У товарних позиціях 8541 і 8542:
(a)(i) "Напівпровідникові прилади" - це напівпровідникові прилади, робота яких залежить від зміни питомого опору внаслідок дії електричного поля та напівпровідникові перетворювачі.
Напівпровідникові прилади можуть також бути збіркою, яка складається із множини елементів, незалежно від того, оснащені вони чи ні допоміжними активними та пасивними допоміжними елементами.
"Напівпровідникові перетворювачі" - це прилади на основі напівпровідників: датчики, приводи, резонатори та генератори, які є дискретними напівпровідниковими приладами, які відповідно до внутрішньої функції здатні перетворити будь-який вид фізичних або хімічних явищ чи дій в електричний сигнал або електричний сигнал у будь-який тип фізичного явища чи дії.
Всі елементи в напівпровідникових перетворювачах нероздільно об’єднані і можуть також включати в себе нероздільно прикріпленні необхідні матеріали, які забезпечують їх конструкцію або функцію.
Наступні терміни означають:
(1) "На основі напівпровідників (або напівпровідниковий)" - це побудовані або виготовлені на напівпровідниковій підкладці або виготовлені з напівпровідникових матеріалів, із застосуванням напівпровідникової технології, в яких напівпровідникова підкладка або матеріал відіграє важливу та незамінну роль для функцій перетворювачів та продуктивності, і робота яких базується на властивостях напівпровідників, включаючи фізичні, електричні, хімічні та оптичні властивості.
(2) "Фізичні або хімічні явища" стосуються таких явищ, як тиск, акустичні хвилі, прискорення, вібрація, рух, орієнтація, деформація, напруженість магнітного поля, напруженість електричного поля, світло, радіоактивність, вологість, витрати (потік рідини), концентрація хімічних речовин і т. д.
(3) "Напівпровідниковий датчик" - це тип напівпровідникового пристрою, який складається з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника і призначені для визначення величин фізичного або хімічного впливу та їх перетворення в електричні сигнали, викликані зміною електричних властивостей або зміщенням механічної структури.
(4) "Напівпровідниковий привід" - це тип напівпровідникового пристрою, який складається з мікроелектронних і механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника і які мають функцію перетворення електричних сигналів у фізичний рух.
(5) "Напівпровідниковий резонатор" - це тип напівпровідникового пристрою, який складається з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника, та який генерує механічні або електричні коливання заданої частоти, що залежить від геометричних розмірів цих структур, у відповідь на зовнішній вхідний сигнал.
(6) "Напівпровідниковий генератор" - це тип напівпровідникового пристрою, який складається з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника, який генерує механічні або електричні коливання заданої частоти, що залежить від геометричних розмірів цих структур.
(ii) "Cвітловипромінювальні (LED) діоди" - це напівпровідникові пристрої на основі напівпровідникових матеріалів, що перетворюють електричну енергію у видимі, інфрачервоні або ультрафіолетові промені, незалежно від того, чи електрично з’єднанні вони один з одним, а також з’єднані або ні із захисними діодами.
Світлодіоди (LED) товарної позиції 8541 не мають елементів для забезпечення електроживлення або регулювання потужності.
(b) термін "електронні інтегровані схеми" означає:
(i) монолітні інтегровані схеми, в яких елементи схеми (діоди, транзистори, резистори, ємності, котушки індуктивності тощо) виконані в об’ємі (переважно) та на поверхні напівпровідника або складного напівпровідникового матеріалу (наприклад, легованого кремнію, арсеніду галію, кремній-германію, фосфіду індію) та нероздільно з’єднані між собою;
(ii) гібридні інтегровані схеми, в яких пасивні елементи (резистори, ємності, котушки індуктивності тощо) виконані за допомогою тонко- або товстоплівкової технології та активних елементів (діоди, транзистори, монолітні інтегровані мікросхеми тощо), отримані за технологією виробництва напівпровідників, з’єднаних в єдине ціле за допомогою міжелементних з’єднань або з’єднувальних кабелів на ізолювальній підкладці (склі, кераміці тощо). Ці схеми також можуть містити дискретні компоненти;
(iii) багатокристальні інтегровані схеми, які складаються з двох або більше з’єднаних між собою монолітних інтегрованих схем, неподільно об’єднаних для всіх дій та цілей, розташовані на одній або кількох ізолювальних підкладках або ні, які мають рамки з виводами або ні, але не містять ніяких інших активних чи пасивних елементів;
(iv) багатокомпонентні інтегральні схеми (MCOs), що складаються з однієї або більше монолітних, гібридних або багатокристальних інтегральних схем, об’єднаних принаймні з одним з таких компонентів: датчиками на основі кремнію, приводами на основі кремнію, генераторами на основі кремнію, резонаторами на основі кремнію або їх комбінаціями, або компонентами, які виконують функції виробів, що класифікуються в товарних позиціях 8532, 8533, 8541, або індукторами, що класифікуються в товарній позиції 8504, нероздільно об’єднані в єдине ціле як інтегральна схема, яка представляє собою компонент, що встановлюється на друкованій платі (PCB) або іншому носії, шляхом підключення до контактів, провідників, кулькових виводів, заземлень, виводів або контактних площадок.
Для цілей цього визначення:
1. "компоненти" можуть бути дискретними, зробленими незалежно, потім встановленими на іншу частину багатокомпонентної інтегральної схеми або інтегрованими в інші компоненти;
2. "на основі кремнію" означає, що вироби створені на кремнієвій підкладці, або вироблені з кремнію, або виготовлені на кристалі інтегральної схеми;
3.(a) "датчики на основі кремнію" складаються з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника і призначені для визначення величин фізичного або хімічного явища та їх перетворення в електричні сигнали, викликані зміною електричних властивостей або зміщенням механічної структури. "Фізичні або хімічні явища" стосуються таких явищ, як тиск, акустичні хвилі, прискорення, вібрація, рух, орієнтація, деформація, напруженість магнітного поля, напруженість електричного поля, світло, радіоактивність, вологість, витрати (потік рідин), концентрація хімічних речовин і т. д;
(b) "приводи на основі кремнію" складаються з мікроелектронних і механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника і які мають функцію перетворення електричних сигналів у фізичний рух;
(c) "резонатори на основі кремнію" представляють собою компоненти, які складаються з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника, які мають функцію генерування механічних або електричних коливань заданої частоти, яка залежить від геометричних розмірів цих структур, і які реагують на зовнішній вхідний сигнал;
(d) "генератори на основі кремнію" є активними компонентами, які складаються з мікроелектронних або механічних структур, які створюються в об’ємі або на поверхні напівпровідника і які мають функцію генерування механічних або електричних коливань заданої частоти, яка залежить від геометричних розмірів цих структур.
Під час класифікації виробів, що зазначені у цій примітці, товарні позиції 8541 і 8542 мають перевагу перед будь-якою іншою товарною позицією в УКТ ЗЕД, яка може включати такі вироби відповідно до їх функцій, за винятком товарної позиції 8523.
Примітки до товарних підпозицій:
1. У товарній підпозиції 8525 81 класифікуються лише високошвидкісні телевізійні камери, цифрові камери та записувальні відеокамери, які мають одну або більше з наступних характеристик:
швидкість запису перевищує 0,5 мм за мікросекунду;
часова роздільна здатність 50 наносекунд або менше;
частота кадрів перевищує 225 000 кадрів в секунду.
2. У товарній підпозиції 8525 82 класифікуються радіаційно-стійкі телевізійні камери, цифрові камери та записувальні відеокамери, що спроектовані та екрановані для забезпечення роботи в середовищі з високим рівнем радіації. Ці камери спроектовані, щоб витримувати загальну дозу випромінювання не менше 50 × 10 - 3 Грей(кремній)(5 × 10 - 6 РАД(кремній), без експлуатаційної деградації.
3. У товарній підпозиції 8525 83 класифікуються телевізійні камери нічного бачення, цифрові камери та відеокамери, які використовують фотокатод для перетворення доступного світла в електрони, які можна посилити та перетворювати, щоб отримати видиме зображення. Ця підпозиція не включає тепловізійні камери (як правило, підпозицію 8525 89).
4. У товарній підпозиції 8527 12 класифікуються лише касетні плеєри з вмонтованим підсилювачем, без вбудованого гучномовця, що здатні працювати без додаткового зовнішнього джерела електроживлення, розміри яких не перевищують 170 × 100 × 45 мм.
5. У підпозиціях 8549 11-8549 19 термін "використані (виснажені) первинні елементи, використані (виснажені) первинні батареї та використані (виснажені) електричні акумулятори" означає пристрої, що стали непридатними для подальшого використання внаслідок пошкодження, розрізання, спрацювання чи з інших причин, а також ті, які неможливо перезарядити.
Додаткові примітки:
1. До товарних категорій 8519 20 10 та 8519 30 00 не включено апаратуру для відтворення звуку з лазерною системою зчитування.
2. Для цілей товарних категорій 8528 71 15 та 8528 71 91 термін "модем" означає пристрої або обладнання, які модулюють і демодулюють вхідні та вихідні сигнали, такі як V.90-модеми або кабельні модеми та інші пристрої, які використовують як технології для отримання доступу до мережі Інтернет, такі як WLAN, ISDN та Ethernet. Ступінь доступу до мережі Інтернет може бути обмежений за допомогою служби постачальника.
Пристрої цих товарних категорій повинні включати процес двостороннього зв’язку або двосторонній потік інформації для цілей надання інтерактивного обміну інформацією.
Код
Назва
Ставки мита, %
Додаткові ОВО
пільгова
повна