1. Держави-члени ЄЕС повинні охороняти топографію напівпровідникових виробів шляхом затвердження законодавчих положень, які надають виключні права у відповідності з положеннями Директиви.
2. Топографія напівпровідникового виробу повинна охоронятися настільки, наскільки вона задовольняє умови, які заключаються в тому, що ця топографія має бути результатом інтелектуальної праці творця та не становити собою звичайну загальновідому річ в напівпровідниковій промисловості. Якщо технологія напівпровідникового виробу складається з елементів, що є загальновідомими в напівпровідниковій промисловості, вона повинна охоронятися тільки у мірі, до якої комбінація цих елементів, взята як єдине ціле, відповідає вищезазначеним умовам.