори вибухових | |
| | пристроїв: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) детонатори з містком, що | |
| | вибухає (іскрові детонатори); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) детонатори з дротовою | |
| | перемичкою, що вибухає | |
| | (струмові детонатори); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) детонатори з ударником | |
| | (детонатори ударної дії); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) ініціатори з фольгою, що | |
| | вибухає. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |1. Іноді слова "ініціатор" або "запалювач" |
|примітка. | використовуються замість слова "детонатор"; |
| |2. Для цілей позиції 1.A.7.b. усі детонатори, про |
| | які йде мова, використовують невеликий |
| | електричний провідник (місток, дротову |
| | перемичку або фольгу), який вибухоподібно |
| | випаровується, під час пропуску через нього |
| | короткого сильнострумового електричного |
| | імпульсу. У детонаторах безударної дії |
| | провідник, що вибухає, починає хімічну |
| | детонацію в контакті з бризантною вибуховою |
| | речовиною, такою як ПЕТН |
| | (пентаеритриттетранітрат). У детонаторах |
| | ударної дії вибухоподібне випаровування |
| | електричного провідника переміщає через зазор |
| | бійчик або ударник, який ударяє по вибуховій |
| | речовині і викликає хімічну детонацію. |
| | У деяких конструкціях ударник приводиться |
| | в дію магнітною силою. Термін "детонатор |
| | з фольгою, що вибухає" може означати або |
| | детонатор з містком, що вибухає, або детонатор |
| | ударного типу. Термін "ініціатор з фольгою, що |
| | вибухає" може відноситись як до детонаторів з |
| | містком, що вибухає, так і до детонаторів |
| | ударної дії. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо обладнання та пристроїв, спеціально |
|примітка. |призначених для військового використання, дивись |
| |Список товарів військового призначення, міжнародні|
| |передачі яких підлягають державному контролю, |
| |наведений у додатку до Порядку здійснення |
| |державного контролю за міжнародними передачами |
| |товарів військового призначення, затвердженого |
| |постановою Кабінету Міністрів України від |
| |20 листопада 2003 р. N 1807 ( 1807-2003-п ). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.8.*, ** |Заряди, пристрої та компоненти: | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
| ** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт|
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке|
|належить до сфери управління Агентства. |
|----------------------------------------------------------------|
| |a) кумулятивні заряди, у яких: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) чиста маса вибухової речовини | |
| | (NEQ) понад 90 г; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) діаметр зовнішньої оболонки | |
| | дорівнює або більше ніж 75 мм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) лінійні підривні заряди для | |
| | перебиття елементів конструкцій,| |
| | які мають усі наведені нижче | |
| | характеристики, і спеціально | |
| | призначені для них компоненти: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) вміст "вибухової речовини" | |
| | більш ніж 40 г/м; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) завширшки 10 мм або більше; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) детонуючий шнур з вмістом | |
| | "вибухової речовини" більше | |
| | ніж 64 г/м; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) підрівні заряди для перебиття | |
| | елементів конструкції, крім тих,| |
| | що зазначені в позиції 1.A.8.b, | |
| | та розрізувальні інструменти, | |
| | що мають чисту масу вибухової | |
| | речовини (NEQ) більше ніж | |
| | 3,5 кг. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |До зарядів або пристроїв, зазначених у позиції |
| |1.A.8, належать тільки ті, що містять "вибухові |
| |речовини" та їх суміші, зазначені в додатку до |
| |Розділу 1. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |"Кумулятивні заряди" - вибухові заряди, що мають |
|примітка. |таку форму, яка спрямовує силу вибуху. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.A.9. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.10. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.11. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.12. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.13. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.14. |Зарезервовано. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.A.15.*, ** |Спеціальні засоби та вироби, які за| |
| |своїми властивостями можуть бути | |
| |використані у терористичних цілях: | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
| ** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт|
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке|
|належить до сфери управління Агентства. |
|----------------------------------------------------------------|
| |a) піротехнічні вироби у зборі. |3604 90 00 00 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.A.15.a контролю не підлягають:|
| |a) піротехнічні вироби (візуальні сигнальні |
| | засоби), які в обов'язковому порядку повинні |
| | розташовуватись на морському судні відповідно |
| | до пункту 3 правила 6 розділу I глави III, |
| | правила 18 розділу I частини В глави III |
| | Конвенції з охорони людського життя на морі |
| | 1974 року ( 995_251 ) - із змінами і |
| | доповненнями (International Convention |
| | for the Safety of the Life at Sea, 1974 as |
| | amended), глави III, пункту 4.4.8 глави IV, |
| | пункту 7.1 глави VII Міжнародного кодексу |
| | по рятувальним засобам 1996 року |
| | (International Life-saving Appliance Code |
| | 1996) та частини D Міжнародної Конвенції |
| | про Міжнародні правила запобігання зіткненню |
| | суден на морі 1972 року ( 995_137 ) - із |
| | змінами і доповненнями (Convention on the |
| | International Regulations for Preventing |
| | Collisions at Sea, 1972 (COLREGs) as amended); |
| |b) піротехнічні вироби побутового призначення (I, |
| | II, III класів небезпеки згідно з |
| | ДСТУ 4105-2002), загальнодоступні для |
| | громадськості шляхом продажу без обмежень |
| | у пунктах роздрібної торгівлі. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.B.1. |Обладнання для виробництва волокон,| |
|[1B001] |препрегів, преформ, | |
| |"композиційних" матеріалів чи | |
| |виробів, що підлягають контролю | |
| |згідно з позиціями 1.A.2 або | |
| |1.C.10, і спеціально призначені | |
| |"компоненти" до нього та допоміжні | |
| |пристрої: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) машини для намотування волокон, |8446 30 00 00 |
| | у яких переміщення, пов'язані з |з 8448 |
| | позиціюванням, обволіканням і | |
| | намотуванням волокон, | |
| | координуються та програмуються | |
| | за трьома або більше осями, | |
| | спеціально призначені для | |
| | виробництва "композиційних | |
| | матеріалів" або ламінатів з | |
| | "волокнистих або ниткоподібних | |
| | матеріалів"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) машини для укладання стрічки або|8446 30 00 00 |
| | троса, в яких переміщення, |з 8448 |
| | пов'язані з позиціюванням і | |
| | укладанням стрічки, тросів або | |
| | листів, координуються та | |
| | програмуються за двома або | |
| | більше осями, спеціально | |
| | призначені для виробництва | |
| | елементів корпусів бойових ракет| |
| | або каркаса літаків з | |
| | "композиційних матеріалів"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) ткацькі машини або машини для |8446 21 00 00 |
| | плетіння, що діють у різних |з 8448 |
| | вимірах і напрямках, включаючи | |
| | адаптери та пристрої для зміни | |
| | функцій машин, призначених для | |
| | ткацтва або переплетення волокон| |
| | з метою виготовлення | |
| | "композиційних матеріалів". | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.B.1.c контролю не підлягають |
| |текстильні машини, не модифіковані для зазначеного|
| |кінцевого використання. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Зазначена в позиції 1.B.1.c техніка плетіння |
|примітка. |включає в'язання. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |d) обладнання, спеціально | |
| | призначене або пристосоване для | |
| | виробництва зміцнених волокон: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання для перетворення |з 8456, 8466, |
| | полімерних волокон (таких, як |8515 80 91 00 |
| | поліакрилонітрил, віскоза, пек |8515 80 99 00 |
| | або полікарбоксилан) у |8515 90 00 00 |
| | вуглецеві або карбідокремнієві | |
| | волокна, включаючи спеціальне | |
| | обладнання для розтягу волокон | |
| | у процесі нагрівання; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання для осадження парів |8417 80 20 00 |
| | хімічних елементів або складних|з 8417 90 00 |
| | речовин на нагріту ниткоподібну|8417 80 80 00 |
| | підкладку з метою виробництва | |
| | карбідокремнієвих волокон; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) обладнання для виробництва |8445 90 00 00 |
| | термостійкої кераміки методом | |
| | вологого намотування (такої, як| |
| | оксид алюмінію); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) обладнання для перетворення |з 8451 80, |
| | шляхом термооброблення волокон |8451 90 00 00 |
| | алюмініємістких прекурсорів у | |
| | волокна, які містять глинозем; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) обладнання для виробництва |з 8451, |
| | препрегів методом гарячого |з 8477 59 |
| | плавлення, які підлягають | |
| | контролю, згідно з позицією | |
| | 1.C.10.e; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) обладнання для неруйнівного |9022 12 00 00 |
| | контролю, спеціально призначене |9022 13 00 00 |
| | для "композиційних матеріалів": |9022 14 00 00 |
| | |9022 19 00 00 |
| | |9022 29 00 00 |
| | |9022 90 90 00 |
| | |9031 80 39 10 |
| | |9031 80 99 00 |
| | |9031 90 90 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) системи рентгенівської | |
| | томографії для виявлення | |
| | дефектів у трьох вимірах; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) ультразвукові випробувальні | |
| | машини з числовим програмним | |
| | керуванням, в яких рух для | |
| | позиціювання передатчиків або | |
| | приймачів одночасно | |
| | координується та програмується | |
| | за чотирма або більше осями, | |
| | з метою забезпечення слідування| |
| | вздовж тривимірних контурів | |
| | компонента, за яким | |
| | здійснюється контроль. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.B.2. |Обладнання для виробництва | |
|[1B002] |металевих сплавів, порошкоподібних | |
| |металевих сплавів або матеріалів на| |
| |основі сплавів, спеціально | |
| |призначене для уникнення | |
| |забруднення та для використання в | |
| |одному з процесів, включених до | |
| |позиції 1.C.2.c.2. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.B.3. |Робочі інструменти, прес-форми, |8207 30 10 10 |
|[1B003] |форми або пристрої для |8207 30 10 90 |
| |"надпластичного формування" чи | |
| |"дифузійного зварювання" титану або| |
| |алюмінію чи їх сплавів, спеціально | |
| |призначені для виробництва: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) каркасів літаків або | |
| | аерокосмічних конструкцій; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) двигунів "літальних апаратів" чи| |
| | аерокосмічних апаратів; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) "компонентів", спеціально | |
| | призначених для конструкцій, | |
| | зазначених у позиції 1.B.3.a, | |
| | або двигунів, зазначених у | |
| | позиції 1.B.3.b. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.B.4.*, ** |Обладнання, спеціально призначене |з 7309, 00, |
| |для виробництва товарів, що |7310, 8419, |
| |підлягають контролю згідно з |8462, 8464, |
| |позиціями 1.A.7, 1.A.8 та 1.A.15, а|8465, 8474, |
| |також промислових вибухових речовин|8477 |
| |та їх компонентів, зазначених у | |
| |позиції 1.C.13.a. | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за|
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
| ** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт|
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке|
|належить до сфери управління Агентства. |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітка. |Компоненти промислової вибухової речовини - |
| |хімічні сполуки, їх суміші, які входять до складу |
| |рецептури промислової вибухової речовини, а також |
| |хімічні сполуки, їх суміші, з яких утворюється |
| |промислова вибухова речовина на останньому етапі |
| |виготовлення (синтезу), в тому числі безпосередньо|
| |перед її використанням. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Метали і сплави включають необроблені та |
|примітка. |напівфабрикатні форми. |
| |Необроблені форми: |
| |аноди, кулі, стрічки (включаючи рублені та дротяні|
| |смуги), металеві заготовки, блоки, сталеві |
| |болванки, брикети, бруски, катоди, кристали, куби,|
| |стакани, зерна, гранули, зливки, брили, котуни, |
| |чушки, порошок, кільця, дріб, сляби, шматки |
| |металу неправильної форми, губки, прутки; |
| |напівфабрикатні форми (незалежно від того, |
| |облицьовані, анодовані, просвердлені або |
| |перфоровані вони, чи ні): |
| |a) ковані форми або оброблені матеріали, |
| | виготовлені шляхом прокату, волочіння, гарячого|
| | штампування, кування, імпульсного штампування, |
| | пресування, дроблення, розпилення та |
| | розмелювання, а саме: кутики, швелери, кільця, |
| | диски, пил, пластівці, фольга та листи, |
| | поковки, плити, порошок, вироби, оброблені |
| | пресуванням або штампуванням, стрічки, фланці, |
| | прути (включаючи зварні брускові прутки, |
| | дротяні прути та прокатаний дріт), профілі, |
| | форми, листи, смужки, труби і трубки |
| | (включаючи трубні кільця, трубні прямокутники |
| | та пустотілі трубки), витягнений або |
| | екструдований дріт; |
| |b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом лиття в |
| | піщано-глинисті форми, кокіль, металеві, |
| | пластикові або інші види прес-форм, включаючи |
| | лиття під високим тиском, оболонкові форми та |
| | форми, виготовлені методом порошкової |
| | металургії. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Мета контролю не повинна порушуватися під час |
| |експорту форм як закінчених виробів, не зазначених|
| |у цьому Списку, але які фактично є необробленими |
| |або напівфабрикатними формами, що підлягають |
| |контролю. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.1. |Матеріали, спеціально призначені | |
|[1C001] |для поглинання електромагнітних | |
| |хвиль, або полімери з власною | |
| |електропровідністю: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) матеріали для поглинання хвиль |з 3910 00 00 |
| | 8 |з 3920 |
| | на частотах понад 2 х 10 Гц, |з 3921 |
| | 12 | |
| | але менш як 3 х 10 Гц; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 1.C.1.a контролю не підлягають: |
| |a) абсорбери волосяного типу, виготовлені з |
| | натуральних або синтетичних волокон, з |
| | немагнітним наповненням для абсорбції; |
| |b) абсорбери, що не мають магнітних втрат, робоча |
| | поверхня яких не є плоскою, включаючи піраміди,|
| | конуси, клини та спіралеподібні поверхні; |
| |c) плоскі абсорбери, які мають усі наведені нижче |
| | характеристики: |
| | 1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче |
| | матеріалу: |
| | a) пінопластичних матеріалів (гнучких або |
| | негнучких) з вуглецевим наповненням або |
| | органічних матеріалів, включаючи в'язкі |
| | домішки, які забезпечують понад 5% відбиття |
| | порівняно з металом уздовж ширини смуги, що |
| | перевищує середню частоту падаючої енергії на|
| | 15%, та не здатні протистояти температурі |
| | понад 450 K (177 град.C); або |
| | b) керамічних матеріалів, які забезпечують понад|
| | 20% відбиття порівняно з металом уздовж |
| | ширини смуги, що перевищує середню частоту |
| | падаючої енергії на 15%, та не здатні |
| | протистояти температурі понад 800 K |
| | (527 град.C). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Зразки для проведення випробувань на поглинання |
|примітка. |згідно з приміткою 1.c.1 до позиції 1.C.1.a |
| |повинні мати форму квадрата із стороною не менш як|
| |п'ять довжин хвиль середньої частоти і |
| |розміщуватися в дальній зоні випромінювального |
| |елемента. |
| | 6 |
| | 2) з міцністю при розтягу менш як 7 х 10 Н/кв.м;|
| | та |
| | 3) з міцністю на стиснення менш як |
| | 6 |
| | 14 х 10 Н/кв. м; |
| |d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого |
| | фериту, що мають: |
| | 1) питому вагу понад 4,4; та |
| | 2) максимальну робочу температуру 548 K |
| | (275 град.C). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Примітка 1 не звільняє з-під контролю магнітні |
| |матеріали, що забезпечують поглинання хвиль, у |
| |разі коли вони містяться у фарбах. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) матеріали для поглинання хвиль |з 3920 |
| | 14 |з 3921 |
| | на частотах понад 1,5 х 10 Гц,|з 3910 00 00 |
| | 14 | |
| | але менш як 3,7 х 10 Гц і | |
| | непрозорі для видимого світла; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) електропровідні полімерні | |
| | матеріали з об'ємною | |
| | електропровідністю понад 10000 | |
| | сіменс/м або поверхневим питомим| |
| | опором менш як 100 Ом/кв.м, | |
| | вироблені на основі одного з | |
| | наведених нижче полімера: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) поліаніліну; |3909 30 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) поліпіролу; |3911 90 91 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) політіофену; |3911 90 93 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) поліфенілен-вінілену; або |3911 90 99 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 5) політіенілен-вінілену. |3919 90 90 90 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Об'ємна електропровідність та поверхневий питомий |
|примітка. |опір визначаються відповідно до стандартної |
| |методики ASTM D-257 або її національного |
| |еквівалента. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.2. |Металеві сплави, порошки металевих | |
|[1C002] |сплавів та сплавлені матеріали: | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.2 контролю не підлягають |
| |металеві сплави, порошки металевих сплавів або |
| |сплавлені матеріали, призначені для ґрунтувальних |
| |покриттів. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |1. Металеві сплави, зазначені у позиції 1.C.2, |
|примітка. | мають назву тих металів, ваговий відсоток яких |
| | більший, ніж інших елементів, що входять до |
| | складу сплаву. |
| |2. Строк експлуатації до руйнування (межу тривалої|
| | міцності) потрібно визначати відповідно до |
| | стандартної методики ASTM E-139 або її |
| | національного еквівалента. |
| |3. Показник циклової втоми необхідно визначати |
| | відповідно до стандартної методики ASTM E-606 |
| | "Рекомендація з тестування на циклову втому при|
| | постійній амплітуді" або її національного |
| | еквівалента. Тестування потрібно проводити за |
| | напрямком осі при середньому значенні показника|
| | напруги, що дорівнює одиниці, та коефіцієнті |
| | концентрації напруги (Kt), що дорівнює одиниці.|
| | Середня напруга дорівнює різниці максимальної |
| | та мінімальної напруги, поділеній на |
| | максимальну напругу. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |a) алюмініди: |7502 20 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) нікелеві алюмініди, що містять | |
| | як мінімум 15 вагових %, як | |
| | максимум 38 вагових % алюмінію | |
| | та принаймні один додатковий | |
| | легуючий елемент; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) титанові алюмініди, що містять |8108 10 10 90 |
| | 10 або більше вагових % | |
| | алюмінію та принаймні один | |
| | додатковий легуючий елемент; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) металеві сплави, вироблені з | |
| | матеріалів, які підлягають | |
| | контролю згідно з позицією | |
| | 1.C.2.c: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) нікелеві сплави із: |7502 20 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) строком експлуатації до | |
| | руйнування 10000 годин або | |
| | більше з навантаженням 676 МПа| |
| | при температурі 923 K | |
| | (650 град.C); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) низьким показником циклової | |
| | втоми 10000 циклів | |
| | випробувань або більше з | |
| | навантаженням 1095 МПа при | |
| | температурі 823 K | |
| | (550 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) ніобієві сплави із: |8112 91 31 00 |
| | |8112 99 30 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) строком експлуатації до | |
| | руйнування 10000 годин або | |
| | більше з навантаженням 400 МПа| |
| | при температурі 1073 K | |
| | (800 град.C); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) низьким показником циклової | |
| | втоми 10000 циклів | |
| | випробувань або більше з | |
| | навантаженням 700 МПа при | |
| | температурі 973 K | |
| | (700 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) титанові сплави із: |8108 10 10 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) строком експлуатації до | |
| | руйнування 10000 годин або | |
| | більше з навантаженням 200 МПа| |
| | при температурі 723 K | |
| | (450 град.C); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) низьким показником циклової | |
| | втоми 10000 циклів випробувань| |
| | або більше з навантаженням | |
| | 400 МПа при температурі 723 K | |
| | (450 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) алюмінієві сплави з межею |з 7601 20 |
| | міцності при розтягу: |7604 29 10 00 |
| | |7608 20 91 00 |
| | |7608 20 99 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) 240 МПа або більше при | |
| | температурі 473 K | |
| | (200 град.C); чи | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) 415 МПа або більше при | |
| | температурі 298 K | |
| | (25 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 5) магнієві сплави з: |з 8104 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) межею міцності при розтягу | |
| | 345 МПа або більше; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) швидкістю корозії менше ніж | |
| | 1 мм на рік у | |
| | 3-відсотковому водному розчині| |
| | хлориду натрію, виміряною | |
| | відповідно до стандартної | |
| | методики ASTM G-31 або її | |
| | національного еквівалента; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) порошки металевих сплавів або | |
| | частинки матеріалів, які мають | |
| | усі наведені нижче | |
| | характеристики: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) виготовлені з будь-якої | |
| | наведеної нижче композиції: | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |X відповідає одному або більше легуючим елементам,|
|примітка. |що входять до складу сплаву. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| | a) нікелевих сплавів (Ni-Al-X, |7504 00 00 00 |
| | Ni-X-Al), призначених для | |
| | використання у складі частин | |
| | чи "компонентів" газотурбінних| |
| | двигунів, тобто менше ніж з | |
| | трьома неметалевими частками | |
| | (введеними у процесі | |
| | виготовлення), більшими ніж | |
| | 9 | |
| | 100 мкм в 10 частках | |
| | сплаву; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) ніобієвих сплавів (Nb-Al-X або|8112 91 31 00 |
| | Nb-X-Al, Nb-Si-X або Nb-X-Si, |8112 99 30 00 |
| | Nb-Ti-X або Nb-X-Ti); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) титанових сплавів (Ti-Al-X |8108 10 10 20 |
| | або Ti-X-Al); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) алюмінієвих сплавів (Al-Mg-X |з 7603 |
| | або Al-X-Mg, Al-Zn-X або | |
| | Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe);| |
| | або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | e) магнієвих сплавів (Mg-Al-X або|8104 30 00 00 |
| | Mg-X-Al); та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) виготовлені у контрольованому | |
| | середовищі за допомогою будь- | |
| | якого з наведених нижче | |
| | процесів: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) "вакуумного розпилення"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) "газового розпилення"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) "відцентрового розпилення"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) "охолодження розбризкуванням";| |
| |-----------------------------------+--------------|
| | e) "прядіння з розплаву" та | |
| | "здрібнювання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | f) "витягання з розплаву" та | |
| | "подрібнення"; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | g) "механічного легування"; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) придатні до формування | |
| | матеріалів, що підлягають | |
| | контролю згідно з позиціями | |
| | 1.C.2.а або 1.C.2.b; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) сплавлені матеріали, які мають |7504 00 00 00 |
| | усі наведені нижче |7505 12 00 00 |
| | характеристики: |7603 20 00 00 |
| | |7604 29 10 00 |
| | |з 8104, |
| | |8108, 8112 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) виготовлені з будь-яких | |
| | композиційних систем, | |
| | зазначених у позиції 1.C.2.c.1;| |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) мають форму неподрібнених | |
| | гранул, стружки або тонких | |
| | стрижнів; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) виготовлені у контрольованому | |
| | середовищі одним з наведених | |
| | нижче методом: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) "охолодження розбризкуванням";| |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) "прядіння з розплаву"; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) "витягання з розплаву". | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.3. |Магнітні метали всіх типів та будь-| |
|[1C003] |якої форми, що мають будь-яке з | |
| |наведеного нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) початкову відносну магнітну |8505 11 00 00 |
| | проникність 120000 або більше і |8505 19 |
| | завтовшки 0,05 мм або менше; |8505 19 10 00 |
| | |8505 19 90 00 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Вимірювання початкової відносної магнітної |
|примітка. |проникності повинне здійснюватися на повністю |
| |відпалених матеріалах. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) магнітострикційні сплави, які |7206 90 00 00 |
| | мають будь-яку з наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) магнітострикційне насичення | |
| | -4 | |
| | більше ніж 5 х 10 ; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) коефіцієнт магнітомеханічного | |
| | зчеплення більше ніж 0,8; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) аморфну або нанокристалічну |з 7206 |
| | стружку сплаву, яка має: |7504 00 00 00 |
| | |з 8105 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) склад мінімум 75 вагових % | |
| | заліза, кобальту або нікелю; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) магнітну індукцію насичення | |
| | (Bs) - 1,6 Т або більше; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) одну з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) стружка завтовшки 0,02 мм або | |
| | менше; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) питомий електричний опір | |
| | -4 | |
| | 2 х 10 Ом/см або більше. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Нанокристалічні матеріали, зазначені у позиції |
|примітка. |1.C.3.c, - це матеріали, що мають кристалічні |
| |зерна розміром 50 нм або менше і визначаються |
| |дифракцією X-променів. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.4. |Ураново-титанові сплави або |з 2844 10 |
|[1C004] |вольфрамові сплави з "матрицею" на |з 2844 20 |
| |основі заліза, нікелю або міді, які|з 2844 30 |
| |мають: |з 2844 40 |
| | |8108 10 10 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) густину більше ніж | |
| | 17,5 г/куб.см; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) межу пружності більше ніж | |
| | 880 МПа; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) межу міцності на розрив більше | |
| | ніж 1270 МПа; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) відносне подовження понад 8%. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.5. |Провідники з "надпровідних" | |
|[1C005] |"композиційних матеріалів" | |
| |завдовжки понад 100 м або масою | |
| |понад 100 г: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) провідники з "надпровідних" |8112 99 30 00 |
| | "композиційних матеріалів", що |8544 19 90 00 |
| | містять одну або більше | |
| | ніобієво-титанових ниток, які: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) укладені в "матрицю", іншу, ніж| |
| | мідні "матриці" або комбіновані| |
| | "матриці" з мідною основою; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) мають площу поперечного | |
| | перерізу менш як | |
| | -4 | |
| | 0,28 х 10 кв.мм (6 мкм | |
| | у діаметрі з круглим перерізом | |
| | нитки); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) провідники з "надпровідних" |8544 19 90 00 |
| | "композиційних матеріалів", які | |
| | містять одну або більше | |
| | "надпровідних" ниток, що | |
| | виготовлені не з ніобій-титану, | |
| | і мають: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) "критичну температуру" при | |
| | нульовій магнітній індукції | |
| | понад 9,85 K (-263,31 град.C); | |
| | та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) залишаються у "надпровідному" | |
| | стані при температурі 4,2 K | |
| | (-268,96 град.C) у разі | |
| | перебування в магнітному полі, | |
| | яке зорієнтовано у будь-якому | |
| | напрямку, перпендикулярному | |
| | поздовжній вісі провідника, та | |
| | відповідає магнітній індукції | |
| | 12 Т, з критичною щільністю | |
| | струму у найбільшому | |
| | поперечному перерізі провідника| |
| | понад 1750 А/кв.мм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) провідники з "надпровідних" | |
| | "композиційних матеріалів", які | |
| | містять "надпровідні" нитки, що | |
| | залишаються у "надпровідному" | |
| | стані при температурі понад | |
| | 115 K (-158,16 град.C). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Нитки, зазначені у позиції 1C005, можуть мати |
|примітка. |форму дроту, циліндра, плівки, стрічки або смужки.|
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.6. |Рідини та мастильні матеріали: | |
|[1C006] |-----------------------------------+--------------|
| |a) гідравлічні рідини, що містять | |
| | як основні складові компоненти | |
| | будь-які з наведених нижче | |
| | речовин або матеріалів: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) синтетичні кремнієво- | |
| | вуглеводні мастила, які | |
| | мають все з наведеного | |
| | нижче: | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|Технічна |Для матеріалів, зазначених у |з 3404 |
|примітка. |позиції 1.C.6.a.1, кремнієво- |3819 00 00 |
| |вуглеводні мастила містять виключно| |
| |кремній, водень та вуглець. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
| | a) температуру займання понад | |
| | 477 K (204 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) температуру застигання 239 K | |
| | (-34 град.C) або менше; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) коефіцієнт в'язкості 75 або | |
| | більше; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) термостабільність при 616 K | |
| | (343 град.C); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) хлорфторвуглецеві матеріали, у | |
| | яких: | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|Технічна |Для матеріалів, зазначених у |з 2812 |
|примітка. |позиції 1.C.6.a.2, хлорфторвуглеці |з 2826 |
| |містять виключно хлор, фтор і |3824 71 00 00 |
| |вуглець. |3824 90 95 00 |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
| | a) відсутня температура займання;| |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) температура самозаймання понад| |
| | 977 K (704 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) температура застигання 219 K | |
| | (-54 град.C) або менше; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) коефіцієнт в'язкості 80 або | |
| | більше; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | e) температура кипіння 473 K | |
| | (200 град.C) або вище. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Для матеріалів, наведених у позиції 1.C.6.a: |
|примітка. | 1) температура займання визначається за методом |
| | Клівлендської відкритої чаші, описаним у |
| | стандартній методиці ASTM D-92 або в її |
| | національному еквіваленті; |
| | 2) температура застигання визначається за |
| | методом, описаним в стандартній методиці |
| | ASTM D-97 або в її національному еквіваленті; |
| | 3) коефіцієнт в'язкості визначається за методом, |
| | описаним в стандартній методиці ASTM D-2270 |
| | або в її національному еквіваленті; |
| | 4) термостабільність визначається за методикою |
| | випробувань або в її національному |
| | еквіваленті. |
| | 20 мл випробуваної рідини заливають у камеру |
| | об'ємом 46 мл з нержавіючої сталі марки 317, |
| | що містить шари номінальним діаметром 12,5 мм |
| | з інструментальної сталі марки M-10, сталі |
| | марки 52100 та корабельної бронзи (60% Cu, |
| | 39% Zn, 0,75% Sn). |
| | Камера, продута азотом, загерметизована під |
| | тиском, що дорівнює атмосферному, при |
| | температурі, підвищеній до 644 +- 6 K |
| | (371 +- 6 град.C) і витриманій на цьому рівні |
| | 6 годин. |
| | Зразок вважається термостабільним, якщо після |
| | закінчення зазначеної процедури виконуються |
| | такі умови: |
| | a) втрата ваги кожного шару менш як 10 мг/кв.мм |
| | його поверхні; |
| | b) зміна початкової в'язкості, визначеної при |
| | 311 K (38 град.C), менш як 25%; |
| | c) загальне число кислотності або основності |
| | менш як 0,40; |
| | 5) температура самозаймання визначається за |
| | методом, описаним у стандартній методиці |
| | ASTM E-659 або в її національному еквіваленті.|
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) мастильні матеріали, що містять | |
| |як основну складову будь-яку з | |
| |наведених нижче речовин або | |
| |матеріалів: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) феніленові або алкілфеніленові | |
| | ефіри, тіоефіри або їх суміші, | |
| | які містять більше ніж дві | |
| | ефірні або тіоефірні функції | |
| | або їх суміші; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) фторовані рідини, що містять |з 3403 |
| | кремній і мають кінематичну | |
| | в'язкість менш як 5000 кв.мм/с | |
| | (5000 сантистоксів) при | |
| | температурі 298 K | |
| | (25 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) зволожувальні або флотаційні |2909 30 90 00 |
| | рідини з показником чистоти |2930 90 30 00 |
| | понад 99,8%, які містять менш |3824 90 95 00 |
| | як 25 частинок розміром | |
| | 200 мкм і більше на 100 мл | |
| | об'єму і виготовлені принаймні | |
| | на 85% з будь-яких наведених | |
| | нижче речовин або матеріалів: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) дібромтетрафторетану; |3824 90 95 00 |
| | |з 3910 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) поліхлортрифторетилену (лише | |
| | маслянисті та воскоподібні | |
| | модифікації); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) полібромтрифторетилену; |2903 46 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) фторвуглецеві охолодні рідини |3904 69 10 00 |
| | для електроніки, що мають усі |3904 69 90 00 |
| | наведені нижче характеристики: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) містять 85 вагових % або більше|3904 69 10 00 |
| | однієї з наведених нижче |3904 69 90 00 |
| | речовин чи суміші з них: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) мономерні форми |3824 90 95 00 |
| | перфторполіалкілефір- | |
| | тріазинів або | |
| | перфтораліфатичних ефірів; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) перфторалкіламіни; |з 2909 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) перфторциклоалкани; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) перфторалкани; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) густина 1,5 г/мл або більше при| |
| | температурі 298 K | |
| | (25 град.C); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) рідкий стан при температурі | |
| | 273 K (0 град.C); та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |4) містять 60 вагових % або більше | |
| |фтору. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.7. |Матеріали на керамічній основі, | |
|[1C007] |керамічні некомпозиційні | |
| |матеріали, матеріали типу | |
| |"композит" з керамічною "матрицею",| |
| |а також прекурсори: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) основні матеріали з простих або |2850 00 90 00 |
| | складних боридів титану, які | |
| | містять металеві домішки, крім | |
| | навмисних домішок, на рівні менш| |
| | як 5000 частинок на мільйон при | |
| | середньому розмірі частинки, що | |
| | дорівнює або менший ніж 5 мкм, | |
| | при цьому не більше ніж 10% | |
| | частинок розміром понад 10 мкм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) керамічні некомпозиційні |2850 00 90 00 |
| | матеріали у необробленій формі | |
| | або у формі напівфабрикатів на | |
| | основі боридів титану з густиною| |
| | 98% або більше теоретичної | |
| | густини; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.7.b контролю не підлягають |
| |абразиви. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) "композиційні матеріали" типу |з 2849, |
| | кераміка-кераміка із скляною або|з 2850 00, |
| | оксидною "матрицею" та армовані |8803 90 10 00 |
| | волокнами, які: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) виготовлені з будь-якого |з 9306 90 |
| | наведеного нижче | |
| | матеріалу: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) Si-N | |
| | b) Si-C | |
| | c) Si-Al-O-N або | |
| | d) Si-O-N та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) мають питому межу міцності при | |
| | 3 | |
| | розтягу понад 12,7 х 10 м. | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) "композиційні матеріали" типу |8803 90 10 00 |
| | кераміка-кераміка з однорідної |з 9306 90 |
| | металевої фази або без неї, що | |
| | включає частинки, вуса | |
| | (ниткоподібні монокристали) або | |
| | волокна, в яких "матриця" | |
| | сформована з карбідів або | |
| | нітридів кремнію, цирконію | |
| | або бору; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) прекурсори (тобто полімерні або |з 3910 00 00 |
| | металоорганічні спеціального | |
| | призначення) для виробництва | |
| | будь-якої фази або фаз | |
| | матеріалів, що підлягають | |
| | контролю відповідно до | |
| | позиції 1.C.7.c: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) полідіорганосилани (для | |
| | виробництва карбіду кремнію); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) полісилазани (для виробництва | |
| | нітриду кремнію); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) полікарбосилазани (для | |
| | виробництва кераміки з | |
| | кремнієвими, вуглецевими та | |
| | азотними компонентами); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) "композиційні матеріали" типу |з 6903, |
| | кераміка-кераміка з оксидною або|6914 90 90 00 |
| | скляною "матрицею", армованою | |
| | однорідними волокнами будь-якої | |
| | з наведених нижче систем: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) Al O ; або | |
| | 2 3 | |
| | 2) Si-C-N. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.7.f контролю не підлягають |
| |"композиційні матеріали", що мають волокна з таких|
| |систем з межею міцності при розтягу менш як |
| |700 МПа при 1273 K (1000 град.C) або опору |
| |повзучості розриву волокон понад 1% напруги |
| |повзучості при навантаженні 100 МПа |
| |та 1273 K (1000 град.C) протягом 100 годин. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.8. |Нефторовані полімерні речовини: | |
|[1C008] | | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.8.a. |1) бісмалеіміди; |2925 19 30 00 |
| |-----------------------------------|2925 19 80 00 |
| |2) ароматичні поліамідіміди; |3908 90 00 00 |
| |-----------------------------------|3909 30 00 00 |
| |3) ароматичні полііміди; |3907 20 91 00 |
| |-----------------------------------|3907 91 90 00 |
| |4) ароматичні поліефіріміди, які | |
| |мають температуру переходу в | |
| |склоподібний стан (Tg) понад 513 K | |
| |(240 град.C). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.8.a контролю підлягають |
| |речовини у рідкій або твердій "плавкій" формі, у |
| |тому числі у формі смоли, порошку, котуна, плівки,|
| |листа, стрічки або смужки. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо виробів з неплавкого ароматичного полііміду, |
|примітка. |які мають форму плівки, листа, стрічки або смужки |
| |див. позицію 1.A.3. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.8.b. |Термопластичні рідкокристалічні | |
| |сополімери, які мають температуру | |
| |теплової деформації понад 523 K | |
| |(250 град.C), виміряну відповідно | |
| |до стандартної методики ISO 75-2 | |
| |(2004) або її національного | |
| |еквівалента, під час навантаження | |
| |1,80 Н/кв.мм, і утворені | |
| |сполученням: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) будь-яким з наведених нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) фенілену, біфенілену або |3907 91 90 00 |
| | нафталену; або | |
| | b) метилу, третинного бутилу або | |
| | феніл-заміщеного фенілену, | |
| | біфенілену або нафталену; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) будь-якою з наведених нижче | |
| | кислот: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) терефталевою; | |
| | b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або | |
| | c) 4-гідроксибензойною. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.8.c. |Виключено; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.8.d. |Поліариленові кетони; |з 3907 99 |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.8.e. |Поліариленові сульфіди, в яких |з 3911 90 |
| |ариленова група є біфеніленом, | |
| |трифеніленом, або їх комбінацією; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.8.f. |Полібіфеніленефірсульфон, який має |з 3911 90 |
| |температуру переходу до | |
| |склоподібного стану (Tg) понад | |
| |513 K (240 град.C). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Температура переходу до склоподібного стану (Tg) |
|примітка. |для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.8, |
| |визначається за методом, описаним у стандарті |
| |ISO 11357-2 (1999) або його національному |
| |еквіваленті. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.9. |Необроблені сполуки, що містять | |
|[1C009] |фтор: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) сополімери вініліденфториду, які|3904 69 10 00 |
| | містять 75% або більше бета- |3904 60 90 00 |
| | кристалічної структури, | |
| | одержаної без витягування; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) фтористі поліаміди, які містять |3904 69 10 00 |
| | 10 вагових % або більше |3904 60 90 00 |
| | "зв'язаного" фтору; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) фтористі фосфазинові еластоміри,|3904 69 10 00 |
| | які містять 30 вагових % або |3904 60 90 00 |
| | більше зв'язаного фтору. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.10. |"Волокнисті або ниткоподібні | |
|[1C010] |матеріали", що можуть бути | |
| |використані в органічних | |
| |"матрицях", металевих "матрицях" | |
| |або вуглецевих "матрицях", | |
| |"композиційних" або багатошарових | |
| |структурах: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) органічні "волокнисті або |з 3916 |
| | ниткоподібні матеріали", у яких:|з 3926 |
| | |6815 10 10 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) питомий модуль пружності понад | |
| | 6 | |
| | 12,7 х 10 м; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) питома межа міцності при | |
| | розтягу понад | |
| | 4 | |
| | 23,5 х 10 м. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.a контролю не підлягає |
| |поліетилен. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) вуглецеві "волокнисті або |з 3801 |
| | ниткоподібні матеріали", у яких:|з 3916 |
| | |з 3926 |
| | |6815 10 10 00 |
| | |6903 10 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) питомий модуль пружності понад | |
| | 6 | |
| | 12,7 х 10 м; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) питома межа міцності при | |
| | 4 | |
| | розтягу понад 23,5 х 10 м. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.b контролю не підлягають |
| |тканини, виготовлені з "волокнистих або |
| |ниткоподібних матеріалів" для ремонту структур або|
| |ламінатів "цивільних літальних апаратів", розмір |
| |окремих листів яких не перевищує 100 х 100 см. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Властивості матеріалів, зазначених у позиції |
|примітка. |1.C.10.b, повинні визначатися за методами |
| |SRM 12-17, рекомендованими Асоціацією |
| |постачальників перспективних "композиційних |
| |матеріалів" (SACMA), ISO 10618 (2004) 10.2.1 |
| |Метод А або їх національними еквівалентами |
| |випробувань на розтяг та базуються на |
| |середній якості партії. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) неорганічні "волокнисті або |з 3926 |
| | ниткоподібні матеріали", у яких:|6815 10 10 00 |
| | |8101 92 00 00 |
| | |8108 90 30 00 |
| | |8108 90 70 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) питомий модуль пружності понад | |
| | 6 | |
| | 2,54 х 10 м; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) температура плавлення, | |
| | розм'якшування, розкладу або | |
| | сублімації понад 1922 K | |
| | (1649 град.C) в інертному | |
| | середовищі. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.10.c контролю не підлягають:|
| |a) дискретні, багатофазні, полікристалічні волокна|
| |оксиду алюмінію у вигляді переривного волокна або |
| |в довільній сплутаній формі, що мають 3 або більше|
| |вагових % діоксиду кремнію з питомим модулем |
| | 6 |
| |пружності менш як 10 х 10 м; |
| |b) волокна молібденові або з молібденових сплавів;|
| |c) волокна на основі бору; |
| |d) дискретні керамічні волокна з температурою |
| |плавлення, розм'якшення, розкладу та сублімації |
| |нижче 2043 K (1770 град.C) в інертному середовищі.|
|-------------+--------------------------------------------------|
| |d) "волокнисті або ниткоподібні |з 3926 |
| | матеріали": |5402 49 99 00 |
| | |5501 90 10 00 |
| | |5501 90 90 00 |
| | |5503 90 90 00 |
| | |6815 10 10 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) які мають будь-яку з наведених | |
| | нижче складових: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | а) поліефіріміди, що підлягають | |
| | контролю згідно з позицією | |
| | 1.C.8.a; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) матеріали, що підлягають | |
| | контролю згідно з позиціями | |
| | 1.C.8.b - 1.C.8.f; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) до складу яких входять | |
| | матеріали, що підлягають | |
| | контролю згідно з позиціями | |
| | 1.C.10.d.1.a або 1.C.10.d.1.b, | |
| | та "сплутані" з іншими | |
| | волокнами, що підлягають | |
| | контролю згідно з позиціями | |
| | 1.C.10.a, 1.C.10.b або | |
| | 1.C.10.c; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) волокна, насичені смолою або |6815 10 10 00 |
| | пеком (препреги), металеві або |6815 99 90 00 |
| | покриті вуглецем волокна |6903 10 00 00 |
| | ("преформи") або "преформи |з 7019 11 00 |
| | вуглецевого волокна": |з 7019 10 |
| | |з 7019 20 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) виготовлені з "волокнистих або | |
| | ниткоподібних матеріалів", що | |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b | |
| | або 1.C.10.c; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) виготовлені з органічних або | |
| | вуглецевих "волокнистих або | |
| | ниткоподібних матеріалів": | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | а) з питомою межею міцності при | |
| | 4 | |
| | розтягу понад 17,7 х 10 м; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) з питомим модулем пружності | |
| | 6 | |
| | понад 10,15 х 10 м; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) не підлягають контролю згідно | |
| | з позиціями 1.C.10.а або | |
| | 1.C.10.b; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) насичені матеріалами, що |з 3916 |
| | підлягають контролю згідно з |6815 10 10 00 |
| | позиціями 1.C.8 або 1.C.9.b, | |
| | і мають температуру переходу | |
| | до склоподібного стану (Tg) | |
| | понад 383 K (110 град.C), або | |
| | з фенольною чи епоксидною | |
| | смолами, які мають Tg, що | |
| | дорівнює або перевищує 418 K | |
| | (145 град.C). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітки. |Згідно з позицією 1.C.10.e контролю не підлягають:|
| |1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні |
| |матеріали", імпрегновані у "матрицю" з епоксидної |
| |смоли (препреги) для ремонту структур або |
| |ламінатів "цивільних літальних апаратів", у яких |
| |розмір окремих листів препрега не перевищує |
| |100 х 100 см; |
| |2) препреги, насичені фенольною або епоксидною |
| |смолами, які мають Tg менш як 433 K (160 град.C) |
| |та температуру переходу до склоподібного стану |
| |нижче Tg. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Температура переходу до склоподібного стану (Tg) |
|примітка. |для матеріалів, що підлягають контролю згідно з |
| |позицією 1.C.10.e, визначається за методом, |
| |описаним в ASTM D 3418, із застосуванням сухого |
| |методу. Tg для фенольних та епоксидних смол |
| |визначається за методом, описаним в ASTM D 4065, |
| |при частоті 1 Гц та швидкості нагрівання 2 K |
| |(град.C) за хвилину із застосуванням сухого |
| |методу. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.11. |Метали та сполуки: | |
|[1C011] |-----------------------------------+--------------|
| |a) метали з розміром частинок менш |8104 30 00 00 |
| | як 60 мкм, які мають сферичну, |8109 10 10 00 |
| | розпилену, сфероїдальну, | |
| | розшаровану або молоту форму, | |
| | виготовлені з матеріалу, що на | |
| | 99% або більше складається з | |
| | цирконію, магнію або сплавів | |
| | з них; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, |
| |підлягають контролю згідно з цією позицією |
| |незалежно від того, чи ці метали або сплави |
| |інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або |
| |берилій, чи ні. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Природний вміст гафнію в цирконії (типово від 2 |
|примітка. |до 7%) підраховується з урахуванням цирконію. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) бор або карбід бору чистотою 85%|2804 50 10 00 |
| | або вище та розміром частинок |2849 90 10 00 |
| | 60 мкм або менше; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, |
| |підлягають контролю згідно з цією позицією |
| |незалежно від того, чи ці метали або сплави |
| |інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або |
| |берилій, чи ні. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) нітрат гуанідину; |2925 20 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) нітрогуанідин (NQ) |2929 90 00 00 |
| | (CAS 556-88-7). | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.12.* |Матеріали: | |
|[1C012] | | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за |
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|----------------------------------------------------------------|
|Технічна |Такі матеріали типово використовуються для ядерних|
|примітка. |джерел теплоти. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |a) плутоній у будь-якому вигляді з |2844 20 51 00 |
| | вмістом ізотопу плутонію-238, що|2844 20 59 00 |
| | більше ніж 50 вагових %; |2844 20 81 00 |
| | |2844 20 89 00 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.а контролю не підлягають:|
| | 1) передача одного грама або менше плутонію; |
| | 2) передача трьох або менше "ефективних грамів", |
| | що використовуються як чутливі елементи у |
| | приладах. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) "попередньо розподілений" |з 2844 40 |
| | нептуній-237 у будь-якому | |
| | вигляді. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.C.12.b контролю не підлягає |
| |передача одного грама або менше нептунію-237. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.C.13.* |Матеріали, які за своїми | |
| |властивостями можуть бути | |
| |використані у терористичних цілях: | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за |
|дозволом (висновком) Держекспортконтролю. |
|----------------------------------------------------------------|
|1.C.13.a.** |Промислові вибухові речовини та їх | |
| |компоненти, у тому числі: | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| ** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт|
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке|
|належить до сфери управління Агентства. |
|----------------------------------------------------------------|
| |1) азиди металів, а також вибухові |2850 00 50 00 |
| |речовини або капсульні композиції, |3602 00 00 00 |
| |що містять азиди чи комплекси |3603 00 10 00 |
| |азидів; |3603 00 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |2) азотна кислота з концентрацією |2808 00 00 00 |
| |більше ніж 95%; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |3) гексанітродифеніламін; |2921 44 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |4) діетилдифенілсечовина, |2924 10 00 00 |
| |диметилдифенілсечовина, | |
| |метилетилдифенілсечовина | |
| |(централіти); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |5) діоктилмалеат; |2917 19 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |6) димний (чорний) порох; |3601 00 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |7) динітропропанол; |2905 50 10 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |8) дифторамін; |2826 19 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |9) етилендіаміндинітрат (EDDN); |2921 21 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |10) етил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |етилдифенілсечовина); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |11) емульсійні вибухові речовини, |3602 00 00 00 |
| |виготовлені з водних розчинів | |
| |нітратів лужних металів, | |
| |емульсованих у мінеральних оліях; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |12) мисливські та інші порохи, що |3601 00 00 00 |
| |мають сталу швидкість горіння понад| |
| |38 мм/с за нормальних умов (тиск | |
| |6,89 МПа, температура 294 K | |
| |(21 град.C), включаючи | |
| |нітроцелюлозні порохи, | |
| |в тому числі двоосновні; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |13) метил-N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |етилдифенілсечовина); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |14) нітрат калію; |2834 21 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |15) нітрогліцерин (або |2905 50 99 00 |
| |гліцеринтринітрат, | |
| |тринітрогліцерин); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |16) нітрокрохмаль; |3505 10 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |17) нітроцелюлоза; |3912 20 19 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |18) пентаеритриттетранітрат |2920 90 85 00 |
| |(PETN); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |19) пероксид водню з концентрацією |2847 00 00 00 |
| |більше ніж 85%; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |20) перхлорати та хлорати металів |з 2829 |
| |(без амонію); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |21) пікрат амонію; |2908 90 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |22) пікрат калію; |2908 90 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |23) N-піролідинон; 1-метил-2- |2933 90 95 00 |
| |піролідинон; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |24) N,N-дифенілсечовина |2924 10 00 00 |
| |(несиметрична | |
| |метилдифенілсечовина); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |25) стифнати металів; |2908 90 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |26) тетранітронафталін; |2904 20 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |27) триетилалюміній (ТЕА), |2931 00 95 30 |
| |триметилалюміній (ТМА) та інші |2931 00 95 90 |
| |пірофорні алкілові та арилові |з 3606 90 |
| |похідні літію, натрію, магнію, | |
| |цинку і бору; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |28) триетиленглікольдинітрат |2909 19 00 90 |
| |(TEGDN); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |29) тринітроанізол; |2904 20 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |30) тринітроксилол; |2904 20 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |31) тринітронафталін; |2904 20 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |32) тринітрофенол (пікринова |2908 90 00 00 |
| |кислота); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |33) 2,4,6-тринітрорезорцин |2908 90 00 00 |
| |(стифнінова кислота); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |34) 2,4,6-тринітротолуол (TNT); |2904 20 10 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |35) 2-нітродифеніламін (2-NDPA); |2921 44 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |36) 4-нітродифеніламін (4-NDPA); |2921 44 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |37) хлортрифторид. |2812 90 00 00 |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.13.b. |Токсичні хімічні речовини та | |
| |сполуки: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |1) акролеїн (альдегід акрилової |2912 19 00 00 |
| |кислоти) (CAS 107-02-8); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |2) арсин (миш'яковистий водень) |2850 00 10 00 |
| |(CAS 7784-42-1); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |3) бромацетофенон (CAS 70-11-1); |2914 70 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |4) бромацетон (CAS 598-31-2); |2914 70 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |5) бромціан (CAS 506-68-3); |2851 00 80 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |6) бензилбромід (CAS 100-39-0); |2903 69 90 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |7) бензилйодид (CAS 620-05-3); |2903 69 90 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |8) брометилетилкетон |2914 70 90 00 |
| |(CAS 816-40-0); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |9) бутилтрифторсилан; |2931 00 95 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |10) дигідрофенарсазинхлорид |2931 00 95 90 |
| |(адамсит) (CAS 578-94-8); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |11) дифенілхлорарсин |2931 00 95 90 |
| |(CAS 712-48-1); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |12) дифенілціанарсин; |2931 00 95 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |13) етилбромацетат (CAS 105-36-2); |2915 90 80 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |14) етилйодацетат (CAS 623-48-3); |2915 90 80 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |15) йодацетон (CAS 3019-04-3); |2914 70 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |16) ксилілбромід (CAS 89-92-9; |2903 69 90 90 |
| |620-13-3; 104-81-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |17) кротоновий альдегід |2912 29 00 00 |
| |(CAS 123-73-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |18) пропілтрифторсилан; |2931 00 95 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |19) трихлортриетиламін |2921 19 80 00 |
| |(CAS 817-09-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |20) трихлорметилхлорформіат |2915 90 20 00 |
| |(дифосген) (CAS 503-38-8); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |21) хлор (CAS 7782-50-5); |2801 10 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |22) хлорангідрид метан |2904 90 20 00 |
| |сульфокислоти (CAS 124-63-0); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |23) хлорангідрид бензойної кислоти |2916 39 00 90 |
| |(CAS 98-88-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |24) хлорангідрид 2-фуранової |2932 99 90 00 |
| |кислоти (CAS 527-69-5); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |25) хлорацетон (CAS 78-95-5); |2914 70 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |26) хлорацетофенон (CAS 532-27-4); |2914 70 90 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |27) фосфін (фосфористий водень) |2850 00 10 00 |
| |(CAS 7803-51-2); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |28) 2-бромбензилціанід |2929 90 99 90 |
| |(CAS 19472-74-3); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |29) 3-бромбензилціанід |2929 90 99 90 |
| |(CAS 31938-07-5); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |30) 4-бромбензилціанід |2929 90 99 90 |
| |(CAS 16532-79-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |31) 8-метил-N-ванілін-6-ноненамід |2939 90 90 00 |
| |(капсацин) (CAS 404-86-4). | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.C.13.c.* |Будь-які окремі чи у складі інших |з 2844, 2845 |
| |виробів джерела іонізуючого | |
| |випромінювання з періодом | |
| |напіврозпаду більше ніж 5 років, | |
| |які мають активність більше ніж | |
| | 12 | |
| |3,7 х 10 Бк. | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт|
|(тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до|
|Держекспортконтролю подається позитивний висновок|
|Держатомрегулювання. |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітка. |Імпорт та тимчасове ввезення товарів, які |
| |визначені в позиції 1.C.13.c, здійснюються за |
| |дозволами Держекспортконтролю, які надаються за |
| |наявності позитивних висновків Держатомрегулювання|
| |щодо дотримання імпортером вимог, передбачених для|
| |ввезення заявлених товарів на територію України. |
| |Вимоги визначаються Держатомрегулювання в |
| |установленому порядку. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.D. |1) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| |спеціально призначене або |з 8471 70 |
| |модифіковане для "розроблення", | |
| |"виробництва" або "використання" | |
| |обладнання, що підлягає контролю | |
| |згідно з позицією 1.b; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|[1D001] |2) "програмне забезпечення" для |з 8524 |
| |"розроблення" "композиційних" або |з 8471 70 |
| |багатошарових структур з органічною| |
| |"матрицею", металевою "матрицею" | |
| |або вуглецевою "матрицею"; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|[1D002] |3) "програмне забезпечення", | |
| |спеціально призначене або | |
| |модифіковане для забезпечення | |
| |виконання обладнанням функцій | |
| |обладнання, яке підлягає контролю | |
| |згідно з позиціями 1.A.4.c та | |
| |1.A.4.d; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|[1D003] |4) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| |спеціально призначене для |з 8471 70 |
| |"розроблення", "виробництва" або | |
| |"використання" промислових | |
| |вибухових речовин та їх | |
| |компонентів, зазначених у позиції | |
| |1.C.13.a. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.E. |ТЕХНОЛОГІЯ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1.E.1.* |"Технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, |
|[1E001] |особливих приміток для |з 3706, 8524, |
| |"розроблення" або "виробництва" |4901 99 00 00 |
| |обладнання чи матеріалів, які |4906 00 00 00 |
| |підлягають контролю згідно з | |
| |позиціями 1.A.1.b, 1.A.1.c, | |
| |1.A.2 - 1.A.5, 1.A.6.b, 1.A.7, 1.B | |
| |або 1.C. | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Імпорт "технології" відповідно до пункту 1 особливих|
|приміток для "розроблення" або "виробництва" матеріалів, які|
|підлягають контролю згідно з позицією 1.C.12, здійснюється|
|за дозволом Держекспортконтролю. |
|----------------------------------------------------------------|
|1.E.2. |Інші "технології", наведені нижче: |з 3705, |
|[1E002] | |з 3706, 8524, |
| | |з 8471 70 |
| | |4901 99 00 00 |
| | |4906 00 00 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) "технологія" для "розроблення" | |
| | або "виробництва" | |
| | полібензотіазолів чи | |
| | полібензоксазолів; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) "технологія" для "розроблення" | |
| | або "виробництва" сполук | |
| | фтореластомірів, що містять | |
| | принаймні один мономер | |
| | вінілефіру; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) "технологія" для "розроблення" | |
| | або "виробництва" матеріалів для| |
| | основ або керамічних матеріалів,| |
| | що не належать до "композиційних| |
| | матеріалів": | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) матеріали основи, що мають | |
| | наведені нижче характеристики: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) будь-яка з наведених нижче | |
| | композицій: | |
| | 1) простих або комплексних | |
| | оксидів цирконію і | |
| | комплексних оксидів | |
| | кремнію або алюмінію; | |
| | 2) простих нітридів бору (з | |
| | кубічними формами кристалів);| |
| | 3) простих або комплексних | |
| | карбідів кремнію або бору; | |
| | або | |
| | 4) простих або комплексних | |
| | нітридів кремнію; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) сумарний вміст металевих | |
| | домішок за винятком тих, | |
| | які вносяться навмисно: | |
| | 1) менш як 1000 частинок на | |
| | мільйон для простих оксидів | |
| | або карбідів; або | |
| | 2) менш як 5000 частинок на | |
| | мільйон для комплексних | |
| | сполук або простих | |
| | нітридів; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) будь-що з наведеного нижче: | |
| | 1) цирконій із середнім розміром| |
| | частинок, що дорівнює або | |
| | менший ніж 1 мкм, при цьому | |
| | не більше ніж 10% частинок | |
| | розміром понад 5 мкм; | |
| | 2) інші матеріали основи із | |
| | середнім розміром частинок, | |
| | що дорівнює або менший ніж | |
| | 5 мкм, при цьому не більше | |
| | ніж 10% частинок розміром | |
| | понад 10 мкм; або | |
| | 3) мають будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| | a) пластинки з відношенням | |
| | довжини до товщини, що | |
| | перевищує 5; | |
| | b) ниткоподібні монокристали з | |
| | відношенням довжини до | |
| | діаметра, що для діаметрів | |
| | менш як 2 мкм перевищує 10; | |
| | та | |
| | c) непереривчасті або дискретні| |
| | волокна діаметром менш | |
| | як 10 мкм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) керамічні некомпозиційні | |
| | матеріали, що складаються | |
| | з матеріалів, зазначених | |
| | у позиції 1.E.2.c.1; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.c.2 контролю не підлягає |
| |технологія розроблення або виробництва абразивів. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |d) "технологія" для "виробництва" | |
| | ароматичних поліамідних волокон;| |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) "технологія" для складання, | |
| | обслуговування та відновлення | |
| | матеріалів, що підлягають | |
| | контролю згідно з позицією | |
| | 1.C.1; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) "технологія" для відновлення | |
| | "композиційних" багатошарових | |
| | структур або матеріалів, які | |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або | |
| | 1.C.7.d; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не підлягає |
| |"технологія" проведення ремонту матеріалів для |
| |"цивільних літальних апаратів", під час якого |
| |використовуються вуглецеві "волокнисті або |
| |ниткоподібні матеріали" та епоксидні смоли, |
| |описані в посібниках виробників авіатехніки. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |g) бібліотеки (параметричні | |
| | технічні бази даних) (parametric| |
| | technical databases), спеціально| |
| | призначені або модифіковані для | |
| | забезпечення виконання | |
| | обладнанням функцій обладнання, | |
| | яке підлягає контролю згідно | |
| | з позицією 1.A.4.c. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |У позиції 1.E.2.g термін "бібліотека" |
|примітка. |(параметрична технічна база даних) означає |
| |сукупність технічної інформації, посилання на яку |
| |може удосконалювати робочі характеристики |
| |відповідного обладнання або систем. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|1.E.3. |"Послуги та роботи" (відповідно до | |
| |особливої примітки щодо послуг та | |
| |робіт) стосовно товарів подвійного | |
| |використання, зазначених у позиціях| |
| |1.A, 1.B, 1.C, 1.D або 1.E. | |
| |--------------------------------------------------|
| | Додаток до позиції 1.A.8 розділу 1|
| |--------------------------------------------------|
| | Список вибухових речовин | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|1) |амінодинітробензофуроксан (ADNBF) |2933 90 95 90 |
| |або 7-аміно-4,6- | |
| |динітробензофуразан-1-оксид | |
| |(CAS 97096-78-1); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2) |цис-біс (5-нітротетразолато) |2829 90 10 00 |
| |тетраамін-кобальт (III) перхлорат | |
| |(BNCP) (CAS 117412-28-9); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|3) |діамінодинітробензофуроксан або |2933 90 95 90 |
| |5,7-діаміно-4,6- | |
| |динітробензофуразан-1-оксид (CL-14)| |
| |(CAS 117907-74-1); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|4) |гексанітрогексаазаізовюрцитан (CAS |2933 90 95 90 |
| |135285-90-4) (CL-20 або HNIW); | |
| |клатрати CL-20; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|5) |2-(5-ціанотетразолато) пентаамін- |2829 90 10 00 |
| |кобальт (III) перхлорат (CP) | |
| |(CAS 70247-32-4); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|6) |1,1-діаміно-2,2-дінітроетилен, | |
| |FOX7 (DADE); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|7) |діамінотринітробензол (DATB) |2929 90 00 00 |
| |(CAS 1630-08-6); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|8) |1,4-динітродифуразанопіперазин | |
| |(DDFP); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|9) |2,6-діаміно-3,5-динітропіразин-1- | |
| |оксид, PZO (DDPO) | |
| |(CAS 194486-77-6); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|10) |3,3'-діаміно-2,2',4,4',6,6'- |2929 90 00 00 |
| |гексанітродифеніл або дипікрамід | |
| |(DIPAM) (CAS 17215-44-0); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|11) |динітрогліколурил (DNGU, DINGU) |2933 90 95 00 |
| |(CAS 55510-04-8) | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|12) |фуразани: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) діаміноазоксифуразан (DAAOF); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) діаміноазофуразан (DAAzF) | |
| |(CAS 78644-90-3); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|13) |HMX та його похідні: |2933 69 80 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) циклотетраметилентетранітрамін | |
| |(CAS 2691-41-0) (HMX); октагідро- | |
| |1,3,5,7-тетранітро-1,3,5,7- | |
| |тетразин, 1,3,5,7-тетранітро- | |
| |1,3,5,7-тетразациклооктан | |
| |(октоген); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) дифтораміновані аналоги HMX; |2933 90 95 90 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) 2,4,6,8-тетранітро-2,4,6,8- | |
| |тетраазабіцикло-[3,3,0]-октанон-3, | |
| |тетранітросемигліколурил або | |
| |кетобіциклічний НМХ (K-55) | |
| |(CAS 130256-72-3); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|14) |гексанітроадамантан (HNAD) | |
| |(CAS 143850-71-9); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|15) |гексанітростильбен (HNS) |2929 90 00 00 |
| |(CAS 20062-22-0); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|16) |імідазоли: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) октагідро-2,5-біс (нітроаміно) | |
| |імідазо [4,5-d] імідазол (BNNII); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) 2,4-динітроімідазол (DNI) | |
| |(CAS 5213-49-0); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) 1-фторо-2,4-динітроімідазол | |
| |(FDIA); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) N-(2-нітротриазол)-2,4- | |
| |динітроімідазол (NTDNIA); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) 1-пікрил-2,4,5-тринітроімідазол | |
| |(PTIA); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|17) |1-(2 нітротриазол)-2- | |
| |динітрометиленгідразин (NTNMH); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|18) |3-нітро-1,2,4-триазол-5-он (NTO або|2933 69 80 00 |
| |ONTA) (CAS 932-64-9); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|19) |полінітрокубани з більш як чотирма |2929 90 00 00 |
| |нітрогрупами; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|20) |2,6-біс (пікриламіно)-3,5- |2933 39 95 00 |
| |динітропіридин (PYX) | |
| |(CAS 38082-89-2); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|21) |циклотриметилентринітрамін (RDX) та| |
| |його похідні: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) циклотриметилентринітрамін (RDX)|2933 69 10 00 |
| |циклоніт; T4; гексагідро-1,3,5- | |
| |тринітро-1,3,5-триазин; 1,3,5- | |
| |тринітро-1,3,5-триазациклогексан | |
| |(гексоген) (CAS 121-82-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) 2,4,6-тринітро-2,4,6- |2933 90 95 90 |
| |триазациклогексанон (K-6 або кето- | |
| |RDX) (CAS 115029-35-1); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|22) |триаміногуанідиннітрат (TAGN) |2925 20 00 00 |
| |(CAS 4000-16-2); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|23) |триамінотринітробензол (TATB) |2929 90 00 00 |
| |(CAS 3058-38-6); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|24) |3,3,7,7-тетрабіс(дифторамін) | |
| |октагідро-1,5-динітро-1,5-діазоцин | |
| |(TEDDZ); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|25) |тетразоли: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) нітротриазоламінотетразол | |
| |(NTAT); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) 1-N-(2-нітротриазоло)-4- | |
| |нітротетразол (NTNT); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|26) |тринітрофенілметилнітрамін (тетрил)|2929 90 00 00 |
| |(CAS 479-45-8); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|27) |1,4,5,8-тетранітро-1,4,5,8- |2933 90 95 90 |
| |тетраазадекалін (TNAD) | |
| |(CAS 135877-16-6); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|28) |1,1,3-тринітроазетидин (TNAZ) |2933 90 95 90 |
| |(CAS 97645-24-4) | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|29) |тетранітрогліколурил (TNGU, |2933 90 95 00 |
| |SORGUYL) (CAS 55510-03-7); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|30) |1,4,5,8-тетранітро-пирідазино | |
| |[4,5-d] пирідазин (TNP) | |
| |(CAS 229176-04-9); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|31) |триазини: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) 2-оксі-4,6-дінітроаміно-s- | |
| |триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) 2-нітроіміно-5-нітро-гексагідро-| |
| |1,3,5-триазин (NNHT) | |
| |(CAS 130400-13-4); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|32) |триазоли: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) 5-азидо-2-нітротриазол; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) 4-аміно-3,5-дигідрозино-1,2,4- | |
| |триазолдинітрамід (ADHTDN) | |
| |(CAS 1614-08-0); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) 1-аміно-3,5-динітро-1,2,4- | |
| |триазол (ADNT); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) [біс-динітротриазол]амін | |
| |(BDNTA); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) 3,3'-динітро-5,5-біс-1,2,4- | |
| |триазол (DBT) (CAS 30003-46-4); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) динітробістриазол (DNBT) | |
| |(CAS 70890-46-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |g) 2-нітротриазол 5-динітрамід | |
| |(NTDNA) (CAS 75394-84-9); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |h) 1-N-(2-нітротриазол) | |
| |3,5-динітротриазол (NTDNT); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |i) 1-пікрил-3,5-динітротриазол | |
| |(PDNT); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |j) | |
| |тетранітробензотриазолобензотриазол| |
| |(TACOT) (CAS 25243-36-1); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|33) |не зазначені у цьому списку | |
| |вибухові речовини із швидкістю | |
| |детонації понад 8700 м/с при | |
| |максимальній щільності або | |
| |детонаційному тиску понад 34 ГПа | |
| |(340 кбар); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|34) |інші органічні вибухові речовини, | |
| |не зазначені в цьому списку, що | |
| |створюють детонаційний тиск 25 ГПа | |
| |(250 кбар) або більше і не | |
| |змінюються при температурі | |
| |250 град.C або вище протягом | |
| |5 хвилин і довше; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|35) |нітроцелюлоза (що містить більше | |
| |ніж 12,5% азоту); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|36) |нітрогліколь; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|37) |пентаеритриттетранітрат (PETN); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|38) |пікрилхлорид; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|39) |2,4,6-тринітротолуол (TNT); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|40) |нітрогліцерин (NG); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|41) |триперикісь триацетона (TATP); | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|42) |нітрат гуанідина; | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|43) |нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7). | |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2. |ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Підшипники плавного ходу визначені у позиції ML9 |
|примітка. |Списку товарів військового призначення, міжнародні|
| |передачі яких підлягають державному контролю, |
| |затвердженого постановою Кабінету Міністрів |
| |України від 20 листопада 2003 р. N 1807 |
| |( 1807-2003-п ). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.A.1. |Антифрикційні підшипники, системи | |
|[2A001] |підшипників та їх "компоненти": | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1 контролю не підлягають |
| |кулькові підшипники з допусками на кульки, |
| |встановленими виробниками відповідно до |
| |міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5 або |
| |нижче. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |a) кулькові та твердороликові |8482 10 90 00 |
| | підшипники, які мають усі |8482 50 00 00 |
| | допуски, установлені виробником | |
| | відповідно до класу точності 4 | |
| | згідно з міжнародним стандартом | |
| | ISO 492 (або класу точності | |
| | ABEC-7 чи RBEC-7 згідно із | |
| | стандартом ANSI/ABMA Std 20, | |
| | або іншими національними | |
| | еквівалентами) або краще, у яких| |
| | кільця, шарики і ролики | |
| | (ISO 5593) виготовлені з | |
| | нікелево-мідного сплаву або | |
| | берилію; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не підлягають |
| |конічні роликові підшипники. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) інші кулькові та твердороликові |8482 80 00 00 |
| | підшипники, які мають допуски, | |
| | установлені виробником | |
| | відповідно до міжнародного | |
| | стандарту ISO492 класу допуску 2| |
| | (або ANSI/ABMA Std 20 класу | |
| | допуску ABEC-9 чи RBEC-9, | |
| | інших національних еквівалентів)| |
| | або краще; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не підлягають |
| |конічні роликові підшипники. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) активні магнітні підшипникові |8483 30 10 00,|
| | системи, які мають одну із |8483 30 90 00 |
| | складових: | |
| | 1) матеріали з магнітною індукцією| |
| | 2 Т або більше і межею | |
| | плинності понад 414 МПа; | |
| | 2) електромагнітний пристрій для | |
| | приводу з тримірним уніполярним| |
| | високочастотним | |
| | підмагнічуванням; або | |
| | 3) високотемпературні (450 K | |
| | (177 град.C) і більше) | |
| | позиційні датчики. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічні |1. Вторинні паралельні контурні осі (осі |
|примітки. | оброблення) (наприклад, W-осьова фреза |
| | горизонтальної розточки або вторинна вісь |
| | обертання, центрова лінія якої паралельна |
| | головній осі обертання) не включені у загальну |
| | кількість контурних осей. Осі обертання не |
| | обов'язково передбачають поворот на кут, |
| | більший ніж 360 град. Вісь обертання може мати |
| | привід лінійного переміщення (наприклад, |
| | гвинтом або зубчастою шестірнею). |
| |2. У позиції 2B кількість осей, які можуть бути |
| | одночасно скоординовані для "контурного |
| | керування", означає кількість осей, уздовж або |
| | навколо яких під час оброблення заготовки |
| | здійснюється одночасний та взаємопов'язаний |
| | відносний рух заготовки та інструменту. Ця |
| | кількість не включає будь-які додаткові осі, |
| | вздовж або навколо яких здійснюється інший |
| | відносний рух у верстаті. Такі осі включають: |
| | a) системи правки круга в шліфувальних верстатах;|
| | b) паралельні осі обертання, призначені для |
| | кріплення окремих заготовок; |
| | c) колінеарні осі обертання, призначені для |
| | маніпулювання тією ж заготовкою за рахунок |
| | утримання її в патроні з різних кінців. |
| |3. Номенклатура осі визначається відповідно до |
| | міжнародного стандарту ISO 841: "Верстати з |
| | числовим керуванням - номенклатура осей і |
| | різновидів рухів". |
| |4. У цьому розділі термін "нахилені шпинделі" |
| | означає осі обертання. |
| |5. Гарантована точність позиціювання, отримана в |
| | результаті вимірювань, здійснених відповідно до|
| | міжнародного стандарту ISO 230/2 (1997) або |
| | його національних еквівалентів, може бути |
| | використана для кожної моделі верстатів як |
| | альтернатива випробуванням окремих верстатів. |
| | Гарантована точність позиціювання означає |
| | величину точності, представлену до спеціально |
| | уповноважених органів держави як показник |
| | точності конкретної моделі верстату. |
| |Порядок визначення гарантованої точності |
| |позиціювання: |
| | a) виберіть п'ять верстатів окремої моделі, що |
| | повинна бути оцінена; |
| | b) проведіть вимірювання величин точності для |
| | лінійних осей відповідно до міжнародного |
| | стандарту ISO 230/2 (1997); |
| | c) визначте величину А для кожної осі окремого |
| | верстата. Метод обчислення величини А описано |
| | у стандарті ISO; |
| | d) визначте гарантовану величину для кожної осі |
| | для окремої моделі (Ах, Ау); |
| | е) оскільки в розділі 2 Списку робиться посилання|
| | на кожну лінійну вісь, у ньому повинно бути |
| | стільки гарантованих величин точності, |
| | скільки є лінійних осей; |
| | f) якщо будь-яка з осей моделі верстата, що не |
| | підлягає контролю згідно з позиціями 2.B.1.a -|
| | 2.B.1.c, має гарантовану величину точності А, |
| | що дорівнює 5 мкм для шліфувальних верстатів |
| | і 6,5 мкм для фрезерних та токарних верстатів |
| | або менше, виробник повинен підтверджувати |
| | повторно рівень точності кожні 18 місяців. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.B.1. |Верстати та будь-які їх комбінації | |
|[2B001] |для видалення (або різання) | |
| |металів, кераміки і "композиційних | |
| |матеріалів", які відповідно до | |
| |технічних специфікацій виробника | |
| |можуть бути оснащені електронними | |
| |пристроями для "числового | |
| |керування", та "спеціально | |
| |призначені компоненти": | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають |
| | верстати спеціального призначення, застосування|
| | яких обмежено виготовленням шестерень. Для |
| | таких верстатів застосовується позиція 2.B.3. |
| |2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають |
| | верстати спеціального призначення, застосування|
| | яких обмежено виготовленням будь-яких таких |
| | частин: |
| | a) колінчасті вали або кулачкові вали; |
| | b) інструменти або різці; |
| | c) черв'яки екструдерів; або |
| | d) гравійовані або із скошеними поверхнями деталі|
| | ювелірних виробів. |
| |3. Верстати, що мають щонайменше дві з трьох |
| | функціональних можливостей - токарна обробка, |
| | фрезерування або шліфування (наприклад, |
| | токарний верстат, що має функцію фрезерування),|
| | повинні оцінюватися згідно з кожною відповідною|
| | позицією 2.B.1.a, 2.B.1.b або 2.B.1.c. |
| |--------------------------------------------------|
| | a) токарні верстати, у яких: |з 8458, |
| | 1) точність позиціювання вздовж |з 8464 90, |
| | будь-якої лінійної осі з |8465 99 10 00 |
| | "усіма доступними | |
| | компенсаціями" дорівнює або | |
| | менше (краще) ніж 4,5 мкм | |
| | відповідно до ISO230/2 (1997) | |
| | або його національного | |
| | еквівалента; та | |
| | 2) дві або більше осі, які можуть| |
| | бути одночасно скоординовані | |
| | для "контурного керування"; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не підлягають |
| |токарні верстати, що спеціально призначені для |
| |виробництва контактних лінз і мають такі |
| |характеристики: |
| |1) пристрій керування верстатом обмежений |
| | використанням офтальмологічного програмного |
| | забезпечення з метою введення даних для програм|
| | оброблення деталей; та |
| |2) відсутня можливість вакуумного присмоктування. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| | b) фрезерні верстати, що мають |8459 31 00 00,|
| | будь-яку із зазначених нижче |8459 39 00 00,|
| | характеристик: |8459 51 00 00,|
| | 1) мають усі зазначені нижче |8459 61, |
| | характеристики: |8459 69, |
| | a) точність позиціювання вздовж |8464, |
| | будь-якої лінійної осі з |8465 92 00 00 |
| | "усіма доступними | |
| | компенсаціями" дорівнює | |
| | або менше (краще) ніж 4,5 мкм| |
| | відповідно до ISO 230/2 | |
| | (1997) або його національного| |
| | еквівалента; та | |
| | b) три лінійні осі плюс одна | |
| | вісь обертання, які можуть | |
| | бути одночасно | |
| | скоординовані для "контурного| |
| | керування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) п'ять або більше осей, які | |
| | можуть бути одночасно | |
| | скоординовані для | |
| | "контурного керування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) точність позиціювання для | |
| | копіювально-розточувальних | |
| | верстатів уздовж будь-якої | |
| | лінійної осі з "усіма | |
| | доступними компенсаціями" | |
| | менше (краще) ніж 3 мкм | |
| | відповідно до ISO 230/2 | |
| | (1997) або його | |
| | національного еквівалента; | |
| | або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 4) верстати для різання | |
| | матеріалу, що безперервно | |
| | переміщується, у яких: | |
| | а) "радіальне биття" і | |
| | "кулачковий ефект" шпинделя | |
| | менше (краще) ніж 0,0004 мм | |
| | TIR; та | |
| | b) кутове відхилення руху | |
| | ковзання (рискання, перекіс | |
| | у повздовжньому напрямку і | |
| | гойдання) менше (краще) | |
| | ніж 2 секунди дуги, TIR, | |
| | уздовж шляху переміщення | |
| | завдовжки 300 мм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) шліфувальні верстати, що мають |8460 11 00 00,|
| | будь-яку із зазначених нижче |8460 19 00 00,|
| | характеристик: |8460 21, |
| | 1) мають усі зазначені нижче |8460 29, |
| | характеристики: |8464 20 05 00,|
| | a) точність позиціювання вздовж |8464 20 20 00,|
| | будь-якої лінійної осі з |8464 20 95 00,|
| | "усіма доступними |8465 93 00 00 |
| | компенсаціями" дорівнює | |
| | або менше (краще) ніж 3 мкм | |
| | відповідно до | |
| | ISO 230/2 (1997) або | |
| | його національного | |
| | еквівалента; та | |
| | b) три або більше осі, які | |
| | можуть бути одночасно | |
| | скоординовані для | |
| | "контурного керування"; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) п'ять або більше осей, які | |
| | можуть бути одночасно | |
| | скоординовані для | |
| | "контурного керування"; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не підлягають: |
| |1) шліфувальні верстати для оброблення зовнішніх |
| | циліндричних, внутрішніх поверхонь, а також |
| | комбіновані верстати (для шліфування внутрішніх|
| | та зовнішніх поверхонь), які: |
| | a) обмежені циліндричним шліфуванням; та |
| | b) обмежені максимальним зовнішнім діаметром або |
| | довжиною заготовки 150 мм; |
| |2) верстати, спеціально спроектовані для |
| | шліфування за шаблоном, які не мають z-осі або |
| | w-осі, точність позиціонування яких з "усіма |
| | доступними компенсаціями" менше (краще) ніж |
| | 3 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його |
| | національного еквівалента; |
| |3) плоскошліфувальні верстати. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| | d) верстати для електроіскрового |з 845630 |
| | оброблення (EDM) без подачі | |
| | дроту, що мають дві або більше | |
| | осей обертання, які можуть | |
| | одночасно бути скоординовані | |
| | для "контурного керування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | e) верстати для видалення металів,|з 8424 30, |
| | кераміки або "композиційних |з 8456 10, |
| | матеріалів", які мають такі |8456 91 00 00,|
| | характеристики: |з 8456 99 |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) видалення матеріалу | |
| | здійснюються за допомогою: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) водяних або інших рідинних | |
| | струменів, включаючи | |
| | струмені з абразивними | |
| | добавками; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) електронного променя; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) лазерного променя; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) мають дві або більше осей | |
| | обертання, які: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) можуть бути одночасно | |
| | скоординовані для "контурного| |
| | керування"; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) мають точність позиціювання | |
| | менше (краще) ніж | |
| | 0,003 град; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | f) верстати для свердління |з 8458, |
| | глибоких отворів і токарні |8459 21 00 00 |
| | верстати, які модифіковані | |
| | для свердління глибоких | |
| | отворів та забезпечують | |
| | максимальну глибину їх | |
| | свердління понад 5000 мм, | |
| | а також "спеціально призначені | |
| | компоненти" для них. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.B.2. |Верстати з числовим програмним | |
| |керуванням для чистового оброблення| |
| |оптичних поверхонь, обладнані для | |
| |вибіркового видалення матеріалу з | |
| |метою створення несферичних | |
| |оптичних поверхонь, що мають такі | |
| |характеристики: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) здатні забезпечувати кінцеве | |
| | оброблення форми до менше | |
| | (краще) 1 мкм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) здатні забезпечувати кінцеве | |
| | оброблення до шорсткості менше | |
| | (краще) 100 нм | |
| | (середньоквадратичне | |
| | значення); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) чотири або більше осей, які | |
| | можуть бути одночасно | |
| | скоординовані для "контурного | |
| | керування"; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) використовують такі технології: | |
| | 1) магнітореологічне кінцеве | |
| | оброблення (MRF-процес); | |
| | 2) електрореологічне кінцеве | |
| | оброблення (ERF-процес); або | |
| | 3) кінцеве оброблення променем | |
| | часток високої енергії; | |
| | 4) кінцеве оброблення з допомогою | |
| | інструмента у вигляді надувної | |
| | мембрани; або | |
| | 5) рідинно-струменеве кінцеве | |
| | оброблення. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Для цілей позиції 2.B.2: |
|примітка. |1) MRF-процес - це технологія видалення матеріалу |
| | за допомогою абразивної магнітної рідини, |
| | в'язкість якої контролюється магнітним полем; |
| |2) ERF-процес - це технологія видалення матеріалу |
| | з використанням абразивної рідини, в'язкість |
| | якої контролюється електричним полем; |
| |3) під час кінцевого оброблення променем часток |
| | високої енергії застосовуються реактивні атомні|
| | плазми або пучки іонів для вибіркового |
| | видалення матеріалу; |
| |4) кінцеве оброблення за допомогою інструмента у |
| | вигляді надувної мембрани - технологічний |
| | процес, в якому використовується мембрана під |
| | тиском, яка деформує виріб під час контакту з |
| | ним на невеликій площі; |
| |5) у рідинно-струменевому завершальному обробленні|
| | використовується потік рідини для видалення |
| | матеріалу. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.B.3. |Верстати з "числовим керуванням" |8461 40 71 00,|
|[2B003] |або з ручним керуванням і |8461 40 79 00 |
| |спеціально розроблені для них | |
| |"компоненти", обладнання для | |
| |контролю та оснащення, спеціально | |
| |розроблені для шевінгування, | |
| |кінцевого оброблення, шліфування | |
| |або хонінгування загартованих | |
| |(Rc = 40 або більше) прямозубих | |
| |циліндричних, одно- або | |
| |двозаходових черв'ячних (гвинтових)| |
| |шестерень з діаметром понад 1250 мм| |
| |та шириною поверхні зуба, що | |
| |дорівнює 15% діаметра або більше, з| |
| |якістю кінцевого оброблення AGMA 14| |
| |або краще (відповідно до | |
| |міжнародного стандарту ISO 1328 за | |
| |класом 3). | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.B.4. |"Ізостатичні преси" для гарячого |з 8462 99 |
|[2B004] |пресування, що мають все з | |
| |наведенного нижче, та "спеціально | |
| |призначені компоненти" для них і | |
| |допоміжні пристрої: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) камери з контрольованими | |
| | тепловими умовами всередині | |
| | замкненої порожнини з внутрішнім| |
| | діаметром 406 мм або більше; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) мають будь-що з наведенного | |
| | нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) максимальний робочий тиск понад| |
| | 207 МПа; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) контрольовані температурні | |
| | умови понад 1773 K | |
| | (1500 град.C); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 3) обладнання для насичення | |
| | вуглеводнем і виведення | |
| | газоподібних продуктів | |
| | розкладу. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Внутрішній розмір камери - це робочий розмір |
|примітка. |камери, яка забезпечує робочий тиск і температуру;|
| |до розміру камери не включається розмір затискних |
| |пристроїв. Зазначений розмір визначається меншим з|
| |двох розмірів: внутрішнього діаметра камери |
| |високого тиску або внутрішнього діаметра |
| |ізольованої камери печі залежно від того, яка з |
| |цих камер розташована в іншій. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо спеціально розроблених штампів, форм та |
|примітка. |інструментів див. позиції 1.B.3, 9.B.9 і ML18 |
| |Списку товарів військового призначення, міжнародні|
| |передачі яких підлягають державному контролю, |
| |затвердженого постановою Кабінету Міністрів |
| |України від 20 листопада 2003 р. N 1807 |
| |( 1807-2003-п ). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.B.5. |Обладнання, спеціально призначене | |
|[2B005] |для осадження, оброблення та | |
| |контролю у процесі нанесення | |
| |неорганічних захисних шарів, | |
| |покриттів і поверхневих | |
| |модифікацій, наведених нижче, для | |
| |неелектронних підкладок за | |
| |допомогою процесів, зазначених у | |
| |таблиці та примітках до позиції | |
| |2.E.3.f, а також "компоненти", | |
| |спеціально призначені для | |
| |автоматизованого регулювання, | |
| |позиціювання, маніпулювання | |
| |та управління: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) виробниче обладнання для |8424 20 00 90,|
| | хімічного осадження з парової |8456 91 00 00,|
| | фази (CVD), що має усі зазначені|8456 99 |
| | нижче характеристики: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) процес, модифікований для | |
| | будь-якого зазначеного | |
| | нижче методу: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) пульсуючого хімічного | |
| | осадження з парової | |
| | фази (CVD); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) термічного осадження з | |
| | керованим зародкоутворенням | |
| | (CNTD); або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) стимульовання плазмою або за | |
| | допомогою плазми CVD; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) використовує будь-що з | |
| | наведеного нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) високий вакуум (дорівнює або | |
| | менше ніж 0,01 Па) для | |
| | ущільнення при обертанні; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) засоби контролю товщини шару | |
| | покриття безпосередньо у | |
| | процесі осадження; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) виробниче обладнання для іонної |8456 10 10 00,|
| | імплантації із силою іонного |8456 10 90 00 |
| | струму 5 мА або більше; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) виробниче обладнання для |8456 10 10 00,|
| | електронно-променевого |8456 10 90 00 |
| | вакуумного нанесення покриттів | |
| | методом фізичного осадження з | |
| | парової фази електронним | |
| | променем (EB-PVD), яке має | |
| | систему електроживлення з | |
| | розрахунковою потужністю понад | |
| | 80 кВт, та мають будь-що з | |
| | наведеного нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) "лазерна" система керування за | |
| | рівнем випаровувальної ванни, | |
| | яка точно регулює швидкість | |
| | подавання матеріалів (злитків) | |
| | у зону випаровування; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) керований комп'ютером покажчик | |
| | швидкості випаровування | |
| | (монітор), який працює за | |
| | принципом фотолюмінесценції | |
| | іонізованих атомів у потоці | |
| | пари, необхідний для контролю | |
| | швидкості осадження складових | |
| | покриття, що містить два | |
| | або більше елементів; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) виробниче обладнання для |8456 91 00 00,|
| | нанесення покриття методом |8456 99 |
| | плазмового напилення, яке має | |
| | будь-яку зазначену нижче | |
| | характеристику: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) працює за умови зниженого тиску| |
| | контрольованої атмосфери | |
| | (дорівнює або менше ніж 10 кПа,| |
| | вимірюваного вище або всередині| |
| | 300 мм вихідного пеерізу сопла | |
| | плазмового пальника) у | |
| | вакуумній камері, що здатна | |
| | забезпечити зниження тиску до | |
| | 0,01 Па перед початком процесу | |
| | нанесення; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) містить у своєму складі засоби | |
| | контролю товщини шару покриття | |
| | у процесі нанесення; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) виробниче обладнання для |8456 91 00 00,|
| | металізації розпиленням, що |8456 99 |
| | здатне забезпечити густину | |
| | струму 0,1 мА/кв.мм або більше | |
| | з продуктивністю напилення | |
| | 15 мкм/год. або більше; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) виробниче обладнання для |8515 80 91 00,|
| | катодно-дугового напилення |8515 80 99 00 |
| | із системою електромагнітів | |
| | для керування активною плямою | |
| | дуги на катоді; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |g) виробниче обладнання для іонного|8456 10 10 00,|
| | нанесення покриття, здатне в |8456 10 90 00 |
| | процесі нанесення вимірювати | |
| | будь-що з наведеного нижче: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) товщину покриття на підкладці | |
| | та величину продуктивності; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) оптичні характеристики. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позиціями 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e, |
| |2.B.5.f та 2.B.5.g контролю не підлягає |
| |обладнання для нанесення покриття методом |
| |хімічного осадження з парової фази, |
| |катодно-дугового напилення та нанесення |
| |методом розпилення, іонного нанесення або |
| |іонної імплантації, спеціально призначене |
| |для різальних та обробних інструментів. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.B.6. |Системи або обладнання та | |
|[2B006] |"електронні збірки", наведені | |
| |нижче, для вимірювання або | |
| |контролю за розмірами: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) контрольно-вимірювальне |9031 80 31 10,|
| | обладнання, кероване комп'ютером|9031 80 31 90 |
| | або з "числовим керуванням", яке| |
| | має тривимірну (об'ємну) систему| |
| | з "похибкою вимірювання", що | |
| | дорівнює або менше (краще) ніж | |
| | (1,7 + L/1000) мкм (де L - | |
| | довжина, яка вимірюється в | |
| | міліметрах), та тестується | |
| | відповідно до міжнародного | |
| | стандарту ISO 10360-2 (2001); | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) вимірювальні пристрої для | |
| | лінійних або кутових переміщень:| |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) вимірювальні пристрої для |9031 41 00 00,|
| | лінійних переміщень, які мають |9031 49 10 00,|
| | будь-яку зазначену нижче |9031 49 90 00 |
| | складову: | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Для цілей позиції 2.B.6.b.1 "лінійне переміщення" |
|примітка. |означає відстань між контактною вимірювальною |
| |головкою та об'єктом вимірювання. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| | a) вимірювальні системи | |
| | безконтактного типу з | |
| | "роздільною здатністю", що | |
| | дорівнює або менше (краще) | |
| | ніж 0,2 мкм, при діапазоні | |
| | вимірювань до 0,2 мм; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) системи з лінійним | |
| | регульованим диференційним | |
| | перетворювачем напруги, | |
| | які мають: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) "лінійність", що дорівнює або| |
| | менше (краще) ніж 0,1 | |
| | відсотка, в діапазоні | |
| | вимірювань до 5 мм; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) відхилення, що дорівнює | |
| | або менше (краще) ніж 0,1 | |
| | відсотка на день, за | |
| | стандартних умов з коливанням| |
| | навколишньої температури | |
| | +- 1 K; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) вимірювальні системи, які: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) містять "лазер"; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) зберігають протягом принаймні| |
| | 12 годин при температурі | |
| | 20 +- 1 град.C: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) "роздільну здатність" на | |
| | повній шкалі 0,1 мкм або | |
| | менше (краще); та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) здатність досягати "похибки | |
| | вимірювання" під час | |
| | компенсації показника | |
| | переломлення повітря, що | |
| | дорівнює або менше (краще) | |
| | ніж (0,2 + L/2000) мкм | |
| | (L - довжина, що | |
| | вимірюється в міліметрах); | |
| | або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) "електронні збірки", | |
| | спеціально призначені для | |
| | забезпечення функції | |
| | зворотного зв'язку в системах,| |
| | що підлягають контролю згідно | |
| | з позицією 2.B.6.b.1.c; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.1 контролю не підлягають|
| |вимірювальні інтерферометричні системи, обладнані |
| |системою автоматичного керування, у якій не |
| |передбачено використання техніки зворотного |
| |зв'язку, що містять "лазер" для вимірювання |
| |помилок переміщення рухомих частин верстатів, |
| |засобів контролю за розмірами або подібного |
| |обладнання. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| | 2) кутові вимірювальні прилади з |9031 41 00 00,|
| | "кутовою девіацією", що |9031 49 10 00,|
| | дорівнює або менше (краще) |9031 49 90 00,|
| | ніж 0,00025 град.C; |з 9031 80 31, |
| | |9031 80 91 00 |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.6.b.2 контролю не підлягають|
| |оптичні прилади, такі як автоколіматори, що |
| |використовують колімоване світло (наприклад, |
| |лазерний промінь) для фіксації кутового відхилення|
| |дзеркала. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) обладнання для вимірювання |9031 41 00 00,|
| | нерівностей поверхні з |9031 49 10 00,|
| | використанням оптичного |9031 49 90 00 |
| | розсіювання як функції кута з | |
| | чутливістю 0,5 нм або менше | |
| | (краще). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Верстати, що можуть бути використані як |
| |вимірювальні машини, підлягають контролю, якщо їх |
| |параметри відповідають або перевищують критерії, |
| |встановлені для функцій верстатів або |
| |вимірювальних машин. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.B.7. |"Роботи", що мають будь-яку із |8479 50 00 00,|
|[2B007] |зазначених нижче характеристик, і |8537 10 10 00,|
| |спеціально спроектовані контролери |8537 10 91 00,|
| |та "виконавчі механізми" до них: |8537 10 99 00 |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) здатні в реальному масштабі часу| |
| | повністю обробляти трьохвимірне | |
| | зображення або трьохвимірний | |
| | об'єкт для генерації чи | |
| | модифікації "програм", або для | |
| | генерації чи модифікації | |
| | цифрових даних програми; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Обмеження аналізу об'єкта не включають |
|примітка. |апроксимацію третього виміру шляхом розгляду |
| |під заданим кутом або інтерпретації сірої |
| |шкали для сприйняття глибини або текстури під |
| |час виконання санкціонованих завдань (2 1/2 D). |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) спеціально розроблені, щоб | |
| | відповідати національним | |
| | стандартам безпеки, які | |
| | застосовуються до потенційно | |
| | вибухонебезпечного середовища, | |
| | що містить боєприпаси; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 2.B.7.b контролю не підлягають |
| |"роботи", спеціально призначені для використання в|
| |камерах для фарбування розпиленням. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) спеціально призначені або | |
| | нормовані як радіаційностійкі, | |
| | що витримують більше ніж | |
| | 3 | |
| | 5 х 10 рад (Si) без | |
| | погіршення робочих | |
| | характеристик; або | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) спеціально призначені для | |
| | операцій, що проводяться на | |
| | висоті понад 30000 м. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.B.8. |Вузли або блоки, спеціально | |
|[2B008] |призначені для верстатів або систем| |
| |і обладнання для перевірки розмірів| |
| |або вимірювання: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) блоки оцінки лінійного положення|з 8466 |
| | із зворотним зв'язком | |
| | (наприклад, прилади індуктивного| |
| | типу, калібровані шкали, | |
| | інфрачервоні системи або | |
| | "лазерні" системи), які | |
| | мають повну "точність" менше | |
| | (краще) ніж [800 + | |
| | -3 | |
| | (600 х L х 10 )] нм (L - | |
| | ефективна довжина, яка | |
| | вимірюється в міліметрах); | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо "лазерних" систем див. 2.B.6.b.1.c та 2.B.6. |
|примітка. |b.1.d. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |b) блоки оцінки положення обертання|з 8466 |
| | із зворотним зв'язком | |
| | (наприклад, прилади індуктивного| |
| | типу, калібровані шкали, | |
| | інфрачервоні системи або | |
| | "лазерні" системи), які мають | |
| | "точність" менше (краще) ніж | |
| | 0,00025 град; | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо "лазерних" систем застосовується також |
|примітка. |примітка до позиції 2.B.6.b. |
|-------------+--------------------------------------------------|
| |c) "комбіновані обертові столи" та |з 8466 |
| | "інструментальні шпинделі, що | |
| | нахиляються", використання яких | |
| | за специфікацією виробника може | |
| | модифікувати верстати до рівня, | |
| | зазначеного у позиції 2.B. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.B.9. |Обкатні вальцювальні та згинальні |8462 29 10 00,|
|[2B009] |верстати, які відповідно до |8463 90 00 00 |
| |технічної специфікації виробника | |
| |можуть бути обладнані блоками | |
| |"числового керування" або | |
| |комп'ютерного керування: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) з двома або більше осями | |
| | керування, дві з яких здатні | |
| | одночасно координуватися для | |
| | "контурного керування"; та | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) із зусиллям на обкатному | |
| | інструменті понад 60 кН. | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Технічна |Верстати, у яких поєднані функції обкатних |
|примітка. |вальцювальних та згинальних верстатів, |
| |розглядаються для цілей позиції 2.B.9 як такі, що |
| |належать до обкатних вальцювальних верстатів. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.C. |МАТЕРІАЛИ | |
| |Відсутні. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.D.1. |"Програмне забезпечення", інше, ніж|з 8524 |
|[2D001] |те, що підлягає контролю згідно з | |
| |позицією 2.D.2, спеціально | |
| |призначене або модифіковане для | |
| |"розроблення", "виробництва" або | |
| |"використання" обладнання, | |
| |зазначеного в позиціях 2.A або 2.B.| |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.D.2. |"Програмне забезпечення" для |з 8524 |
|[2D002] |електронних пристроїв, навіть якщо | |
| |воно вмонтоване в електронний | |
| |пристрій або систему, яке дає змогу| |
| |таким пристроям або системам | |
| |функціонувати як блок "числового | |
| |керування", здатний одночасно | |
| |координувати більш як чотири осі | |
| |для "контурного керування". | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає |
| |"програмне забезпечення", спеціально розроблене |
| |або модифіковане для верстатів, які не підлягають |
| |контролю згідно з позиціями розділу 2. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає |
| |"програмне забезпечення" для виробів, що |
| |контролюються згідно з позицією 2.B.2. Щодо |
| |контролю за "програмним забезпеченням" для |
| |виробів, які контролюються згідно з позицією |
| |2.B.2, див. позицію 2.D.1. |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.E.1. |"Технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, |
|[2E001] |особливих приміток для |3706, 8524, |
| |"розроблення" обладнання або |4901 99 00 00,|
| |"програмного забезпечення", які |4906 00 00 00 |
| |підлягають контролю згідно з | |
| |позиціями 2.A, 2.B або 2.D. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 3|з 3705, |
|[2E002] |загальних приміток для |3706,8524, |
| |"виробництва" обладнання, яке |4901 99 00 00,|
| |підлягає контролю згідно з |4906 00 00 00 |
| |позиціями 2.A або 2.B. | |
|-------------+-----------------------------------+--------------|
|2.E.3. |Інші "технології": |з 3705, |
|[2E003] | |3706, 8524, |
| |-----------------------------------+--------------|
| |a) "технологія" для "розроблення" |4901 99 00 00,|
| | інтерактивної графіки як |4906 00 00 00 |
| | вбудованої частини блоків | |
| | "числового керування" для | |
| | підготовки або модифікації | |
| | елементів "програм"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |b) "технологія" для виробничих | |
| | процесів металооброблення: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) "технологія" проектування | |
| | верстатів (інструментів), | |
| | прес-форм або затискних | |
| | пристроїв, спеціально | |
| | призначених для будь-якого | |
| | з наведених нижче процесів: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) "надпластичного формування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) "дифузійного зварювання"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) "безпосереднього гідравлічного| |
| | пресування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 2) технічні дані, що включають | |
| | методи або параметри реалізації| |
| | процесу, які використовуються | |
| | для керування: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | a) "надпластичним формуванням" | |
| | алюмінієвих, титанових | |
| | сплавів або "суперсплавів", | |
| | включаючи: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) підготовку поверхні; | |
| | 2) швидкість відносної | |
| | деформації; | |
| | 3) температуру; | |
| | 4) тиск; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | b) "дифузійним зварюванням" | |
| | "суперсплавів" або титанових | |
| | сплавів, включаючи: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) підготовку поверхні; | |
| | 2) температуру; | |
| | 3) тиск; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | c) "безпосереднім гідравлічним | |
| | пресуванням" алюмінієвих або | |
| | титанових сплавів, включаючи: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) тиск; | |
| | 2) час циклу; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | d) "гарячим ізостатичним | |
| | модифікуванням" алюмінієвих | |
| | і титанових сплавів або | |
| | "суперсплавів", включаючи: | |
| |-----------------------------------+--------------|
| | 1) температуру; | |
| | 2) тиск; | |
| | 3) час циклу; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |c) "технологія" для "розроблення" | |
| | або "виробництва" гідравлічних | |
| | витяжних формувальних машин і | |
| | відповідних форм для | |
| | виготовлення корпусних | |
| | конструкцій літака; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |d) "технологія" для "розроблення" | |
| | генераторів машинних команд | |
| | (наприклад, "програм" оброблення| |
| | деталей) з проектних даних, які | |
| | розміщуються всередині блоків | |
| | "числового керування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |e) "технологія" для "розроблення" | |
| | загального "програмного | |
| | забезпечення" для об'єднаних | |
| | експертних систем, які | |
| | збільшують у заводських умовах | |
| | операційні можливості блоків | |
| | "числового керування"; | |
| |-----------------------------------+--------------|
| |f) "технологія" використання | |
| | неорганічного покриття або | |
| | неорганічного покриття з | |
| | модифікацією поверхні | |
| | (зазначених у третій графі | |
| | "Результуюче покриття" | |
| | таблиці до цієї позиції) на | |
| | неелектронних підкладках | |
| | (зазначених у другій графі | |
| | "Підкладки" таблиці до цієї | |
| | позиції) та процесів | |
| | (зазначених у першій графі | |
| | "Найменування процесу нанесення | |
| | покриття" таблиці до цієї | |
| | позиції та визначених у | |
| | технічній примітці до таблиці). | |
|-------------+--------------------------------------------------|
|Особлива |Таблицю до позиції 2.E.3.f слід використовувати |
|примітка. |для контролю технології конкретного процесу |
| |нанесення покриття тільки у разі, коли |
| |"результуюче покриття" у третій графі зазначено |
| |прямо напроти відповідної "підкладки" у другій |
| |графі. Наприклад, технічні дані процесу |
| |осадження для хімічного осадження з парової фази |
| |(CVD) контролюються під час використання |
| |"силіцидів" на "підкладках", виготовлених |
| |"композиційних матеріалів" з вуглець-вуглецевою, |
| |керамічною або металевою "матрицею", але не |
| |контролюються під час використання "силіцидів" |
| |на підкладках, виготовлених з "цементованого |
| |карбіду вольфраму" (16) та "карбіду кремнію". |
| |У другому випадку "результуюче покриття" |
| |не зазначено у цьому параграфі у третій графі |
| |прямо напроти параграфа у другій графі, де |
| |перелічено "цементований карбід вольфраму" (16) |
| |та "карбід кремнію" (18). |
|-------------+--------------------------------------------------|
|2.E.4. |"Послуги та роботи" (відповідно до | |
| |особливої примітки щодо послуг та | |
| |робіт) стосовно товарів подвійного | |
| |використання, зазначених у позиціях| |
| |2.A, 2.B, 2.D або 2.E. | |
------------------------------------------------------------------
Таблиця до позиції 2.E.3.f. Технічні методи осадження покриття
------------------------------------------------------------------
| | Найменування | Підкладки | Результуюче |
| | процесу нанесення | | покриття |
| | покриття (1)* | | |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| A. |Хімічне осадження з|суперсплави |алюмініди для |
| |парової фази (CVD) | |внутрішніх |
| | | |каналів |
| | |------------------+------------------|
| | |кераміка (19)* та |силіциди |
| | |скло з малим |карбіди |
| | |коефіцієнтом |шари діелектриків |
| | |термічного |(15) |
| | |розширення (14) |алмази |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| * Номер у дужках відповідає номеру примітки до таблиці|
|"Технічні методи осадження покриття". |
|----------------------------------------------------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні |карбіди |
| | |матеріали" |тугоплавкі метали |
| | |(композити) з |суміші зазначених |
| | |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою |шари діелектриків |
| | |"матрицею" |(15) |
| | | |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |вольфрам |
| | |вольфраму (16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | | |алмази |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмази |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| B. |Фізичне осадження з| | |
| |парової фази | | |
| |термовипаро- | | |
| |вуванням | | |
| |(TE-PVD) | | |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.1. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди |
| |парової фази (PVD) | |леговані алюмініди|
| |з випаровуванням | |(2) |
| |електронним | |MCrAlX (5) |
| |променем | |модифіковані види |
| |(EB-PVD) | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |силіциди |
| | | |алюмініди |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |кераміка (19) та |шари діелектриків |
| | |скло з малим |(15) |
| | |коефіцієнтом | |
| | |термічного | |
| | |розширення (14) | |
| | |------------------+------------------|
| | |корозійностійка |MCrAlX (5) |
| | |сталь (криця) (7) |модифіковані види |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |тугоплавкі метали |
| | |керамічною та |суміші зазначених |
| | |металевою |матеріалів (4) |
| | |"матрицею" |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід вольфраму |вольфрам |
| | |(16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | | |бориди |
| | | |берилій |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.2. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |шари діелектриків |
| |парової фази шляхом|скло з малим |(15) |
| |резистивного |коефіцієнтом |алмазоподібні |
| |нагрівання |термічного |вуглеці (17) |
| |(іонне |розширення (14) | |
| |осадження) |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |шари діелектриків |
| | |"Композиційні" |(15) |
| | |матеріали з | |
| | |керамічною та | |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |шари діелектриків |
| | |карбід вольфраму |(15) |
| | |(16) | |
| | |карбід кремнію | |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібні |
| | | |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.3. |Фізичне осадження з|кераміка (19) та |силіциди |
| |парової фази (PVD):|скло з малим |шари діелектриків |
| |"лазерним" |коефіцієнтом |(15) |
| |випаровування |термічного |алмазоподібні |
| | |розширення (14) |вуглеці (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |шари діелектриків |
| | |"Композиційні |(15) |
| | |матеріали" з | |
| | |керамічною та | |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |шари діелектриків |
| | |карбід вольфраму |(15) |
| | |(16) | |
| | |карбід кремнію | |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
|B.4. |Фізичне осадження з|суперсплави |леговані силіциди |
| |парової фази (PVD):| |леговані алюмініди|
| |катодний дуговий | |(2), MCrAlX (5) |
| |розряд |------------------+------------------|
| | |полімери (11) та |бориди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |нітриди |
| | |органічною |алмазоподібні |
| | |"матрицею" |вуглеці (17) |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| C. |Пакова цементація |вуглець-вуглець |силіциди |
| |(10) (твердофазне |"Композиційні |карбіди |
| |насичення) |матеріали" з |суміші зазначених |
| |(див. "A") |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
| | |------------------+------------------|
| | |сплави титану |силіциди |
| | |(13) |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |силіциди |
| | |та сплави (8) |оксиди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| D. |Плазмове напилення |суперсплави |MCrAlX (5) |
| | | |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-графіт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-хром- |
| | | |алюміній-бентоніт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |алюміній-кремній- |
| | | |поліестр |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | |------------------+------------------|
| | |сплави алюмінію |MCrAlX (5) |
| | |(6) |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |силіциди |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |алюмініди |
| | |та сплави (8) |силіциди |
| | | |карбіди |
| | |------------------+------------------|
| | |корозійностійкі |MCrAlX (5) |
| | |сталі (7) |модифікований |
| | | |діоксид цирконію |
| | | |(12) |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |карбіди |
| | |(13) |алюмініди |
| | | |силіциди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-графіт |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |нікель-хром- |
| | | |алюміній-бентоніт |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |ерозійностійкий |
| | | |алюміній-кремній- |
| | | |поліестр |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| E. |Шлікерні |тугоплавкі метали |плавлені силіциди |
| |суспензійні |та сплави (8) |плавлені алюмініди|
| |покриття | |(крім матеріалів |
| |(осадження) | |для нагрівних |
| | | |елементів) |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |суміші зазначених |
| | |керамічною та |матеріалів (4) |
| | |металевою | |
| | |"матрицею" | |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| F. |Нанесення покриттів|суперсплави |леговані силіциди |
| |розпиленням | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |алюмініди |
| | | |модифіковані |
| | | |благородними |
| | | |металами (3) |
| | | |MCrAlX (5) |
| | | |види |
| | | |модифікованого |
| | | |діоксиду цирконію |
| | | |(12) |
| | | |платина |
| | | |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | |------------------+------------------|
| | |кераміка та скло з|силіциди |
| | |малим коефіцієнтом|платина |
| | |розширення (14) |суміші зазначених |
| | | |матеріалів (4) |
| | | |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
| | | |оксиди |
| | | |силіциди |
| | | |алюмініди |
| | | |леговані алюмініди|
| | | |(2) |
| | | |карбіди |
| | |------------------+------------------|
| | |вуглець-вуглець |силіциди |
| | |"Композиційні" |карбіди |
| | |матеріали з |тугоплавкі метали |
| | |керамічною та |суміші зазначених |
| | |металевою |матеріалів (4) |
| | |"матрицею" |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |вольфрам |
| | |вольфраму (16) |суміші зазначених |
| | |карбід кремнію |матеріалів (4) |
| | |(18) |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |нітрид бору |
| | |------------------+------------------|
| | |молібден та його |шари діелектриків |
| | |сплави |(15) |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |бориди |
| | |сплави |шари діелектриків |
| | | |(15) |
| | | |берилій |
| | |------------------+------------------|
| | |матеріали вікон |шари діелектриків |
| | |датчиків (9) |(15) |
| | | |алмазоподібний |
| | | |вуглець (17) |
| | |------------------+------------------|
| | |тугоплавкі метали |алюмініди |
| | |та сплави (8) |силіциди |
| | | |оксиди |
| | | |карбіди |
|------+-------------------+------------------+------------------|
| G. |Іонна імплантація |термостійкі |поверхневе |
| | |шарикопідшипникові|легування |
| | |сталі |хромом, |
| | | |танталом або |
| | | |ніобієм |
| | | |(коламбієм) |
| | |------------------+------------------|
| | |титанові сплави |бориди |
| | |(13) |нітриди |
| | |------------------+------------------|
| | |берилій та його |бориди |
| | |сплави | |
| | |------------------+------------------|
| | |цементований |карбіди |
| | |карбід |нітриди |
| | |вольфраму (16) | |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|1. |Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так і|
| |ремонт та поновлення існуючого. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|2. |Процес покриття легованими алюмінідами включає |
| |одностадійний або багатостадійний процес нанесення |
| |покриття, під час якого елемент або елементи осаджуються до|
| |або під час отримання алюмінідного покриття, навіть якщо ці|
| |елементи додаються за допомогою іншого процесу. Проте |
| |зазначений процес не включає багаторазове використання |
| |одноступеневих процесів пакової цементації для отримання |
| |покриття на основі легованих алюмінідів. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|3. |Процес покриття алюмінідами, модифікованими благородними |
| |металами, включає багатоступеневий процес нанесення |
| |покриття, під час якого благородний метал або благородні |
| |метали були нанесені раніше будь-яким іншим способом до |
| |отримання покриття легованими алюмінідами. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|4. |Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні |
| |композиції, присадки та багатошарові матеріали, які |
| |використовуються під час одного або кількох процесів |
| |отримання покриття, зазначеного у таблиці. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|5. |"MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "M" |
| |означає кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" |
| |означає гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій |
| |кількості, або інші спеціальні домішки у кількості понад |
| |0,01 вагового % у різноманітних пропорціях та комбінаціях, |
| |крім: |
| |a) CoCrAlY - покриття, яке має менш як 22 вагових % хрому, |
| |менш як 7 вагових % алюмінію та менш як 2 вагових % ітрію; |
| |b) CoCrAlY - покриття, яке має 22 - 24 вагових % хрому, |
| |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,5 - 0,7 вагового % ітрію; |
| |c) NiCrAlY - покриття, яке має 21 - 23 вагових % хрому, |
| |10 - 12 вагових % алюмінію та 0,9 - 1,1 вагового % ітрію. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|6. |Сплави алюмінію - сплави з граничним показником міцності на|
| |розрив 190 МПа або більше, які визначено при температурі |
| |293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|7. |Корозійностійка сталь - сталь, яка відповідає вимогам |
| |стандарту серії 300 (AISI) Американського інституту заліза |
| |та сталі або вимогам відповідних національних стандартів. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|8. |До тугоплавких металів та сплавів належать такі метали та |
| |їх сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і |
| |тантал. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|9. |Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній, |
| |германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, |
| |алмаз, фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів: |
| |фторид цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків |
| |діаметром понад 40 мм. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|10. |На "технологію" для одноступеневих процесів пакової |
| |цементації суцільних лопаток турбін не поширюються |
| |обмеження згідно з розділом 2. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|11. |Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід, |
| |полікарбонати та поліуретани. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|12. |Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з |
| |додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію, |
| |магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для |
| |стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз |
| |зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію, |
| |модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом |
| |змішування або розплаву, контролю не підлягає. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|13. |Титанові сплави - лише аерокосмічні сплави з граничним |
| |показником міцності на розрив 900 МПа або більше, |
| |визначеним при температурі 293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|14. |Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення - скло, що |
| | -7 -1 |
| |має коефіцієнт температурного розширення 1 х 10 K або |
| |менше, визначений при температурі 293 K (20 град.C). |
|----+-----------------------------------------------------------|
|15. |Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових |
| |ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних |
| |властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами |
| |рефракції використовується для відбиття, передачі або |
| |поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних|
| |шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох |
| |або більше шарів діелектрика або шарових "композицій" |
| |діелектрик/метал. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|16. |Цементований карбід вольфраму не містить інструментальних |
| |матеріалів, які застосовуються для різання та механічної |
| |обробки і складаються з карбіду вольфраму/(кобальт-нікелю),|
| |карбіду титану/(кобальт-нікелю), карбіду хрому/нікель- |
| |хрому і карбіду хрому/нікелю. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|17. |"Технологія", спеціально розроблена для осадження |
| |алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не |
| |підлягає контролю, а саме: |
| |накопичувачі на магнітних дисках і магнітні головки, |
| |обладнання для виробництва разової тари, клапани для |
| |кранів, акустичні діафрагми для гучномовців, деталі |
| |двигунів для автомобілів, різальний інструмент, матриці для|
| |пресування та вирубні штампи, офісне автоматизоване |
| |обладнання, мікрофони, медичні пристрої або пресформи для |
| |литва або формування пластмаси, виготовлені із сплавів з |
| |вмістом берилію менш як 5%. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|18. |Карбід кремнію не містить матеріали для виготовлення |
| |різального або формувального інструменту. |
|----+-----------------------------------------------------------|
|19. |Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні |
| |матеріали, що містять 5 вагових % або більше глини чи |
| |цементу, незалежно від того, чи є вони окремим складовим |
| |"компонентом", чи входять у керамічні матеріали, в їх |
| |комбінації. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Технічні примітки до таблиці |
| "Технічні методи осадження покриття" |
|----------------------------------------------------------------|
|Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення |
|покриття", визначаються таким способом: |
|----------------------------------------------------------------|
|a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення |
|зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що |
|покривається, в якому метал, сплав, "композиційний" матеріал, |
|діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку |
|(основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на |
|поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні |
|елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду|
|або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки|
|плазмовим розрядом або променем "лазера". |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. Хімічне осадження з парової фази (CVD) |
|примітки. |включає такі процеси: безпакетне нанесення |
| |покриття прямим газовим струменем, |
| |газоциркуляційне хімічне осадження, |
| |кероване зародження центрів конденсації при |
| |термічному осадженні (CNTD) або хімічне |
| |осадження з парової фази (CVD) з |
| |використанням плазми. |
| |2. Пакет - підкладка (основа), занурена в |
| |порошкову суміш. |
| |3. Газоподібні реагенти, що використовуються|
| |у безпакетному процесі, можна отримати за |
| |допомогою базових реакцій та параметрів, які|
| |використовуються при і цементації, за |
| |винятком, коли підкладка, на яку наноситься |
| |покриття, не має контакту із сумішшю |
| |порошків. |
|----------------------------------------------------------------|
|b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням |
|(TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під |
|тиском менш як 0,1 Па, коли джерело теплової енергії |
|використовується для перетворення на пару матеріалу, що |
|наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що випаровується, |
|конденсуються або осаджуються на підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для |
|створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|Використання іонних або електронних променів або плазми для |
|активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною |
|модифікацією цього процесу. Використання моніторів для |
|забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини |
|покриття під час процесу може бути характерною особливістю таких|
|процесів. |
|----------------------------------------------------------------|
|Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання |
|полягає у тому, що: |
|----------------------------------------------------------------|
|1) при ЕВ-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який |
|формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний|
|промінь; |
|----------------------------------------------------------------|
|2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити |
|контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу |
|покриття, використовується електричний опір; |
|----------------------------------------------------------------|
|3) під час випаровування "лазером" для випаровування матеріалу, |
|що формує покриття, використовується імпульсний або |
|безперервний "лазерний" промінь; |
|----------------------------------------------------------------|
|4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги |
|використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує |
|покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після |
|миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером). |
|Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та |
|виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та |
|розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама |
|камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що|
|розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; |
|----------------------------------------------------------------|
|Особлива примітка. |Зазначений у підпункті 4 процес не |
| |стосується нанесення покриття довільною |
| |катодною дугою без зміщення напруги. |
|----------------------------------------------------------------|
|5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD |
|процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується для|
|іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне |
|зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню|
|складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних |
|реагентів, випаровування твердих матеріалів у камері, а також |
|використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі |
|нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття, |
|є звичайними модифікаціями процесу. |
|----------------------------------------------------------------|
|c. Порошкове цементування - модифікація методу нанесення |
|покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього |
|покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), що |
|складається з: |
|1) металевих порошків, які входять до складу покриття (зазвичай |
|алюміній, хром, кремній або їх комбінація); |
|2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та |
|3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію). |
|Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка |
|нагрівається від 1030 K (+757 град.C) до 1375 K (+1102 град.C) |
|на час, який достатній для нанесення покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|d. Плазмове напилення - процес нанесення зовнішнього покриття, |
|коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій утворюється і |
|керується плазма, використовує порошок або дріт з матеріалу |
|покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, в яких |
|формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення |
|може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або |
|високошвидкісною плазмою. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. Низький тиск - це тиск, нижчий за |
|примітки. |атмосферний. |
| |2. Високошвидкісна плазма визначається |
| |швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с,|
| |розрахованої при температурі 293 K |
| |(20 град.C) та тиску 0,1 МПа. |
|----------------------------------------------------------------|
|e. Осадження із суспензії - процес нанесення покриття з |
|модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або |
|керамічний порошок з органічною сполучною речовиною |
|суспензований в рідині та наноситься на підкладку за допомогою |
|напилення, занурення або фарбування з наступним повітряним або |
|пічним сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних |
|властивостей покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|f. Осадження розпиленням - процес нанесення зовнішнього |
|покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху, |
|коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в |
|напрямку до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається).|
|Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів |
|на поверхні мішені та їх осадження на підкладку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Особливі |1. У таблиці наведені відомості тільки щодо |
|примітки. |тріодного, магнетронного або реактивного |
| |осадження розпиленням, які застосовуються |
| |для збільшення адгезії матеріалу покриття та|
| |швидкості його нанесення, а також щодо |
| |радіочастотного підсилення напилення, яке |
| |використовується під час нанесення |
| |пароутворювальних неметалевих матеріалів для|
| |покриття. |
| |2. Низькоенергетичні іонні промені (менше |
| |ніж 5 КеВ) можуть бути використані для |
| |прискорення (активації) процесу нанесення |
| |покриття. |
|----------------------------------------------------------------|
|g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з |
|модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент |
|іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та |
|імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною |
|імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація |
|здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження |
|або осадження розпилюванням. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних |
| методів осадження покриття |
|----------------------------------------------------------------|
| Технічна інформація про таблицю технічних засобів осадження |
| покриття використовується у разі потреби. |
|----------------------------------------------------------------|
|1. |Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях" |
| |для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:|
| |a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні: |
| | 1) склад розчину у ванні: |
| | a) для усунення старого та пошкодженого покриття, |
| | продуктів корозії або сторонніх відкладень; |
| | b) для приготування чистих підкладок; |
| | 2) час оброблення у ванні; |
| | 3) температура ванни; |
| | 4) кількість та послідовність циклів миття; |
| |b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення |
| | ступеня очищення або повноти очисної дози; |
| |c) параметри циклів термічного оброблення: |
| | 1) атмосферні параметри: |
| | a) склад атмосфери; |
| | b) атмосферний тиск; |
| | 2) температура термічної обробки; |
| | 3) тривалість термічної обробки; |
| |d) параметри підготовки підкладок: |
| | 1) параметри піскоструминного очищення: |
| | a) склад часток; |
| | b) розмір та форма часток; |
| | c) швидкість подачі часток; |
| | 2) час та послідовність циклів очищення після |
| | піскоструминного очищення; |
| | 3) параметри кінцевого оброблення поверхні; |
| | 4) використання зв'язувальних для посилення адгезії; |
| |e) технічні параметри маскування: |
| | 1) матеріал маски; |
| | 2) розміщення маски. |
|---+------------------------------------------------------------|
|2. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", |
| |які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у |
| |таблиці: |
| |a) атмосферні параметри: |
| | 1) склад атмосфери; |
| | 2) атмосферний тиск; |
| |b) часові параметри; |
| |c) температурні параметри; |
| |d) параметри товщини; |
| |e) коефіцієнт параметрів заломлення; |
| |f) контроль складу покриття. |
|---+------------------------------------------------------------|
|3. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", |
| |які використовуються після нанесення покриття на підкладку, |
| |зазначену в таблиці: |
| |a) параметри дробоструминної обробки: |
| | 1) склад дробу; |
| | 2) розмір дробу; |
| | 3) швидкість подавання дробу; |
| |b) параметри очищення після обробки дробом; |
| |c) параметри циклу термічної обробки: |
| | 1) атмосферні параметри: |
| | a) склад атмосфери; |
| | b) атмосферний тиск; |
| | 2) температурно-часові цикли; |
| |d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання |
| | покритих підкладок. |
|---+------------------------------------------------------------|
|4. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" |
| |для визначення технічних прийомів, які гарантують якість |
| |покриття підкладок, зазначених у таблиці: |
| |a) критерії статистичного відбіркового контролю; |
| |b) мікроскопічні критерії для: |
| | 1) збільшення покриття; |
| | 2) рівномірності товщини покриття; |
| | 3) цілісності покриття; |
| | 4) складу покриття; |
| | 5) зчеплення покриття та підкладки; |
| | 6) мікроструктурної однорідності; |
| |c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей |
| | (вимірювані як функція довжини хвилі): |
| | 1) відбивна властивість; |
| | 2) прозорість; |
| | 3) поглинання; |
| | 4) розсіювання. |
|---+------------------------------------------------------------|
|5. |Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" |
| |та параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з |
| |процесами видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці: |
| |a) для хімічного осадження з парової фази (CVD): |
| | 1) склад та формування джерела покриття; |
| | 2) склад несучого газу; |
| | 3) температура підкладки; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 5) контроль газу та маніпулювання деталями; |
| |b) для термічного випарювання - фізичного осадження з |
| | парової фази (PVD): |
| | 1) склад зливка або джерела матеріалу покриття; |
| | 2) температура підкладки; |
| | 3) склад активного газу; |
| | 4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування |
| | матеріалу; |
| | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 6) маніпуляція променем та деталлю; |
| | 7) параметри "лазера": |
| | a) довжина хвилі; |
| | b) щільність потужності; |
| | c) тривалість імпульсу; |
| | d) періодичність імпульсів; |
| | e) джерело; |
| |c) для твердофазного осадження: |
| | 1) склад обмазки та формування; |
| | 2) склад несучого газу; |
| | 3) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| |d) для плазмового напилення: |
| | 1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів; |
| | 2) склад та параметри газу, що подається; |
| | 3) температура підкладки; |
| | 4) параметри потужності плазмової гармати; |
| | 5) дистанція напилення; |
| | 6) кут напилення; |
| | 7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку; |
| | 8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями; |
| |e) для осадження розпиленням: |
| | 1) склад та спосіб виробництва мішені; |
| | 2) геометричне регулювання положення деталей та мішені; |
| | 3) склад хімічно активного газу; |
| | 4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення); |
| | 5) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 6) потужність тріода; |
| | 7) маніпулювання деталлю; |
| |f) для іонної імплантації: |
| | 1) контроль променя та маніпулювання деталлю; |
| | 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| | швидкості осадження; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| |g) для іонного покриття: |
| | 1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю; |
| | 2) елементи конструкції джерела іонів; |
| | 3) техніка контролю за іонним променем та параметрами |
| | швидкості осадження; |
| | 4) температурно-часові цикли та цикли тиску; |
| | 5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість |
| | випаровування; |
| | 6) температура підкладки; |
| | 7) параметри електричного зміщення підкладки. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3. |ЕЛЕКТРОНІКА | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус обладнання та "компонентів", |
| | зазначених у позиції 3.A, інших, ніж описані у |
| | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, |
| | які спеціально призначені або мають такі |
| | функціональні характеристики, як і інше |
| | обладнання, визначається контрольним статусом |
| | іншого обладнання. |
| |2. Контрольний статус інтегральних схем, зазначених|
| | у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12,|
| | програми яких не можуть бути змінені або які |
| | призначені для виконання конкретних функцій для |
| | іншого обладнання, визначається контрольним |
| | статусом іншого обладнання. |
| |3. Контрольний статус обладнання та "компонентів", |
| | зазначених у розділі 3, які спеціально |
| | розроблені або безпосередньо можуть бути |
| | використані для виконання функцій "захисту |
| | інформації", визначається з урахуванням |
| | критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 |
| | (Захист інформації). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Особлива |Якщо виробник або заявник не може визначити статус |
|примітка. |контролю за іншим обладнанням, то цей статус |
| |визначається статусом контролю за інтегральними |
| |схемами, зазначеними в позиціях 3.A.1.a.3 - |
| |3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.1. |Електронні "компоненти" та | |
|[3A001] |спеціально призначені "компоненти" | |
| |для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) інтегральні мікросхеми загального| |
| | призначення: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Контрольний статус готових пластин або |
| |напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна |
| |функція, визначається параметрами, зазначеними у |
| |позиції 3.A.1.a. |
| |2. Інтегральні схеми включають такі типи: |
| |"монолітні інтегральні схеми"; |
| |"гібридні інтегральні схеми"; |
| |"багатокристалічні інтегральні схеми"; |
| |"плівкові інтегральні схеми", включаючи інтегральні|
| |схеми типу кремній на сапфірі; |
| |"оптичні інтегральні схеми". |
|------------+---------------------------------------------------|
| |1) інтегральні схеми, спроектовані |з 8542 |
| | або класифіковані виробником як | |
| | радіаційно стійкі для того, щоб | |
| | витримати будь-що з наведеного | |
| | нижче: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3 | |
| | a) загальну дозу 5 х 10 рад | |
| | (кремній) або вище; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 6 | |
| | b) межу потужності дози 5 х 10 | |
| | рад (кремній)/секунда або | |
| | вище; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) флюенс (інтегральна густота | |
| | потоку) нейтронів (еквівалент | |
| | 13 | |
| | 1 Ме-В) 5 х 10 нейтронів/кв.см | |
| | або вище на кремнії, або його | |
| | еквівалент для інших матеріалів; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до структур |
| |метал-діелектрик-напівпровідник (MIS). |
|------------+---------------------------------------------------|
| |2) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 |
| | "мікросхеми мікрокомп'ютера", | |
| | мікросхеми мікроконтролера, | |
| | інтегральні схеми пам'яті, | |
| | виготовлені із складного | |
| | напівпровідника, перетворювачі з | |
| | аналогової форми у цифрову, | |
| | перетворювачі з цифрової форми в | |
| | аналогову, електрооптичні або | |
| | "оптичні інтегральні схеми", | |
| | призначені для "оброблення | |
| | сигналів", логічні пристрої з | |
| | експлуатаційним програмуванням, | |
| | інтегральні схеми нейронної | |
| | мережі, інтегральні схеми на | |
| | замовлення, для яких не відома | |
| | або функція, або стан контролю | |
| | обладнання, у якому буде | |
| | використана інтегральна схема, | |
| | процесори швидкого перетворення | |
| | Фур'є (FFT), програмована | |
| | постійна пам'ять із стиранням | |
| | електричним струмом (EEPROMs), | |
| | імпульсна пам'ять або статична | |
| | пам'ять з довільною вибіркою | |
| | (SRAMs), які мають будь-яку | |
| | з наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працездатні при температурі | |
| | навколишнього середовища понад | |
| | 398 K (+125 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працездатні при температурі | |
| | навколишнього середовища нижче | |
| | 218 K (-55 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працездатні за межами діапазону | |
| | температур навколишнього | |
| | середовища від 218 K | |
| | (-55 град.C) до 398 K | |
| | (+125 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| |3) "мікросхеми мікропроцесора", |з 8542 |
| | "мікросхеми мікрокомп'ютера" і | |
| | мікросхеми мікроконтролерів, які | |
| | виготовлені з напівпровідникових | |
| | з'єднань та працюють з тактовою | |
| | частотою понад 40 МГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори цифрових |
| |сигналів, цифрові матричні процесори і цифрові |
| |співпроцесори. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |4) інтегральні схеми пам'яті, |з 8542 |
| | виготовлені на основі | |
| | напівпровідникових з'єднань; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |5) інтегральні схеми аналого- |з 8542 |
| | цифрових та цифро-аналогових | |
| | перетворювачів: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) аналого-цифрові перетворювачі, | |
| | які мають будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) роздільну здатність 8 біт або | |
| | більше, але меншу ніж 10 біт | |
| | при швидкості виведення даних | |
| | більш як 500 млн. слів | |
| | за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) роздільну здатність 10 біт або | |
| | більше, але меншу ніж 12 біт | |
| | при швидкості виведення даних | |
| | більш як 200 млн. слів за | |
| | чсекунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) роздільну здатність 12 біт при | |
| | швидкості виведення даних | |
| | більше ніж 105 млн. слів | |
| | за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) роздільну здатність більшу | |
| | ніж 12 біт, але дорівнює або | |
| | менше ніж 14 біт, при швидкості| |
| | виведення даних більш як | |
| | 10 млн. слів за секунду; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 5) роздільну здатність більше | |
| | ніж 14 біт при швидкості | |
| | виведення даних більш як | |
| | 2,5 млн. слів за секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) цифро-аналогові перетворювачі з | |
| | роздільною здатністю 12 біт або | |
| | більше та "часом установлення" | |
| | менш як 10 нс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Роздільна здатність n біт відповідає 2n рівням |
|примітки. |квантування. |
| |2. Кількість біт у виведеному слові дорівнює |
| |роздільній здатності аналого-цифрового |
| |перетворювача. |
| |3. Швидкість виведення даних є максимальною |
| |швидкістю виведення даних перетворювача незалежно |
| |від архітектури або надлишкової дискретизації |
| |(вибірки). Постачальники можуть також посилатись на|
| |швидкість виведення даних як на частоту |
| |дискретизації, швидкість перетворення або пропускну|
| |здатність. Вона зазвичай визначається у мегагерцах |
| |(МГц) або мегавибірках за секунду (MSPS). |
| |4. Для цілей вимірювання швидкості виведення даних |
| |одне виведене слово за секунду є еквівалентом |
| |одного Герца або однієї вибірки за секунду. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |6) електронно-оптичні або "оптичні | |
| | інтегральні схеми" для | |
| | "оброблення сигналів", які мають:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) один внутрішній "лазерний" діод |з 85421 |
| | або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) один внутрішній світлочутливий | |
| | елемент або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) оптичні хвилеводи; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |7) пристрої, що програмуються |з 8542 |
| | користувачем, які мають одну з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) максимальну кількість цифрових | |
| | входів/виходів більшу як 200; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) кількість вентилів системи понад| |
| | 230000; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Позиція 3.A.1.a.7 включає: |
| |прості програмовані логічні пристрої (SPLD); |
| |складні програмовані логічні пристрої (CPLD); |
| |вентильні матриці з можливістю програмування |
| |користувачем (FPGA); |
| |логічні матриці з можливістю програмування |
| |користувачем (FPLA); |
| |схеми з'єднань з можливістю програмування |
| |користувачем (FPIC). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Логічні пристрої з можливістю програмування |
|примітка. |користувачем, відомі також як вентильні або логічні|
| |матриці з можливістю програмування користувачем. |
| |2. Максимальною кількістю входів/виходів, |
| |зазначених у позиції 3.A.1.a.7.a, називають також |
| |максимальну кількість входів/виходів користувача |
| |або максимально доступну кількість входів/виходів |
| |як для корпусних, так і для безкорпусних |
| |інтегральних схем. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |8) не використовується з 1999 року; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |9) інтегральні схеми для нейронних |з 8542 |
| | мереж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |10) інтегральні схеми на замовлення,|з 8542 30 |
| | функція яких не відома, або | |
| | контрольний статус обладнання, у| |
| | якому використовуватимуться | |
| | зазначені інтегральні схеми, не | |
| | відомі виробнику, що мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) більш ніж 1500 терміналів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) типовий "час затримки поширення | |
| | базового логічного елемента" | |
| | менш як 0,02 нс; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) робочу частоту понад 3 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |11) цифрові інтегральні схеми, що |8542 13 99 00,|
| | відрізняються від зазначених у |8542 14 99 00,|
| | позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 |8542 19 98 00,|
| | та 3.A.1.a.12, які створені на |8542 12 00 00 |
| | основі будь-якого складного | |
| | напівпровідника і мають будь-яку| |
| | з наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) еквівалентну кількість вентилів | |
| | понад 3000 (у перерахунку на | |
| | двовходові); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) частоту перемикання понад | |
| | 1,2 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |12) процесори швидкісного |з 8542, 8543 |
| | перетворення Фур'є (FFT), які | |
| | мають номінальний час виконання | |
| | для N-позначкового комплексного | |
| | швидкісного перетворення Фур'є | |
| | менш як (N log )/20480 мкс, | |
| | 2 | |
| | де N - кількість позначок; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у позиції |
|примітка. |3.A.1.a.12 визначає час виконання 500 мкс. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |b) прилади мікрохвильового та | |
| | міліметрового діапазону: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) електронні вакуумні лампи та | |
| | катоди: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають |
| |лампи, призначені або нормовані для роботи у будь- |
| |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним |
| |нижче характеристикам: |
| |a) максимальна робоча частота якого не перевищує |
| |31,8 ГГц; та |
| |b) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" |
| |(ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для |
| |радіовизначення. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають |
| |"не придатні для використання в космосі" лампи, які|
| |відповідають наведеним нижче характеристикам: |
| |a) середня вихідна потужність дорівнює або менше |
| |ніж 50 Вт; та |
| |b) призначені або класифіковані для роботи в будь- |
| |якому діапазоні частот, який відповідає наведеним |
| |нижче характеристикам: |
| | 1) вище 31,8 ГГц, але не перевищує 43,5 ГГц; та |
| | 2) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку"|
| |(ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для |
| |радіовизначення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |a) лампи біжучої хвилі імпульсної |8540 79 00 00 |
| | або безперервної дії: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) з робочою частотою понад | |
| | 31,8 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) які мають елемент підігрівання | |
| | катода з часом від моменту | |
| | включення до виходу лампи на | |
| | номінальну радіочастотну | |
| | потужність менше ніж 3 с; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) лампи із сполученими | |
| | резонаторами або їх | |
| | модифікації з "відносною | |
| | шириною смуги частот" понад 7% | |
| | або з піковою потужністю понад | |
| | 2,5 кВт; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) спіральні лампи або їх | |
| | модифікації, які мають одну з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | становить понад 1 октаву і | |
| | добуток номінальної середньої | |
| | вихідної потужності (у кВт) на | |
| | максимальну робочу частоту | |
| | (у ГГц) становить понад 0,5; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | становить 1 октаві або менше і | |
| | добуток номінальної середньої | |
| | вихідної потужності (у кВт) на | |
| | максимальну робочу частоту | |
| | (у ГГц) становить понад 1; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) "придатні для використання в | |
| | космосі"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) лампи - підсилювачі магнетронного|8540 71 00 00 |
| | типу з коефіцієнтом підсилення | |
| | понад 17 дБ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) імпрегновані катоди для |8540 79 00 00 |
| | електронних ламп, які виробляють | |
| | густину струму при безперервній | |
| | емісії за штатних умов | |
| | експлуатації понад 5 А/кв.см; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |2) підсилювачі потужності на |8542 |
| | монолітних інтегральних схемах | |
| | мікрохвильового діапазону (MMIC),| |
| | що мають будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 4 Вт (36 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги | |
| | частот" більше ніж 15%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 16 ГГц включно з середньою | |
| | вихідною потужністю більше ніж | |
| | 1 Вт (30 дБм) і "відносною | |
| | шириною смуги частот" більше | |
| | ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 16 ГГц до 31,8 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги | |
| | частот" більше ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють для роботи на частотах | |
| | понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц | |
| | включно з середньою вихідною | |
| | потужністю більше ніж 0,25 Вт | |
| | (24 дБм) і "відносною шириною | |
| | смуги частот" більше ніж | |
| | 10%; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | f) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягає|
| |обладнання радіомовних супутників, призначене або |
| |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до|
| |42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус ММІС, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, визначених у позиціях |
| |3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f, визначається нижчим |
| |середнім значенням вихідної потужності. |
| |3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3 означають,|
| |що згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не |
| |підлягають MMIC, якщо вони спеціально призначені |
| |для інших застосувань, наприклад, у |
| |телекомунікаційному зв'язку, РЛС, автомобілях. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |3) дискретні мікрохвильові |8541 |
| | транзистори, які мають будь-яку | |
| | з наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 31,8 ГГц включно і мають | |
| | середню вихідну потужність | |
| | більше ніж 20 Вт (43 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 0,5 Вт (27 дБм); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно і | |
| | мають середню вихідну потужність| |
| | більше ніж 1 Вт (30 дБм); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Контрольний статус транзистора, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях |
| |3.A.1.b.3.a - 3.A.1.b.3.e, визначається нижчим |
| |середнім показником вихідної потужності. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |4) мікрохвильові твердотільні |8543 |
| | підсилювачі та мікрохвильові | |
| | збірки/модулі, які містять | |
| | мікрохвильові підсилювачі, що | |
| | мають будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з | |
| | середньою вихідною потужністю | |
| | більше ніж 60 Вт (47,8 дБм) і | |
| | "відносною шириною смуги частот"| |
| | більше ніж 15%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) працюють на частотах понад 6 ГГц| |
| | до 31,8 ГГц включно з середньою | |
| | вихідною потужністю більше ніж | |
| | 15 Вт (42 дБм) і "відносною | |
| | шириною смуги частот" більше | |
| | ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) працюють на частотах понад | |
| | 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | d) працюють на частотах понад | |
| | 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно | |
| | з середньою вихідною | |
| | потужністю більше ніж 1 Вт | |
| | (30 дБм) і "відносною шириною | |
| | смуги частот" більше ніж 10%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | e) працюють на частотах понад | |
| | 43,5 ГГц; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | f) працюють на частотах понад | |
| | 3,2 ГГц і мають такі | |
| | характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) середню вихідну потужність (у | |
| | ватах) більше ніж 150, | |
| | поділених на максимальну робочу| |
| | частоту (у Гігагерцах) у | |
| | квадраті [P > 150 Вт х | |
| | 2 2 | |
| | ГГц /f ]; | |
| | ГГц | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) відносну ширину смуги частот 5%| |
| | або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) будь-які дві сторони, | |
| | перпендикулярні одна одній, | |
| | мають довжину d (в | |
| | сантиметрах), що дорівнює | |
| | або менше ніж 15 см поділених | |
| | на найменшу робочу частоту | |
| | у Гігагерцах [d <= 15 см х | |
| | ГГц/f ]; | |
| | ГГц | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу робочу |
|примітка. |частоту (f ) у формулі, наведеній у позиції 3. |
| | ГГц |
| |A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з розрахованим |
| |робочим діапазоном, що розширюється до 3,2 ГГц і |
| |нижче [d <= 15 см * ГГц/3,2 ГГц]. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Особлива |Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC |
|примітка. |слід оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції|
| |3.A.1.b.2. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає|
| |обладнання радіомовних супутників, призначене або |
| |нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до|
| |42,5 ГГц. |
| |2. Контрольний статус виробу, номінальна робоча |
| |частота якого включає частоти, перелічені в більш |
| |ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях |
| |3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e, визначається нижчим |
| |середнім значенням вихідної потужності. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |5) смугові або загороджувальні |8529 |
| | фільтри з електронним або | |
| | магнітним налагодженням, які | |
| | мають понад 5 налагоджувальних | |
| | резонаторів, що забезпечують | |
| | налагодження в смузі частот, | |
| | з відношенням максимальної | |
| | та мінімальної частот 1,5:1 | |
| | менше ніж за 10 мкс і мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) смугу частот пропускання, що | |
| | становить понад 0,5% | |
| | резонансної частоти; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) смугу загородження, що становить| |
| | менш як 0,5% резонансної | |
| | частоти; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |6) не використовується з 2003 року; |8529 |
| |------------------------------------+--------------|
| |7) перетворювачі та змішувачі на | |
| | гармоніках, призначені для | |
| | розширення частотного діапазону | |
| | обладнання, зазначеного в | |
| | позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.d, | |
| | 3.A.2.e або 3.A.2.f, за межі | |
| | порогових значень, зазначених | |
| | у цих позиціях; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |8) мікрохвильові підсилювачі |з 8540 71 |
| | потужності, які містять | |
| | електронно-вакуумні прилади, | |
| | що підлягають контролю згідно | |
| | з позицією 3.A.1.b.1, і мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) робочу частоту понад 3 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) відношення середньої густини | |
| | вихідної потужності до маси | |
| | понад 80 Вт/кг; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) об'єм, менший ніж 400 куб.см; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає |
| |обладнання, призначене або нормоване для роботи у |
| |будь-якій смузі, що є "виділеною Міжнародним союзом|
| |електрозв'язку (ITU)" для надання послуг |
| |радіозв'язку, але не для радіовизначення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |9) мікрохвильові силові модулі | |
| | (МСМ), що складаються, принаймні,| |
| | з лампи біжучої хвилі, | |
| | мікрохвильової монолітної | |
| | інтегральної схеми та вбудованого| |
| | електронного стабілізатора | |
| | потужності та мають такі | |
| | характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) час вмикання від вимкненого до | |
| | повністю робочого стану - менше | |
| | ніж 10 секунд; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) об'єм менший ніж максимальна | |
| | номінальна потужність (Вт), | |
| | помножена на 10 куб.см/Вт; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | більше ніж 1 октава | |
| | (f > 2f ,) | |
| | max min | |
| | та будь-що з наведеного нижче: | |
| | 1) для частот 18 ГГц і менше - | |
| | вихідна потужність ВЧ-сигналу | |
| | понад 100 Вт; або | |
| | 2) частота понад 18 ГГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Нижче наведено приклад для обчислення об'єму у |
|примітки. |позиції 3.A.1.b.9.b. У разі максимальної |
| |номінальної потужності 20 Вт об'єм дорівнюватиме |
| |20 Вт х 10 куб.см/Вт = 200 куб.см. |
| |2. Час вмикання у позиції 3.A.1.b.9.a. означає час |
| |від вимкненого до повністю робочого стану, тобто |
| |включає час входження МСМ у режим. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |10) осцилятори або зборки | |
| | осциляторів, призначені для | |
| | роботи з усіма наведеними нижче | |
| | характеристиками: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) фазовий шум однієї бокової смуги| |
| | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | |
| | ніж - (126 + 20log F - | |
| | 10 | |
| | 20log f) для | |
| | 10 | |
| | 10 Гц < F < 10 кГц; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) фазовий шум однієї бокової смуги| |
| | (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще | |
| | ніж - (114 + 20log F - | |
| | 10 | |
| | 20log f) для | |
| | 10 | |
| | 10 кГц < F < 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |У позиції 3.A.1.b.10. F - зміщення від робочої |
|примітка. |частоти у Гц, а f - робоча частота у МГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) прилади на акустичних хвилях та | |
| | "спеціально призначені | |
| | компоненти" для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) прилади на поверхневих |8541 60 00 00 |
| | акустичних хвилях і акустичних | |
| | хвилях у тонкій підкладці, які | |
| | мають одну з таких | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) несуча частота понад 6 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) несуча частота понад 1 ГГц, але| |
| | не більше 6 ГГц, і мають | |
| | будь-яку з характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "частотне заглушення бокових | |
| | пелюстків діаграми | |
| | направленості" понад 65 дБ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) добуток максимального часу | |
| | затримки (у мкс) і "миттєвої | |
| | ширини смуги частот" (у МГц) | |
| | понад 100; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "миттєва ширина смуги частот" | |
| | понад 250 МГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) затримка розсіювання понад | |
| | 10 мкс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) несуча частота, яка дорівнює | |
| | 1 ГГц або менше і має одну з | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) добуток максимального часу | |
| | затримки (у мкс) і "миттєвої | |
| | ширини смуги частот" (у МГц) | |
| | понад 100; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) затримка розсіювання понад | |
| | 10 мкс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "частотне заглушення бокових | |
| | пелюстків діаграми | |
| | направленості" понад 65 дБ та | |
| | ширина смуги частот | |
| | понад 100 МГц; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |"Частотне заглушення бокових пелюстків діаграми |
|примітка. |направленості" - максимальне значення затухання, |
| |визначене у довіднику. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) прилади на об'ємних акустичних |8541 60 00 00 |
| | хвилях, що забезпечують | |
| | безпосереднє "оброблення | |
| | сигналів" на частотах | |
| | понад 6 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) акустооптичні прилади |8541 60 00 00 |
| | "оброблення сигналів", які | |
| | використовують взаємодію між | |
| | акустичними хвилями (об'ємними | |
| | чи поверхневими) і світловими | |
| | хвилями, що забезпечує | |
| | безпосереднє "оброблення | |
| | сигналів" або зображення, | |
| | включаючи аналіз спектра, | |
| | кореляцію або згортку; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.c. контролю не підлягають |
| |прилади на акустичних хвилях, використання яких |
| |обмежене фільтруванням простої смуги, |
| |низькочастотним фільтруванням, високочастотним |
| |фільтруванням, вузькосмуговим режекторним |
| |фільтруванням або резонансною функцією. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |d) електронні прилади або схеми, які|8542 50 00 00 |
| | містять елементи, виготовлені з | |
| | "надпровідних" матеріалів, | |
| | спеціально спроектовані для | |
| | роботи при температурах, нижчих | |
| | від "критичної температури" хоча | |
| | б для однієї з "надпровідних" | |
| | складових, і мають одну з таких | |
| | ознак: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) наявність струмових перемикачів | |
| | для цифрових схем, які | |
| | використовують "надпровідні" | |
| | вентилі, в яких добуток часу | |
| | затримки на вентиль (у секундах)| |
| | і розсіювання потужності на | |
| | вентиль (у ватах) нижче ніж | |
| | -14 | |
| | 10 Дж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) забезпечення селекції частоти на| |
| | всіх діапазонах частот з | |
| | використанням резонансних | |
| | контурів з добротністю більш як | |
| | 10000; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) прилади високої енергії: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) елементи: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) первинні елементи з густиною |з 8506 60, |
| | енергії понад 550 Вт год/кг при|8506 80, |
| | 20 град.C; |8540 10 10 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) вторинні елементи з густиною |з 8506 60, |
| | енергії понад 250 Вт год/кг при|8506 80, |
| | 20 град.C; |8540 10 10 00 |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 густина енергії (Вт |
|примітка. |год/кг) обчислюється шляхом множення номінальної |
| |напруги на номінальну ємність в ампер-годинах і |
| |ділення добутку на масу у кілограмах. Якщо |
| |номінальну ємність не зазначено, густина енергії |
| |обчислюється шляхом множення квадрату номінальної |
| |напруги на тривалість розряду в годинах і ділення |
| |добутку на навантаження розряду в омах та на масу у|
| |кілограмах. |
| |2. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 елемент визначається|
| |як електрохімічний пристрій, що має позитивний та |
| |негативний електроди і електроліт, та є джерелом |
| |електричної енергії. Елемент є основним |
| |функціональним блоком батареї. |
| |3. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 первинний елемент є |
| |елементом, який не призначений для зарядження будь-|
| |яким іншим джерелом. |
| |4. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 вторинний елемент є |
| |елементом, який призначений для зарядження |
| |зовнішнім електричним джерелом. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e. контролю не підлягають |
| |батареї, зокрема одноелементні. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) накопичувачі великої енергії: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, |
| | повторення менше ніж 10 Гц |8506 80, |
| | (одноразові накопичувачі), що |8540 10 10 00 |
| | мають такі характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) номінальну напругу не менше | |
| | ніж 5 кВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) густину енергії не менше | |
| | ніж 250 Дж/кг; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) загальну енергію не менше | |
| | ніж 25 кДж; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) накопичувачі енергії з частотою|з 8506 60, |
| | повторення 10 Гц і більше |8506 80, |
| | (багаторазові накопичувачі), |8540 10 10 00 |
| | які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) номінальну напругу не менше |з 8507 80 |
| | ніж 5 кВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) густину енергії не менше | |
| | ніж 50 Дж/кг; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) загальну енергію не менше | |
| | ніж 100 Дж; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) кількість циклів заряду- | |
| | розряду не менше ніж 10000; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "надпровідні" електромагніти та |8505 19 90 00 |
| | соленоїди, спеціально | |
| | спроектовані на повне заряджання| |
| | або розряджання менше ніж за | |
| | 1 секунду, які мають: | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають |
| |"надпровідні" електромагніти або соленоїди, |
| |спеціально призначені для медичної апаратури |
| |магніторезонансної томографії (MRI). |
|------------+---------------------------------------------------|
| | a) максимальну енергію під час | |
| | розряду понад 10 кДж за першу | |
| | секунду; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) внутрішній діаметр | |
| | струмопровідних обмоток понад | |
| | 250 мм; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) номінальну магнітну індукцію | |
| | понад 8 Т або "сумарну густину | |
| | струму" в обмотці понад | |
| | 300 А/кв.мм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) сонячні елементи, збірки | |
| | корпусів міжз'єднань елементів | |
| | (КМЕ), панелі сонячних батарей | |
| | та сонячні батареї, "придатні | |
| | для використання в космосі" та | |
| | мають мінімальний середній | |
| | коефіцієнт корисної дії | |
| | понад 20% при робочій | |
| | температурі 301 K (28 град.C) | |
| | в умовах імітованого освітлення | |
| | AM0 з опроміненням 1367 Вт/кв.м.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |AM0, або нульова повітряна маса, означає |
|примітка. |спектральну щільність потоку сонячного |
| |випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де |
| |відстань між Землею та Сонцем становить одну |
| |астрономічну одиницю (АО). |
|------------+---------------------------------------------------|
| |f) обертові перетворювачі |9031 80 31 10,|
| | абсолютного кутового положення |9031 80 31 90,|
| | вала в кут, які мають точність, |8502 40 |
| | рівну або меншу (кращу) ніж +- 1 | |
| | кутова секунда; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) твердотільні імпульсні силові | |
| | тиристорні перемикачі та | |
| | тиристорні модулі, в яких | |
| | застосовуються методи | |
| | перемикання з електричним, | |
| | оптичним або електронно- | |
| | емісійним керуванням, що мають | |
| | будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну швидкість наростання| |
| | відмикаючого струму (di/dt) | |
| | понад 30000 А/мкс, а напругу у | |
| | замкненому стані понад 1100 В; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальну швидкість наростання| |
| | відмикаючого струму (di/dt) | |
| | понад 2000 А/мкс та всі наведені| |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) пікова напруга у замкненому | |
| | стані дорівнює або більше | |
| | 3000 В; та | |
| | b) піковий (ударний) струм | |
| | дорівнює або більше 3000 А; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Позиція 3.A.1.g включає: |
| |кремнієві керовані діоди (ККД); |
| |електричні пускові тиристори (ЕПТ); |
| |пускові фототиристори (ОПТ); |
| |інтегральні вентильні комутовані тиристори (ІВКТ); |
| |тиристори з вентилями, що запираються (ТВЗ); |
| |МОП-керовані тиристори; |
| |солідтрони. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Для цілей позиції 3.A.1.g тиристорний модуль |
|примітка. |містить один тиристорний пристрій або більше. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |h) твердотільні напівпровідникові | |
| | перемикачі потужності, діоди або | |
| | модулі, які мають такі | |
| | характеристки: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну номінальну робочу | |
| | температуру переходу більше ніж | |
| | 478 K (215 град.C); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальну періодичну напругу в| |
| | закритому стані (блокуючу | |
| | напругу) понад 300 В; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) тривало допустимий струм більше | |
| | ніж 1 А. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 1. |Максимальна періодична напруга в закритому стані, |
| |зазначена в позиції 3.A.1.h, включає напругу стік- |
| |виток, напругу коллектор-емитер, максимальну |
| |періодичну зворотну напругу та максимальну |
| |періодичну напругу в закритому стані. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 2. |Пункт 3.A.1.h включає: |
| |польові транзистори з управляючим p-n-переходом |
| |(JFET); |
| |польові транзистори з вертикальним управляючим |
| |p-n-переходом (VJFET); |
| |польові транзистори із структурою метал-оксид- |
| |напівпровідник (MOSFET); |
| |польові транзистори із структурою метал-оксид- |
| |напівпровідник, виготовлені методом подвійної |
| |дифузії (DMOSFET); |
| |біполярні транзистори з ізольованим затвором |
| |(IGBT); |
| |транзистори з високою рухомістю електронів (HMET); |
| |біполярні площинні транзистори (BJT); |
| |тиристори та кремнієві керовані діоди (SCR); |
| |тиристори з комутованим затвором (GTO); |
| |тиристори з вимкненням емітера (ETO); |
| |регульовані резистивні діоди; |
| |діоди Шотткі. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка 3. |Згідно з позицією 3A001.h. контролю не підлягають |
| |перемикачі, діоди або модулі, що входять до складу |
| |в обладнання, призначеного для застосування у |
| |цивільних автомобілях, на цивільній залізниці або у|
| |"цивільних літальних апаратах". |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Відповідно до позиції 3.A.1.h модуль містить один |
|примітка. |або більше твердотільних силових напівпровідникових|
| |вимикачів або діодів. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.2. |Електронна апаратура загального | |
|[3A002] |призначення: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |а) записувальна апаратура і |8520 32 99 00 |
| | спеціально призначена для неї | |
| | вимірювальна стрічка: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) накопичувачі на магнітній плівці| |
| | для аналогової апаратури, | |
| | включаючи накопичувачі з | |
| | можливістю запису цифрових | |
| | сигналів (тобто, що | |
| | використовують модуль цифрового | |
| | запису високої щільності (HDDR),| |
| | які мають одну з наведених нижче| |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) смугу частот понад 4 МГц на | |
| | електронний канал або доріжку; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) смугу частот понад 2 МГц на | |
| | електронний канал або доріжку | |
| | при кількості доріжок понад 42;| |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) помилку непогодження змінної | |
| | шкали, виміряну із | |
| | застосуванням документів | |
| | Асоціації електронної | |
| | промисловості (EIA) або IRIG, | |
| | менше ніж +- 0,1 мкс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Аналогові магнітофони, спеціально створені для |
| |цілей цивільного відео, не вважаються |
| |накопичувачами на плівці. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) цифрові відеомагнітофони, які |з 8521 10, |
| | мають максимальну роздільну |8521 90 00 00 |
| | здатність цифрового інтерфейсу | |
| | понад 360 Мбіт/с; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають |
| |цифрові стрічкові відеомагнітофони, спеціально |
| |спроектовані для телевізійного запису з |
| |використанням форми сигналу, що може включати форму|
| |стисненого сигналу за стандартами або |
| |рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку |
| |(ITU), Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), |
| |Спілки кіно- та телевізійних інженерів (SMPTE), |
| |Європейського союзу радіомовлення (EBU), |
| |Європейського інституту стандартів зв'язку (ETSI) |
| |або Інституту інженерів - спеціалістів у галузі |
| |електротехніки та електроніки (ІЕЕЕ), для |
| |цивільного телебачення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 3) накопичувачі на магнітній плівці|з 8521 10 |
| | для цифрової апаратури, що | |
| | використовує методи спірального | |
| | сканування або фіксованих | |
| | магнітних головок, які мають | |
| | одну з таких характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | а) максимальна пропускна здатність| |
| | цифрового інтерфейсу понад | |
| | 175 Мбіт/с; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) за технічними умовами "придатні| |
| | для використання в космосі"; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають |
| |аналогові накопичувачі на магнітній плівці, |
| |оснащені електронікою для перетворення в цифровий |
| |запис високої щільності (HDDR) та призначені для |
| |запису лише цифрових даних. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 4) апаратура з максимальною |8521 90 00 00 |
| | пропускною здатністю цифрового | |
| | інтерфейсу понад 175 Мбіт/с, | |
| | призначена для перетворення | |
| | цифрових відеомагнітофонів у | |
| | пристрої запису даних цифрової | |
| | апаратури; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 5) цифрові перетворювачі форми |з 8543 |
| | хвилі та перехідні реєстратори, | |
| | які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) швидкість цифрового | |
| | перетворення, що дорівнює або | |
| | більше ніж 200 млн. операцій | |
| | за секунду з роздільною | |
| | здатністю 10 біт або більше; та| |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) безперервну пропускну | |
| | здатність 2 Гбіт/с і більше; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |1. Для зазначених приладів з паралельною шиною |
|примітка. |швидкість безперервної пропускної здатності є |
| |добутком найбільшого обсягу слів на кількість біт у|
| |слові. |
| |2. Безперервна пропускна здатність - це найвища |
| |швидкість, з якою прилад може виводити дані в |
| |накопичувач без втрати інформації та водночас |
| |підтримувати швидкість вимірювання та функцію |
| |аналого-цифрового перетворення. |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 6) накопичувачі для цифрової | |
| | апаратури, що використовують | |
| | методи накопичення на магнітних | |
| | дисках, які мають: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) швидкість цифрового | |
| | перетворення, що дорівнює | |
| | або більше ніж 100 млн. | |
| | операцій за секунду та | |
| | роздільну здатність 8 біт | |
| | або більше; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) безперервну пропускну | |
| | здатність 1 Гбіт/с або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) "електронні збірки" "синтезаторів|з 8543, |
| | частоти", які мають "час |8570 10 90 00 |
| | перемикання частоти" з однієї на | |
| | іншу менше ніж 1 мс; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Статус контролю за аналізаторами сигналів, |
| |генераторами сигналів, мережевими аналізаторами і |
| |приймачів-тестерів мікрохвильового діапазону як |
| |автономних приладів визначається відповідно |
| |позиціями 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. та 3.A.2.f. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) "Аналізатори сигналів" |з 8543, |
| | радіочастоти, наведені нижче: |8570 10 90 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "аналізатори сигналів", які | |
| | здатні аналізувати частоти понад| |
| | 31,8 ГГц, але не більше ніж | |
| | 37,5 ГГц, та мають ширину смуги | |
| | частот з роздільною здатністю | |
| | 3 дБ (RBW), що перевищує 10 МГц;| |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) "аналізатори сигналів", здатні | |
| | аналізувати частоти понад | |
| | 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "динамічні аналізатори сигналів"| |
| | із "шириною смуги частот у | |
| | реальному масштабі часу" понад | |
| | 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають |
| |"динамічні аналізатори сигналів", які |
| |використовують тільки фільтри із смугою пропускання|
| |фіксованих частот (відомі також під назвою октавних|
| |або фракційних октавних фільтрів); |
|------------+---------------------------------------------------|
| |d) генератори сигналів синтезаторів |8543 20 00 00 |
| | частот, які формують вихідні | |
| | частоти з керуванням за | |
| | параметрами точності, | |
| | короткочасної та довгочасної | |
| | стабільності, на основі або | |
| | за допомогою внутрішнього | |
| | задавального генератора еталонної| |
| | частоти і мають одну з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальна синтезована частота | |
| | понад 31,8 ГГц, але не вище | |
| | 43,5 ГГц, та нормована для | |
| | генерації імпульсів тривалістю | |
| | менше ніж 100 нс; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) максимальна синтезована частота | |
| | понад 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) "час перемикання частоти" з | |
| | однієї заданої частоти на іншу | |
| | відповідно до одного з наведених| |
| | нижче варіантів: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) менше ніж 312 пікосекунд; | |
| | b) менше ніж 100 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 1,6 ГГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 3,2 ГГц, але не вище 10,6 ГГц; | |
| | c) менше ніж 250 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 550 МГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 10,6 ГГц, але не вище 31,8 ГГц;| |
| | d) менше ніж 500 мкс для | |
| | будь-якого частотного вікна | |
| | більше 550 МГц в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц;| |
| | або | |
| | e) менше 1 мс в діапазоні | |
| | синтезованих частот вище | |
| | 43,5 ГГц, або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) максимальна синтезована частота | |
| | понад 3,2 ГГц і мають все із | |
| | зазначеного; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) фазовий шум однієї бокової | |
| | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | |
| | краще ніж - (126 + | |
| | 20log F - 20log f) для | |
| | 10 10 | |
| | 10 Гц < F < 10 кГц; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) фазовий шум однієї бокової | |
| | смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, | |
| | краще ніж - | |
| | (114 + 20log F - 20log f) для| |
| | 10 10 | |
| | 10 кГц < F < 500 кГц. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |В позиції 3.A.2.d.4 F є компенсацією робочої |
|примітка. |частоти у Гц і f є робоча частота у МГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Для цілей позиції 3.A.2.d термін "генератори |
| |сигналів синтезаторів" означає генератори довільної|
| |форми сигналу та функції. |
| |2. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає |
| |обладнання, у якому вихідна частота створюється |
| |шляхом додавання або віднімання частот з двох або |
| |більше кварцових генераторів чи шляхом додавання |
| |або віднімання з наступним множенням результуючої |
| |частоти. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічні |1. Генератори довільної форми сигналу та функції |
|примітки. |зазвичай характеризуються частотою вибірки |
| |(наприклад, гігавиборок за секунду), яка |
| |перетворюється у радіочастотну область за допомогою|
| |коефіцієнта Найквіста, що дорівнює 2. Тобто |
| |довільна форма сигналу з частотою 1 гігавибірка за |
| |секунду має здатність безпосередньо забезпечити |
| |вихідну частоту 500 МГц. Або, якщо застосовується |
| |передискредитація, максимальна вихідна частота буде|
| |пропорційно нижче. |
| |2. "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 |
| |визначається як проміжок часу між переднім фронтом |
| |імпульсу, який досягає 90% максимуму, і заднім |
| |фронтом імпульсу, який досягає 10% максимуму; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |e) мережеві аналізатори з |з 8543, |
| | максимальною робочою частотою |8470 10 90 00 |
| | понад 43,5 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |f) приймачі-тестери мікрохвильового |8527 90 98 00 |
| | діапазону, які мають усі наведені| |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) максимальну робочу частоту понад| |
| | 40 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) здатні одночасно вимірювати | |
| | амплітуду та фазу; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) атомні еталони частоти: |8543 20 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) "придатні для використання в | |
| | космосі"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) що не є рубідієвими та мають | |
| | довготривалу стабільність | |
| | (старіння) менше (краще) | |
| | -11 | |
| | 1 х 10 /місяць; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) не "придатні для використання в | |
| | космосі" та мають усі наведені | |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) є рубідієвими еталонами; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) довготривала стабільність | |
| | (старіння) менше (краще) | |
| | -11 | |
| | 1 х 10 /місяць; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | c) сумарна потужність, що | |
| | споживається, менше 1 Вт. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають |
| |рубідієві еталони, не "придатні для використання в |
| |космосі". |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.A.3 |Системи терморегулювання з |з 8424 |
| |охолодженням шляхом розбризкування, | |
| |що використовують обладнання із | |
| |замкнутим контуром для маніпулювання| |
| |рідиною та її регенерації в | |
| |герметичній оболонці, в якій | |
| |діелектрична рідина розбризкується | |
| |на електронні "компоненти" з | |
| |використанням спеціально призначених| |
| |розпилювачів, спроектовані таким | |
| |чином, щоб підтримувати температуру | |
| |електронних "компонентів" у межах їх| |
| |робочого температурного діапазону, а| |
| |також "спеціально призначені | |
| |компоненти" для них. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, | |
| |КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B.1 |Обладнання для виробництва | |
|[3B001] |напівпровідникових приладів або | |
| |матеріалів, наведене нижче, і | |
| |спеціально створені "компоненти" та | |
| |оснащення для них: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) обладнання для епітаксійного | |
| | вирощування: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання, здатне виробляти шар|з 8419 89 |
| | будь-якого матеріалу, крім | |
| | кремнію, з відхиленням товщини | |
| | не більше ніж +- 2,5% на довжині| |
| | 75 мм або більше. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для |
| |епітаксії атомних шарів (ALE); |
|------------+---------------------------------------------------|
| | 2) обладнання хімічного осадження з|з 8419 89 |
| | металоорганічної парової фази | |
| | (MOCVD), спеціально розроблене | |
| | для вирощування кристалів | |
| | складних напівпровідників за | |
| | допомогою хімічних реакцій між | |
| | матеріалами, зазначене у | |
| | позиціях 3.C.3 або 3.C.4; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) молекулярно-променеве обладнання|з 8419 89 |
| | епітаксійного вирощування, у | |
| | якому застосовані газові або | |
| | твердотільні джерела; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) обладнання для іонної |8456 10 10 00,|
| | імплантації, яке має одну з |8456 10 90 00 |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) енергія пучка (прискорювальна | |
| | напруга) понад 1 МеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) спеціально спроектоване та | |
| | оптимізоване для функціонування | |
| | при енергії пучка | |
| | (прискорювальній напрузі) менше | |
| | ніж 2 кеВ; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) здатне до безпосереднього | |
| | запису; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 4) призначене для | |
| | високоенергетичної | |
| | імплантації кисню в нагріту | |
| | "підкладку" напівпровідникового | |
| | матеріалу з енергією пучка | |
| | 65 кеВ або більше і струмом | |
| | пучка 45 мА або більше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) обладнання для сухого травлення |з 8456 99, |
| | анізотропною плазмою: |8456 91 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) з покасетним обробленням пластин| |
| | та подачею їх через | |
| | завантажувальні шлюзи, яке має | |
| | одну з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для обладнання, | |
| | яке підлягає контролю за | |
| | позицією 3.B.1. e та має одну | |
| | з наведених нижче характеристик:| |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) призначене або оптимізоване для| |
| | створення критичних розмірів | |
| | 180 нм або менше з точністю | |
| | +- 5% (3 сигма); | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) призначене для генерації менше | |
| | ніж 0,04 частки/кв.см з | |
| | вимірюваним розміром частки | |
| | більше ніж 0,1 мм у діаметрі; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) обладнання для хімічного |з 8456 99, |
| | осадження з парової фази (CVD) та|8456 91 00 00 |
| | плазмової стимуляції: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання з покасетним | |
| | обробленням пластин і подачею | |
| | їх через завантажувальні шлюзи, | |
| | спроектоване відповідно до | |
| | технічних умов виробника або | |
| | оптимізоване для використання у | |
| | виробництві напівпровідникових | |
| | приладів з критичними розмірами | |
| | 180 нм або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання, спеціально | |
| | спроектоване для апаратури, яка | |
| | підлягає контролю згідно з | |
| | позицією 3.B.1.e, і спроектоване| |
| | відповідно то технічних умов | |
| | виробника або оптимізоване для | |
| | використання у виробництві | |
| | напівпровідникових приладів з | |
| | критичними розмірами 180 нм | |
| | або менше; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) багатокамерні системи з |8456 10 10 00,|
| | центральним автоматичним |8456 10 90 00,|
| | завантаженням напівпровідникових |з 8456 99, |
| | пластин, що мають усі наведені |8456 91 00 00 |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) інтерфейси для завантаження та | |
| | вивантаження пластин, до яких | |
| | повинні приєднуватися більше ніж| |
| | дві одиниці обладнання для | |
| | оброблення напівпровідників; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) призначені для комплексної | |
| | системи послідовного | |
| | багатопозиційного оброблення | |
| | пластин у вакуумі; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають |
| |автоматичні робототехнічні системи завантаження |
| |пластин, не призначених для роботи у вакуумі; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |f) обладнання літографії: |9009 22 90 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання багаторазового | |
| | суміщення та експонування | |
| | (безпосередньо на "підкладці") | |
| | або обладнання крокового | |
| | сканування для оброблення | |
| | пластин методами фотооптичної | |
| | або рентгенівської літографії, | |
| | яке має будь-яку з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) наявність джерела освітлення з | |
| | довжиною хвилі коротшою ніж | |
| | 245 нм; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) спроможність виробляти зразки | |
| | з мінімальним визначеним | |
| | типовим розміром 180 нм або | |
| | менше; | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|Технічна |Мінімальний визначений типовий | |
|примітка. |розмір можна розрахувати за | |
| |формулою: | |
| |
| (довжина хвилі випромінювання світла в нм) х (К фактор) |
| MRF= ------------------------------------------------------ , |
| цифрова апертура |
| |
| |де K фактор = 0,45, а MRF - | |
| |мінімальний визначений типовий | |
| |розмір. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
| | 2) обладнання друкованої | |
| | літографії, здатне виробляти | |
| | малюнок з типовим розміром | |
| | 180 нм або менше. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|Примітка. |Позиція 3.B.1.f.2 включає: | |
| |мікроконтактні друкарські верстати; | |
| |верстати гарячого тиснення; | |
| |верстати друкованої літографії з | |
| |нанометровою роздільною здатністю; | |
| |верстати друкованої літографії з | |
| |мультиплікацією (S-FIL). | |
|------------+------------------------------------+--------------|
| | 3) обладнання, спеціально |8456 10 10 00,|
| | призначене для виробництва |8456 10 90 00 |
| | шаблонів або виготовлення | |
| | напівпровідникових приладів з | |
| | використанням методів | |
| | безпосереднього формування | |
| | малюнка, що має всі наведені | |
| | нижче характеристики: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | a) використовує такий, що | |
| | відхиляється, сфокусований | |
| | електронний, іонний або | |
| | "лазерний" пучок; та | |
| |------------------------------------+--------------|
| | b) має будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 1) розмір плями менше ніж | |
| | 0,2 мкм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 2) здатність виробляти малюнок з | |
| | мінімальним розміром | |
| | розділення менше ніж 1 мкм; | |
| | або | |
| |------------------------------------+--------------|
| | 3) точність суміщення шарів краще| |
| | +- 0,2 мкм (3 сигма); | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) шаблони (маски) або фотошаблони |9010 90 10 00,|
| | для інтегральних схем, що |9010 90 90 00 |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позицією 3.A.1; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |h) багатошарові шаблони (маски) з |9010 90 10 00,|
| | фазозсувним шаром; |9010 90 90 00 |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають |
| |багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені |
| |для виробництва запам'ятовувальних пристроїв, які |
| |не контролюються згідно з позицією 3.A.1. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |i) шаблони для друкованої | |
| | літографії, призначені для | |
| | інтегральних схем, які | |
| | контролюються згідно з | |
| | позицією 3.A.1. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.B.2. |Обладнання для випробувань, |9031 80 39 10,|
|[3B002] |спеціально призначене для |9031 80 39 90 |
| |випробувань готових або | |
| |напівфабрикатних напівпровідникових | |
| |приладів і спеціально створені | |
| |"компоненти" та аксесуари до нього: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) для вимірювання S-параметрів | |
| | транзисторних приладів на | |
| | частотах понад 31,8 ГГц; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) не використовується з 2004 року; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) для випробувань мікрохвильових | |
| | інтегральних схем, що | |
| | контролюються згідно з | |
| | позицією 3.A.1.b.2. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C. |МАТЕРІАЛИ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.1. |Гетероепітаксійні матеріали, що |3818 00 90 00 |
|[3C001] |складаються з підкладки та кількох | |
| |послідовно нанесених епітаксійних | |
| |шарів, які мають будь-яку з | |
| |наведених нижче складових: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) кремній; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) германій; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) карбід кремнію; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) сполуки III/V галію або індію. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.2. |Матеріали резистів і підкладки, | |
|[3C002] |наведені нижче, покриті резистами, | |
| |що підлягають контролю: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) позитивні резисти, призначені для|8541 40 99 00 |
| | напівпровідникової літографії, | |
| | спеціально пристосовані для | |
| | використання довжиною хвилі менше| |
| | ніж 245 нм; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 |
| | використання під час експонування| |
| | електронними та іонними пучками, | |
| | з чутливістю 0,01 мкКл/кв.мм | |
| | або краще; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) усі резисти, призначені для |8541 40 99 00 |
| | використання рентгенівського | |
| | випромінювання, з чутливістю | |
| | 2,5 мДж/кв.мм або краще; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) усі резисти, оптимізовані для |8541 40 99 00 |
| | технології формування малюнка, | |
| | включаючи силіційовані резисти; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) усі резисти, призначені або | |
| | оптимізовані для використання з | |
| | обладнанням для літографічного | |
| | друку, зазначеним у позиції | |
| | 3.B.1.f.2, що використовує | |
| | термічний технологічний процес | |
| | або процес твердіння під дією | |
| | світла. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Методи силіціювання - це процеси, які включають |
|примітка. |оксидування поверхні резисту для підвищення якості |
| |мокрого та сухого проявлення. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.3. |Органо-неорганічні сполуки: | |
|[3C003] |------------------------------------+--------------|
| |a) металоорганічні сполуки на основі|з 2931 00 95, |
| | алюмінію, галію або індію, які |2931 00 95 00 |
| | мають чистоту металевої основи | |
| | понад 99,999%; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) органо-арсенові, органо- |з 2931 00 95 |
| | сурм'янисті та органо-фосфорні | |
| | сполуки, які мають чистоту основи| |
| | неорганічного елемента понад | |
| | 99,999%. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті |
| |сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві|
| |елементи яких безпосередньо пов'язані з вуглецем |
| |органічної частки молекули. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.4. |Гідриди фосфору, арсену або сурми, |2848 00 00 00,|
|[3C004] |які мають чистоту понад 99,999% |2850 00 10 00 |
| |навіть після розведення інертними | |
| |газами або воднем. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають |
| |гідриди, що містять 20% або більше молей інертних |
| |газів чи водню. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.C.5. |"Підкладки" з карбіду кремнію (SiC),| |
| |нітриду галію (GaN), нітриду галію- | |
| |алюмінію (AlGaN) або злитки, булі, | |
| |або інші преформи цих матеріалів, | |
| |що мають питомий опір понад 10000 | |
| |Ом-см при 20 град.C. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.C.6. |"Підкладки", зазначені в позиції | |
| |3.C.5, які мають щонайменше один | |
| |епітаксиальний шар з карбіду | |
| |кремнію, нітриду галію, нітриду | |
| |алюмінію або нітриду галію-алюмінію.| |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.1. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 |
|[3D001] |створене для "розроблення" або | |
| |"виробництва" обладнання, що | |
| |підлягає контролю згідно з позиціями| |
| |3.A.1.b - 3.A.2.g або 3.B. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.2. |"Програмне забезпечення", спеціально|з 8524 |
|[3D002] |призначене для "використання" | |
| |обладнання, що підлягає контролю | |
| |згідно з позицями 3.B.1.a - 3.B.2. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.D.3. |"Програмне забезпечення" для |з 8524 |
|[3D003] |заснованого на фізичних процесах | |
| |моделювання, спеціально призначене | |
| |для "розроблення" процесів | |
| |літографії, травлення або осадження | |
| |з метою втілення маскувальних | |
| |шаблонів у конкретні топологічні | |
| |малюнки провідників, діелектриків | |
| |або напівпровідникових матеріалів. | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Термін "заснований на фізичних процесах" у позиції |
|примітка. |3.D.3 означає використання розрахунків з метою |
| |визначення послідовності причин та наслідків |
| |фізичного характеру, які визначаються фізичними |
| |властивостями (наприклад, температурою, тиском, |
| |коефіцієнтами дифузії і властивостями |
| |напівпровідникових матеріалів). |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для |
| |проектування напівпровідникових приладів чи |
| |інтегральних схем розглядаються як "технологія". |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.D.4. |Програмне забезпечення, спеціально |з 8524 |
|[3D004] |призначене для "розроблення" |з 8471 70 |
| |обладнання, що підлягає контролю | |
| |згідно з позицією 3.A.3. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E.1. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, |
|[3E001] |особливих приміток для "розроблення"|3706, 8524, |
| |або "виробництва" обладнання чи |4901 99 00 00,|
| |матеріалів, що підлягають контролю |4906 00 00 00 |
| |згідно з позиціями 3.A, 3.B або 3.C.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає |
| |"технологія" для "виробництва" обладнання або |
| |"компонентів", які контролюються згідно з позицією |
| |3.A.3. |
| |2. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |інтегральних схем, що контролюються згідно з |
| |позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі |
| |наведені нижче характеристики: |
| |a) використовують "технології" 0,5 мкм або вище; та|
| |b) не містять багатошарові структури. |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |Термін багатошарові структури не включає прилади, |
|примітка. |які містять максимум три шари металу та три шари |
| |полікремнію. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.E.2. |"Технологія" відповідно до пункту 1 |з 3705, |
|[3E002] |особливих приміток інша, ніж та, що |3706, 8524, |
| |контролюється згідно з позицією |з 8471 70 |
| |3.E.1 для "розроблення" або |4901 99 00 00,|
| |"виробництва" "мікросхем |4906 00 00 00 |
| |мікропроцесорів", "мікросхем | |
| |мікрокомп'ютерів" та ядер мікросхем | |
| |мікроконтролерів, що мають | |
| |арифметично-логічний пристрій з | |
| |шириною доступу 32 біта або більше | |
| |та будь-яку з наведених нижче ознак | |
| |або характеристик: | |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) блок векторного процесора, | |
| | призначений виконувати два або | |
| | більше обчислень з векторами з | |
| | плаваючою крапкою (одномірна | |
| | матриця 32 біт або більшим | |
| | числом біт) одночасно; | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Технічна |"Блок векторного процесора" - це елемент процесора |
|примітка. |з вбудованими командами, який одночасно виконує |
| |множину обчислень з векторами з плаваючою крапкою |
| |(одномірні матриці з 32 біт або більшим числом |
| |біт), який має щонайменше один векторний |
| |арифметично-логічний пристрій; |
|------------+---------------------------------------------------|
| |b) здатний давати більше двох 64 біт| |
| | або з більшим числом біт | |
| | результатів операцій з плаваючою | |
| | крапкою за цикл; або | |
| |------------------------------------+--------------|
| |c) здатний давати більше чотирьох 16| |
| | біт результатів множення з | |
| | накопиченням з фіксованою крапкою| |
| | (наприклад, цифрові маніпуляції з| |
| | аналоговою інформацією, яку було | |
| | попередньо перетворено у цифрову | |
| | форму - процес, відомий також як | |
| | цифрове оброблення сигналів). | |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягають|
| |технології для розширення мультимедійних засобів. |
| |2. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягає |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |ядер мікропроцесорів, які мають усі наведені нижче |
| |характеристики: |
| | 1) використовують "технології" на рівні 0,13 мкм |
| | або вище; та |
| | 2) містять багатошарові структури з п'ятьма або |
| | більше шарами металу. |
| |3. Згідно з позицією 3.E.2 контролю також |
| |підлягають "технології" для процесорів цифрових |
| |сигналів та матричних процесорів. |
|------------+---------------------------------------------------|
|3.E.3. |Інші "технології" для "розроблення" |з 3705, |
|[3E003] |або "виробництва": |3706,8524, |
| | |4901 99 00 00,|
| | |4906 00 00 00 |
| |------------------------------------+--------------|
| |a) вакуумних мікроелектронних | |
| | приладів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |b) напівпровідникових приладів на | |
| | гетероструктурах таких, як | |
| | транзистори з високою рухливістю | |
| | електронів (HEMT), біполярні | |
| | транзистори на гетероструктурі | |
| | (HBT), приладів з квантовими | |
| | ямами та приладів на надрешітках.| |
|------------+---------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає |
| |технологія для транзисторів з високою рухливістю |
| |електронів (HEMT), які працюють на частотах нижчих |
| |ніж 31,8 ГГц, та біполярних транзисторів на |
| |гетероструктурі (HBT), які працюють на частотах |
| |нижчих ніж 31,8 ГГц. |
|------------+---------------------------------------------------|
| |c) "надпровідних" електронних | |
| | приладів; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |d) підкладок з плівок алмазу для | |
| | електронних "компонентів"; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |e) підкладок, що мають структуру | |
| | типу "кремній-на-діелектрику" | |
| | (SOI) для інтегральних схем, у | |
| | яких ізолятором є двоокис кремію;| |
| |------------------------------------+--------------|
| |f) кремній-вуглецевих підкладок для | |
| | "компонентів" електронних схем; | |
| |------------------------------------+--------------|
| |g) електронних вакуумних ламп, які | |
| | працюють на частоті 31,8 ГГц або | |
| | вище. | |
|------------+------------------------------------+--------------|
|3.E.4. |"Послуги та роботи" (відповідно до | |
| |особливої примітки щодо послуг та | |
| |робіт) стосовно товарів подвійного | |
| |використання, зазначених у позиціях | |
| |3.A, 3.B, 3.C, 3.D або 3.E. | |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4. |КОМП'ЮТЕРИ |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне |
| |забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку |
| |або в "локальних мережах", підлягають контролю з |
| |урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 |
| |розділу 5 (Зв'язок). |
| |2. Блоки управління, які безпосередньо з'єднують між |
| |собою шини або канали центральних процесорів, |
| |"оперативну пам'ять" або контролери накопичувачів на |
| |дисках, не розглядаються як телекомунікаційне |
| |обладнання, описане в частині 1 розділу 5 (Зв'язок). |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо контрольного статусу "програмного забезпечення",|
|примітка. |спеціально призначеного для комутації пакетів, див. |
| |позицію 5.D.1 частини 1 розділу 5 (Зв'язок). |
| |3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне |
| |забезпечення", що виконують функції криптографії, |
| |криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або |
| |"багаторівневого захисту", що підлягає сертифікації |
| |або ізолювання користувача, або такі, що обмежують |
| |електромагнітну сумісність (EMC), підлягають контролю|
| |з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 |
| |розділу 5 (Захист інформації). |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.A.1. |Електронні комп'ютери і "супутнє |з 8471 |
|[4A001] |обладнання", наведені нижче, та | |
| |"електронні збірки" і спеціально | |
| |призначені компоненти": | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |a) спеціально призначені і мають будь-| |
| | яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 1) розраховані для функціонування | |
| | при температурі навколишнього | |
| | середовища нижче 228 K | |
| | (-45 град.C) або понад 358 K | |
| | (+85 град.C). | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають |
| |комп'ютери, спеціально призначені для використання в |
| |цивільних автомобілях або залізничних поїздах. |
|----------+-----------------------------------------------------|
| | 2) стійкі до радіації з параметрами | |
| | вищими, ніж будь-який з наведених | |
| | нижче: | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 3 | |
| | a) загальна доза 5 х 10 рад (Si); | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | b) доза випромінювання, що викликає | |
| | 6 | |
| | збій 5 х 10 рад (Si)/с; або | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | -7 | |
| | c) одиничний збій 1 х 10 | |
| | похибка/біт/ день; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |b)** мають характеристики або | |
| | виконують функції, які перевищують | |
| | межі, зазначені у частині 2 | |
| | розділу 5 (Захист інформації). | |
|----------------------------------------------------------------|
|______________ |
| ** Товар, для одержання дозволу (висновку)|
|Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого|
|експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається|
|погодження Адміністрації Держспецзв'язку. |
|----------------------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.A.1.b контролю не підлягають |
| |електронні комп'ютери та пов'язане з ними обладнання,|
| |якщо вони перевозяться у супроводі їх користувача |
| |для використання ним особисто. |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4.A.2. |Виключено | |
|[4A002] | | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.A.3. |"Цифрові комп'ютери", "електронні |8471 10 10 00 |
|[4A003] |збірки" і "супутнє обладнання" до них,| |
| |наведені нижче, та "спеціально | |
| |призначені компоненти" для них: | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Позиція 4.A.3 включає таке: |
| | a) векторні процесори; |
| | b) матричні процесори; |
| | c) процесори цифрових сигналів; |
| | d) логічні процесори; |
| | e) обладнання для "поліпшення якості зображення"; |
| | f) обладнання для "оброблення сигналу". |
| |2. Контрольний статус "цифрових комп'ютерів" та |
| |супутнього обладнання до них, описаних у позиції 4. |
| |A.3, визначається контрольним статусом інших систем |
| |або обладнання, якщо: |
| |a) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до |
| | них мають істотне значення для роботи іншого |
| | обладнання або систем; |
| |b) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до |
| | них, яке не є "основним елементом" інших систем чи|
| | обладнання; та |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Особливі |1. Статус контролю за обладнанням, спеціально |
|примітки. |призначеним для "оброблення сигналу" або "поліпшення |
| |якості зображення", або для іншого обладнання з |
| |функціями, обмеженими функціональним призначенням |
| |іншого обладнання, визначається статусом контролю |
| |іншого обладнання, навіть якщо воно перевищує |
| |критерій "основного елемента"; |
| |2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або |
| |супутнього обладнання для телекомунікаційних систем |
| |визначається з урахуванням критеріїв, зазначених у |
| |частині 1 розділу 5 (Зв'язок); |
| |c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та |
| | супутнього обладнання, що належить до них, |
| | регулюється позицією 4.E. |
|----------+-----------------------------------------------------|
| |a) призначені або модифіковані для |з 8471 30, |
| | забезпечення "відмовостійкості". |8471 41 10 00 |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |"Цифрові комп'ютери" та "супутнє обладнання" до них, |
| |наведені у позиції 4.A.3.a, не вважаються |
| |призначеними або модифікованими для забезпечення |
| |"відмовостійкості", якщо в них використовується будь-|
| |що з наведеного нижче: |
| |1) алгоритми виявлення або виправлення помилок, які |
| |зберігаються в "оперативній пам'яті"; |
| |2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів" такий, |
| |що у разі відмови активного центрального процесора |
| |очікувальний процесор (який одночасно стежить за |
| |діями центрального процесора) може забезпечити |
| |продовження функціонування системи; |
| |3) взаємозв'язок двох центральних процесорів через |
| |канали передачі даних або з використанням пам'яті |
| |загального призначення такий, що забезпечує |
| |можливість одному центральному процесору виконувати |
| |іншу роботу, поки другий центральний процесор не |
| |відмовить, тоді перший центральний процесор бере його|
| |роботу на себе, щоб продовжити функціонування |
| |системи; або |
| |4) синхронізація двох центральних процесорів, |
| |виконана через "програмне забезпечення" таким чином, |
| |що перший центральний процесор розпізнає, коли |
| |відмовляє другий центральний процесор, і бере на себе|
| |виконання його завдання; |
|----------+-----------------------------------------------------|
| |b) "налаштовану максимальну |з 8471 30, |
| | продуктивність" ("Adjusted Peak |8471 41 10 00 |
| | Performance" ("APP") понад 0,75 | |
| | зваженого терафлопсу (WT); | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |c) "електронні збірки", спеціально |з 8471 30 |
| | призначені або модифіковані для | |
| | підвищення продуктивності шляхом | |
| | агрегування процесорів, у | |
| | результаті якого "налаштована | |
| | максимальна продуктивність" | |
| | перевищує межу, зазначену в | |
| | позиції 4.A.3.b. | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю підлягають |
| |лише "електронні збірки" та програмовані |
| |взаємозв'язки, які не перевищують межу, зазначену у |
| |позиції 4.A.3.b, у разі постачання їх у вигляді |
| |необ'єднаних "електронних збірок". Контролю не |
| |підлягають "електронні збірки", які за своєю |
| |конструкцією придатні тільки для використання як |
| |"супутнє обладнання", яке підлягає контролю згідно з |
| |позицією 4.A.3.e. |
| |2. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю не |
| |підлягають "електронні збірки", спеціально призначені|
| |для виробу або цілого ряду виробів, які у своїй |
| |максимальній конфігурації не перевищують межу, |
| |зазначену в позиції 4.A.3.b. |
|----------+-----------------------------------------------------|
| |d) виключено; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |e) обладнання, що здійснює аналого- |з 8542 |
| | цифрові перетворення, які | |
| | перевищують межі, зазначені в | |
| | позиції 3.A.1.a.5; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |f) виключено; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |g) обладнання, спеціально призначене |8525 20 91 00,|
| | для забезпечення зовнішнього |8525 20 99 00,|
| | міжсистемного зв'язку "цифрових |8543 85 95 00 |
| | комп'ютерів" або супутнього | |
| | обладнання, що дає змогу здійснити | |
| | зв'язок із швидкістю передачі даних| |
| | понад 1,25 Гбайт/с. | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не підлягає |
| |обладнання внутрішнього з'єднання (наприклад, плати, |
| |шини тощо), обладнання пасивного з'єднання, |
| |"контролери доступу до мережі" або "контролери |
| |каналів зв'язку". |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4.A.4. |Комп'ютери і спеціально призначене |з 8471 |
|[4A004] |"супутнє обладнання" до них, | |
| |"електронні збірки" та "компоненти" | |
| |для них: | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |a) "комп'ютери із систолічною | |
| | матрицею"; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |b) "нейронні комп'ютери"; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |c) "оптичні комп'ютери". | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ | |
| |І ВИРОБНИЦТВА | |
| |Відсутнє | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.C. |МАТЕРІАЛИ | |
| |Відсутні | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |Статус контролю "програмного забезпечення" для |
| |"розроблення", "виробництва" або "використання" |
| |обладнання, описаного в інших розділах, визначається |
| |відповідним розділом. Статус контролю "програмного |
| |забезпечення" для обладнання, описаного в цьому |
| |розділі, пов'язаний з наведеним нижче. |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4.D.1. |"Програмне забезпечення": | |
|[4D001] |--------------------------------------+--------------|
| |a) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| | спеціально призначене або | |
| | модифіковане для "розроблення", | |
| | "виробництва" чи "використання" | |
| | обладнання або "програмного | |
| | забезпечення", зазначеного в | |
| | позиціях 4.A чи 4.D; | |
| |--------------------------------------+--------------|
| |b) "програмне забезпечення", інше, ніж|з 8524 |
| | те, що підлягає контролю згідно з |з 8471 70 |
| | позицією 4.D.1.a, спеціально | |
| | призначене або модифіковане для | |
| | "розроблення" або "виробництва": | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 1) "цифрових комп'ютерів", які мають | |
| | "налаштовану максимальну | |
| | продуктивність" ("НМП") понад 0,1 | |
| | зважених терафлопсів (WT); | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 2) "електронних збірок", спеціально | |
| | призначених або модифікованих для | |
| | підвищення продуктивності шляхом | |
| | агрегування процесорів, у | |
| | результаті якого "НМП" агрегації | |
| | перевищує межу, зазначену в | |
| | позиції 4.D.1.b.1. | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.D.2. |"Програмне забезпечення", спеціально |з 8524 |
|[4D002] |призначене або модифіковане для | |
| |підтримки "технології", зазначеної в | |
| |позиції 4.E. | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.D.3. |"Програмне забезпечення", яке має |з 8524 |
|[4D003] |характеристики або виконує функції, | |
| |які перевищують межі, установлені в | |
| |частині 2 розділу 5 (Захист | |
| |інформації). | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 4.D.3 контролю не підлягає |
| |"програмне забезпечення", якщо воно перевозиться у |
| |супроводі його користувача для використання ним |
| |особисто. |
|----------+-----------------------------------------------------|
|4.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.E.1. |"Технологія": | |
|[4E001] |--------------------------------------+--------------|
| |a) "технологія" відповідно до пункту 1|з 3705, 3706, |
| | особливих приміток для |з 8524, |
| | "розроблення", "виробництва" або |4901 99 00 00,|
| | "використання" обладнання чи |4906 00 00 00 |
| | "програмного забезпечення", що | |
| | підлягають контролю згідно з | |
| | позиціями 4.A або 4.D. | |
|----------+-----------------------------------------------------|
|Примітка. |Код технології згідно з УКТЗЕД ( 2371а-14, 2371б-14, |
| | 2371в-14, 2371г-14 ) визначається кодом носія, на |
| |якому вона передається. |
|----------+-----------------------------------------------------|
| |b) "технологія", інша, ніж та, що | |
| | підлягає контролю згідно з позицією| |
| | 4.E.1.a, спеціально призначена або | |
| | модифікована для "розроблення" або | |
| | "виробництва": | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 1) "цифрових комп'ютерів", які мають | |
| | "НМП" понад 0,1 зваженого | |
| | терафлопсу (WT); або | |
| |--------------------------------------+--------------|
| | 2) "електронних збірок", спеціально | |
| | призначених або модифікованих для | |
| | підвищення продуктивності шляхом | |
| | агрегування процесорів, у | |
| | результаті якого "НМП" агрегації | |
| | перевищує межу, зазначену в | |
| | позиції 4.E.1.b.1. | |
|----------+--------------------------------------+--------------|
|4.E.2. |"Послуги та роботи" (відповідно до | |
| |особливої примітки щодо послуг та | |
| |робіт) стосовно товарів подвійного | |
| |використання, зазначених у позиціях | |
| |4.A, 4.D або 4.E. | |
------------------------------------------------------------------
Технічна примітка щодо обчислення "налаштованої максимальної продуктивності"
"APP" - налаштована максимальна швидкість, з якою "цифрові комп'ютери" здійснюють 64-розрядні або більшої розрядності операції підсумовування та множення з плаваючою точкою.
Скорочення, що використовуються у цій Технічній примітці:
n - кількість процесорів у "цифровому комп'ютері";
i - процесор номер (i,...n);
ti - час циклу процесора (ti = 1/Fі);
Fi - частота процесора;
Ri - максимальна швидкість обчислень з плаваючою точкою;
Wi - коефіцієнт налаштування архітектури (archіtecture adjustment factor).
"APP" виражається у зважених терафлопсах (WT), тобто одиницях, що дорівнюють 1012 налаштованим операціям з плаваючою точкою за секунду.
СТИСЛИЙ ЗМІСТ МЕТОДУ ОБЧИСЛЕННЯ "APP"
1. Для кожного процесора "i" визначається максимальна кількість здійснюваних зазначеним процесором, що входить до складу "цифрового комп'ютера", 64-розрядних або більшої розрядності операцій з плаваючою точкою за цикл.
------------------------------------------------------------------
|Примітка. |Під час визначення кількості операцій з плаваючою |
| |точкою (FPO) враховуються тільки 64-розрядні або |
| |більшої розрядності операції підсумовування та/або |
| |множення. Усі операції з плаваючою точкою треба |
| |виражати величиною кількості операцій за цикл |
| |процесора; операції, що потребують багато циклів, |
| |можна виражати у часткових результатах за цикл. Для |
| |процесорів, не здатних здійснювати обчислення з |
| |плаваючою точкою над 64-розрядними або більш довгими |
| |операндами, ефективна швидкість обчислення R дорівнює|
| |нулю. |
------------------------------------------------------------------
2. Розраховується швидкість операцій з плаваючою точкою R для кожного процесора R = FPO /t . i i i
3. Розраховується "APP" за формулою:
"APP" = W х R + W х R + ... + W х R . 1 1 2 2 n n
4. Для "векторних процесорів" W = 0.9. Для невекторних i
процесорів W = 0.3. i
Технічна примітка щодо обчислення "налаштованої максимальної продуктивності"
------------------------------------------------------------------
|Примітки. |1. Для процесорів, які здійснюють у циклі складні |
| |операції, наприклад, підсумовування та множення, |
| |враховується кожна операція. |
| |2. Для процесора з конвеєрною обробкою даних |
| |ефективна швидкість обчислення R вище конвеєрної |
| |швидкості, якщо конвеєр завантажено повністю, або |
| |швидкості у разі не конвеєрної обробки. |
| |3. Швидкість обчислення R кожного з процесорів, що |
| |входять до кластера (агрегації), повинна |
| |обчислюватися за її максимального значення, що є |
| |теоретично можливим до досягнення "APP" комбінації. |
| |Допускається існування одночасних операцій, якщо у |
| |посібнику або проспекті виробника зазначені |
| |concurrent, паралельні або одночасні операції. |
| |4. Під час обчислення "APP" не враховуються |
| |процесори, функції яких обмежені вводом/виводом та |
| |периферійними функціями (наприклад, накопичувача на |
| |дисках, зв'язку та монітору). |
| |5. Величини "APP" не треба обчислювати для комбінацій|
| |процесорів, з'єднаних між собою "Локальними |
| |мережами", глобальними мережами, пристроями |
| |вводу/виводу спільного користування, контролерами |
| |вводу/виводу та будь-якими внутрішніми з'єднаннями |
| |зв'язку, які реалізуються за допомогою "програмного |
| |забезпечення". |
| |6. Величини "APP" треба обчислювати для: |
| | 1) комбінацій процесорів, до складу яких входять |
| | процесори, спеціально призначені для підвищення |
| | продуктивності шляхом агрегування, одночасного |
| | функціонування та спільного використання пам'яті; |
| | або |
| | 2) комбінацій багатьох пристроїв пам'яті/процесорів,|
| | які функціонують одночасно з використанням |
| | спеціально призначеного апаратного забезпечення. |
| |7. "Векторний процесор" - це процесор з вбудованими |
| |командами, який одночасно здійснює багато |
| |обчислювальних операцій над векторами з плаваючою |
| |точкою (одновимірні матриці 64-розрядних або більш |
| |довгих чисел), маючи при цьому щонайменше два |
| |векторних функціональних блоки або щонайменше вісім |
| |векторних реєстраторів, кожний з яких має мінімум 64 |
| |елементи. |
------------------------------------------------------------------
------------------------------------------------------------------
| Номер | Найменування та опис товарів за | Код |
| позиції | відповідними групами | товару |
| | | згідно з |
| | | УКТЗЕД |
| | | ( 2371а-14, |
| | | 2371б-14, |
| | | 2371в-14, |
| | | 2371г-14 ) |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5. |Частина 1. ЗВ'ЯЗОК | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. У цьому розділі визначається контрольний статус |
| |"компонентів", "лазерів", випробувального та |
| |"виробничого" обладнання, "програмного |
| |забезпечення", спеціально призначених для |
| |використання в системах та обладнанні зв'язку. |
| |2. "Цифрові комп'ютери", "супутнє обладнання" до |
| |нього або "програмне забезпечення", яке є суттєвим |
| |для використання і підтримки засобів зв'язку, |
| |зазначених у цьому розділі, розглядаються як |
| |"спеціально призначені компоненти" за умови, що вони|
| |є стандартними моделями, які зазвичай постачаються |
| |виробником. Це включає розроблення, адміністрування,|
| |технічне обслуговування, проектування або рекламу |
| |комп'ютерних засобів або систем. |
|-----------+----------------------------------------------------|
|5.A. |СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ | |
|Частина 1. | | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.A.1. |Системи зв'язку, обладнання, | |
|[5A001] |компоненти та аксесуари: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |a) обладнання зв'язку будь-якого |з 8517, |
| | типу, що має будь-яку з наведених |з 8525, |
| | нижче характеристик, властивостей |з 8527, |
| | або функцій: |з 8543, |
| | 1) спеціально призначене для захисту| |
| | від тимчасового електронного | |
| | ефекту або електромагнітного | |
| | імпульсу, що виникають під час | |
| | ядерного вибуху; | |
| | 2) спеціально розроблене з | |
| | підвищеною стійкістю до гамма-, | |
| | нейтронного або іонного | |
| | випромінювання; або | |
| | 3) спеціально призначені для | |
| | функціонування за межами | |
| | інтервалу температур від 218 K | |
| | (-55 град.C) до 397 K | |
| | (+124 град.C); | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає контролю |
| |лише електронне обладнання. |
| |2. Згідно з позиціями 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3 |
| |контролю не підлягає обладнання, призначене або |
| |модифіковане для використання на супутниках зв'язку.|
|-----------+----------------------------------------------------|
| |b) системи та обладнання зв'язку і |з 8517, |
| | спеціально призначені для них |з 8525, |
| | "компоненти" та аксесуари, що |з 8527, |
| | мають будь-яку з наведених нижче |з 8543, |
| | характеристик, функцій або | |
| | особливостей: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) системи підводного зв'язку, які |8518 50 90 00 |
| | мають будь-яку з наведених нижче | |
| | характеристик: | |
| | a) акустична несуча частота | |
| | перебуває за межами діапазону | |
| | від 20 кГц до 60 кГц; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) з використанням електромагнітної|8525 20 91 00,|
| | несучої частоти менше ніж |8525 20 99 00 |
| | 30 кГц; або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | c) з використанням пристроїв |8525 20 91 00,|
| | керування електронним |8525 20 99 00 |
| | випромінюванням; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | d) з використанням у "локальній | |
| | мережі" "лазерів" або | |
| | світловипромінюючих діодів | |
| | (СВД), що мають вихідну довжину | |
| | хвилі більше 400 нм і менше | |
| | 700 нм; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 2) радіоапаратура, яка функціонує в |8525 20 91 00,|
| | діапазоні частот від 1,5 МГц до |8525 20 99 00,|
| | 87,5 МГц і має всі наведені нижче|з 8543 89, |
| | характеристики: |8470 10 90 00 |
| | a) автоматичне прогнозування та | |
| | вибір значення частоти, а також | |
| | "загальної швидкості цифрової | |
| | передачі" на канал для її | |
| | оптимізації; та | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) наявність лінійного підсилювача |8525 10 90 00,|
| | потужності, здатного одночасно |8525 20 91 00,|
| | підтримувати множину сигналів з |8525 20 99 00 |
| | вихідною потужністю 1 кВт або | |
| | більше в частотному діапазоні | |
| | від 1,5 МГц до 30 МГц, або | |
| | 250 Вт, або більше в частотному | |
| | діапазоні від 30 МГц до | |
| | 87,5 МГц, при "миттєвій ширині | |
| | смуги частот" одна октава або | |
| | більше та із вмістом гармонік | |
| | та спотворювань на виході краще | |
| | ніж - 80 дБ; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 3) радіоапаратура, яка використовує | |
| | методи "розширення спектра" або | |
| | методи "стрибкоподібного | |
| | переналагодження частоти", інша, | |
| | ніж зазначена в позиції | |
| | 5.A.1.b.4, і має будь-яку з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | a) наявність кодів розширення, що |8525 20 91 00,|
| | мають можливість програмування |8525 20 99 00 |
| | користувачем; або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) загальна ширина смуги частот |8525 20 91 00,|
| | передачі, яка в 100 і більше |8525 20 99 00 |
| | разів перевищує смугу частот | |
| | одного інформаційного каналу | |
| | і становить понад 50 кГц. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітки. |1. Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не |
| |підлягає радіообладнання, спеціально призначене для |
| |цивільних стільникових систем радіозв'язку. |
| |2. Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не підлягає |
| |обладнання, призначене для експлуатації при вихідній|
| |потужності 1 Вт або менше; |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 4) радіообладнання, в якому |з 8525, |
| | використовується метод |з 8527 |
| | надширокосмугової модуляції з | |
| | кодами ущільнення каналів, | |
| | скремблірування або кодами | |
| | ідентифікації мереж з | |
| | можливістю програмування | |
| | користувачем, яке має будь-яку | |
| | з наведених нижче характеристик: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | a) ширину смуги частот понад | |
| | 500 МГц; або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) "відносну ширину смуги | |
| | частот" 20% або більше; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 5) радіоприймачі з цифровим |з 8527 |
| | керуванням, які мають усі | |
| | наведені нижче характеристики: | |
| | a) кількість каналів понад 1000; | |
| | b) мають "час перемикання частоти" | |
| | менше ніж 1 мс; | |
| | c) здійснюють автоматичний пошук | |
| | або сканують частину | |
| | електромагнітного спектра; | |
| | d) ідентифікують прийнятий сигнал | |
| | або тип передавача; або | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.b.5 контролю не підлягає |
| |радіообладнання, спеціально призначене для |
| |використання разом із цивільними стільниковими |
| |системами радіозв'язку. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 6) виконують функції цифрового |8525 20 91 00,|
| | "оброблення сигналів", які |8525 20 99 00,|
| | забезпечують цифрове кодування |з 8543 89 |
| | мови із швидкістю менше ніж | |
| | 2400 біт/с. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічні |1. Для кодування мови із змінною швидкістю позиція |
|примітки. |5.A.1.b.6 застосовується до виведення даних |
| |кодування мови, що відповідають зв'язній мові. |
| |2. Для цілей позиції 5.A.1.b.6. термін "кодування |
| |мови" визначає методи, під час використання яких |
| |відбираються зразки людської мови, які потім |
| |перетворюються на цифровий сигнал з урахуванням її |
| |специфічних характеристик. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |c) волоконно-оптичні кабелі зв'язку, |8544 70 00 10,|
| | оптичні волокна і "спеціально |8544 70 00 90,|
| | призначені компоненти" для них та |9001 10 10 00,|
| | допоміжне обладнання, наведене |9001 10 90, |
| | нижче: |9001 90 90 00 |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) оптичні волокна завдовжки понад | |
| | 500 м, що мають міцність на | |
| | 9 | |
| | розрив 2 х 10 Н/кв.м або більше,| |
| | яка гарантована виробником; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічна |Контрольні випробування: перевірка на стадіях |
|примітка. |виготовлення або після виготовлення полягає у |
| |прикладанні заданої напруги до волокна завдовжки від|
| |0,5 до 3 м на швидкості ходу від 2 до 5 м/с під час |
| |проходження волокон між провідними валами приблизно |
| |150 мм у діаметрі. При цьому зовнішня навколишня |
| |температура становить 293 К (20 град.C), відносна |
| |вологість - 40%. |
| |Для виконання контрольних випробувань можуть |
| |застосовуватися еквівалентні національні стандарти. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 2) волоконно-оптичні кабелі та | |
| | допоміжне обладнання, призначені | |
| | для використання під водою. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не підлягають |
| |стандартні телекомунікаційні кабелі та аксесуари для|
| |цивільного зв'язку. |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Особливі |1. Для підводних складених кабелів, а також |
|примітки. |з'єднувачів до них див. позицію 8.A.2.a.3. |
| |2. Для волоконно-оптичних корпусних роз'ємів і |
| |з'єднувачів див. позицію 8.A.2.c. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |d) "фазовані антенні ґратки з |з 8529 10 |
| | електронним керуванням діаграми | |
| | направленості", які працюють у | |
| | діапазоні частот понад 31,8 ГГц; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.d контролю не підлягають |
| |"фазовані антенні ґратки з електронним керуванням |
| |діаграми направленості" для систем посадки, |
| |оснащених обладнанням та приладами, що відповідають |
| |вимогам стандартів Міжнародної організації цивільної|
| |авіації (ICAO) для мікрохвильових систем посадки |
| |(MLS); |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |e) радіопеленгаторне обладнання, яке |8527 90 98 00,|
| | працює на частотах понад 30 МГц, |з 8529 90, |
| | має всі з наведених нижче |8470 10 90 00,|
| | характеристик і "спеціально |8543 40 00 00 |
| | призначені компоненти" для нього: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) "пропускання миттєвої ширини |з 8543 89 |
| | смуги частот", що дорівнює | |
| | 10 МГц або більше; та | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 2) здатність здійснювати пеленгацію |з 8543 90 |
| | лінії азимута (пеленга) (LOB) до | |
| | радіопередавачів, з якими немає | |
| | взаємодії, що мають тривалість | |
| | сигналу менше 1 мс; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |f) обладнання для створення навмисних|з 8525 |
| | перешкод, спеціально призначене | |
| | або модифіковане для навмисного та| |
| | вибіркового перешкоджання, | |
| | недопущення використання, | |
| | придушення, погіршення якості або | |
| | блокування послуг мобільного | |
| | зв'язку, яке має будь-яку з | |
| | наведених нижче характеристик, та | |
| | спеціально призначені для нього | |
| | компоненти: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) імітація функцій обладнання для | |
| | мереж радіодоступу (Radio Access | |
| | Network - RAN); або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 2) визначення та використання | |
| | спеціальних характеристик | |
| | протоколу мобільного зв'язку, | |
| | що застосовується (наприклад, | |
| | GSM); або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 3) використовує спеціальні | |
| | характеристики протоколу | |
| | мобільного зв'язку, що | |
| | застосовується | |
| | (наприклад, GSM). | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Особлива |Щодо обладнання для створення навмисних перешкод |
|примітка. |роботі Глобальних супутникових навігаційних систем |
| |(GNSS) див. Список товарів військового призначення, |
| |міжнародні передачі яких підлягають державному |
| |контролю, затверджений постановою Кабінету Міністрів|
| |України від 20 листопада 2003 р. N 1807 |
| |( 1807-2003-п ); |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |g) системи або обладнання пасивної | |
| | когерентної локації, спеціально | |
| | призначені для виявлення та | |
| | відстеження рухомих об'єктів за | |
| | допомогою вимірювання відбиття | |
| | зовнішнього радіочастотного | |
| | випромінювання від | |
| | нерадіолокаційних передатчиків. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічна |Нерадіолокаційні передатчики можуть включати базові |
|примітка. |станції радіозв'язку, телевізійного та стільникового|
| |зв'язку. |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.A.1.g контролю не підлягають: |
| |a) радіоастрономічне обладнання; або |
| |b) системи або обладнання, що потребують |
| |радіопередачі від мішені; |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |h) електронне обладнання призначене | |
| | або модифіковане для передчасної | |
| | активації або запобіганню запуску | |
| | радіокерованих соморобних | |
| | вибухових речовин. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Особлива |Також див. позицію ML11 Списку товарів військового |
|примітка. |призначення, міжнародні передачі яких підлягають |
| |державному контролю, затвердженого постановою |
| |Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. |
| |N 1807 ( 1807-2003-п ). |
|-----------+----------------------------------------------------|
|5.B. |ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ| |
| |І ВИРОБНИЦТВА | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.B.1. |Обладнання для випробування, контролю| |
|[5B001] |та виробництва телекомунікаційного | |
| |обладнання, компоненти та аксесуари, | |
| |які наведені нижче: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |a) обладнання і "спеціально |з 8543 89, |
| | призначені компоненти" або |з 9026 80, |
| | аксесуари для нього, спеціально |з 9030 39, |
| | призначені для "розроблення", |з 9030 89, |
| | "виробництва" або |з 9031 80 |
| | "використання" обладнання, | |
| | функцій або ознак, що підлягають | |
| | контролю згідно з позицією 5.A.1. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.a контролю не підлягає |
| |обладнання для визначення параметрів оптичних |
| |волокон, у якому не використовуються |
| |напівпровідникові "лазери". |
|-----------+----------------------------------------------------|
| |b) обладнання і "спеціально |з 84 |
| | призначені компоненти" та | |
| | аксесуари для нього, спеціально | |
| | призначені для "розроблення" | |
| | будь-якого з наведеного нижче | |
| | обладнання телекомунікаційної | |
| | передачі або комутаційного | |
| | обладнання: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання, яке використовує | |
| | цифрову техніку, призначене для | |
| | роботи із "загальною швидкістю | |
| | цифрової передачі" понад | |
| | 15 Гбіт/с. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість |
|примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, |
| |що має найвищу швидкість передачі; |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 2) обладнання, яке використовує | |
| | "лазер" і має будь-яку з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | a) довжину хвилі передачі понад | |
| | 1750 нм; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) здійснює "оптичне підсилення" з | |
| | використанням фторолегованих | |
| | волоконно-оптичних підсилювачів | |
| | (PDFFA); | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | c) використовує когерентну оптичну | |
| | передачу або когерентну оптичну | |
| | детекторну техніку (так звані | |
| | оптичні гетеродини або | |
| | гомодинну техніку); або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | d) використовує аналогову техніку | |
| | і має смугу пропускання понад | |
| | 2,5 ГГц. | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.B.1.b.2.d контролю не підлягає |
| |обладнання, спеціально призначене для "розроблення" |
| |систем комерційного телебачення. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 3) обладнання, у якому | |
| | використовується "оптична | |
| | комутація"; | |
| | 4) радіообладнання, яке застосовує | |
| | техніку квадратурно-амплітудної | |
| | модуляції (QAM) з рівнем вище | |
| | 256; або | |
| | 5) обладнання з використанням | |
| | "передачі сигналів через спільний| |
| | канал", які працюють в | |
| | непов'язаному режимі. | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.C. |МАТЕРІАЛИ | |
| |Відсутні | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.D. |ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.D.1. |"Програмне забезпечення": | |
|[5D001] |-------------------------------------+--------------|
| |a) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| | спеціально призначене або | |
| | модифіковане для "розроблення", | |
| | "виробництва" чи "використання" | |
| | обладнання, функцій або ознак, | |
| | зазначених у позиції 5.A.1; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |b) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| | спеціально розроблене або | |
| | модифіковане для підтримки | |
| | "технологій", зазначених у | |
| | позиції 5.E.1; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |c) "програмне забезпечення", |з 8524 |
| | спеціально призначене або | |
| | модифіковане для забезпечення | |
| | характеристик, функцій чи ознак | |
| | обладнання, яке підлягає контролю | |
| | згідно з позиціями 5.A.1 або | |
| | 5.B.1; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |d) "програмне забезпечення", |з 8524, |
| | спеціально призначене або |з 8471 70 |
| | модифіковане для "розроблення" | |
| | будь-якого з наведеного нижче | |
| | обладнання телекомунікаційної | |
| | передачі або комутаційного | |
| | обладнання: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 1) обладнання, яке використовує | |
| | цифрову техніку, призначене для | |
| | роботи із "загальною швидкістю | |
| | цифрової передачі" понад | |
| | 15 Гбіт/с; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість |
|примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, |
| |що має найвищу швидкість передачі. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 2) обладнання, яке використовує | |
| | "лазер" і має будь-яку з | |
| | наведених нижче характеристик: | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | a) довжину хвилі передачі понад | |
| | 1750 нм; або | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | b) використовує аналогову техніку | |
| | і має смугу пропускання понад | |
| | 2,5 ГГц; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.D.1.d.2.b не контролюється |
| |"програмне забезпечення", спеціально призначене або |
| |модифіковане для "розроблення" систем комерційного |
| |телебачення. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 3) обладнання, у якому | |
| | використовується "оптична | |
| | комутація"; | |
| | 4) радіообладнання, яке застосовує | |
| | техніку квадратурно-амплітудної | |
| | модуляції (QAM) з рівнем вище | |
| | 256. | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.E. |ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ | |
|-----------+-------------------------------------+--------------|
|5.E.1. |"Технологія": | |
|[5E001] |-------------------------------------+--------------|
| |a) "технологія" відповідно до пункту |з 3705, |
| | 1 особливих приміток для |з 3706, |
| | "розроблення", "виробництва" або |з 8524, |
| | "використання" (за винятком |4901 99 00 00,|
| | експлуатації) обладнання, функцій,|4906 00 00 00 |
| | ознак, зазначених у позиції 5.A.1,| |
| | або "програмного забезпечення", | |
| | зазначеного у позиції 5.D.1.a; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |b) спеціальні "технології" наведені |з 3705, |
| | нижче: |з 3706, |
| | 1) "технологія", "необхідна" для |з 8524, |
| | "розроблення" або "виробництва" |4901 99 00 00 |
| | обладнання зв'язку, спеціально | |
| | призначеного для використання на | |
| | борту супутників; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 2) "технологія" для "розроблення" |4906 00 00 00 |
| | або "використання" комплектів | |
| | апаратури "лазерного" зв'язку з | |
| | можливістю автоматичного захвату | |
| | і супроводження сигналу та | |
| | підтримки зв'язку через екзосферу| |
| | або заглиблене (водне) | |
| | середовище; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 3) "технологія" "розроблення" | |
| | цифрових стільникових систем | |
| | радіозв'язку; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| | 4) "технологія" для "розроблення" | |
| | апаратури, яка використовує | |
| | методи "розширення спектра", | |
| | включаючи методи | |
| | "стрибкоподібного | |
| | переналагодження частоти"; | |
| |-------------------------------------+--------------|
| |c) "технологія" відповідно до пункту |з 3705, |
| | 1 особливих приміток для |3706, 8524, |
| | "розроблення" або "виробництва" |з 8471 70, |
| | будь-якого з наведеного нижче |4901 99 00 00,|
| | обладнання телекомунікаційної |4906 00 00 00 |
| | передачі або комутаційного | |
| | обладнання: | |
| | 1) обладнання, яке використовує | |
| | цифрову техніку, із "загальною | |
| | швидкістю цифрової передачі" | |
| | понад 15 Гбіт/с; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Технічна |Для комутаційного обладнання "загальна швидкість |
|примітка. |цифрової передачі" вимірюється на порту або лінії, |
| |що має найвищу швидкість передачі. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 2) обладнання, яке використовує | |
| | "лазер" і має одну з наведених | |
| | нижче характеристик: | |
| | a) довжину хвилі передачі понад | |
| | 1750 нм; | |
| | b) здійснює "оптичне підсилення" з | |
| | використанням фторолегованих | |
| | волоконно-оптичних підсилювачів | |
| | (PDFFA); | |
| | c) використовує когерентну оптичну | |
| | передачу або когерентну оптичну | |
| | детекторну техніку (так звані | |
| | оптичні геретодини або гомодинну| |
| | техніку); | |
| | d) використовує техніку | |
| | мультиплексного розподілу | |
| | спектрального діапазону оптичних| |
| | несучих не менше ніж з | |
| | інтервалом 100 ГГц; або | |
| | e) використовує аналогову техніку і| |
| | має смугу пропускання понад | |
| | 2,5 ГГц; | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.2.e не контролюється |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |систем комерційного телебачення. |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Особлива |Для "технології" "розроблення" або "виробництва" не |
|примітка. |телекомунікаційного обладнання, що використовує |
| |"лазер", див. позицію 6.E. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | 3) обладнання, у якому | |
| | використовується "оптична | |
| | комутація"; | |
| | 4) радіообладнання, яке має такі | |
| | характеристики: | |
| | a) застосовує техніку квадратурно- | |
| | амплітудної модуляції (QAM) з | |
| | рівнем вище 256; або | |
| | b) працює з вхідними або вихідними | |
| | частотами понад 31,8 ГГц; або | |
|-----------+----------------------------------------------------|
|Примітка. |Згідно з позицією 5.E.1.c.4.b не контролюється |
| |"технологія" для "розроблення" або "виробництва" |
| |обладнання, призначеного або модифікованого для |
| |роботи в будь-якому діапазоні частот, "виділеному |
| |ITU" для надання послуг радіозв'язку, але не для |
| |радіовизначення. |
|-----------+----------------------------------------------------|
| | c) працює в діапазоні частот від | |
| | 1,5 МГц до 87,5 МГц та | |
| | застосовує адаптивні методи | |